SiC薄膜高温压力传感器 被引量：13

1

作者 朱作云 李跃进 +6 位作者 杨银堂 柴常春 贾护军 韩小亮 王文襄 刘秀娥 王麦广 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第2期1-3,共3页

SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。

关键词 压力传感器 碳化硅 薄膜

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高温半导体压力传感器技术 被引量：8

2

作者 韩小亮 朱作云 李跃进 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期120-124,共5页

介绍了高温半导体压力传感器的应用和国内外研究发展现状 ,论述了几种主要的高温半导体压力传感器的工作原理和关键技术 ,比较了不同传感器结构和制作工艺之间的优缺点 。

关键词 压力传感器 碳化硅 半导体

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微机械加工硅电容式加速度传感器 被引量：7

3

作者 李跃进 杨银堂 +2 位作者 朱作云 马晓华 陈锦杜 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期57-59,共3页

介绍了硅电容式加速度传感器的工作原理和制作过程。传感器的敏感元件为一个差分电容器 ,它是由活动质量块与两个玻璃极板通过阳极键合形成。活动质量块用标准的双极工艺和各向异性腐蚀工艺制作。该传感器的量程为 2 0 gn,线性度为 10 -4

关键词 加速度传感器 差分电容器 各向异性腐蚀 微机械加工

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硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究 被引量：10

4

作者 贾护军 杨银堂 +1 位作者 朱作云 李跃进 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期131-136,共6页

采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同... 采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降． 展开更多

关键词 外延生长 SIC薄膜 淀积温度 结晶度 硅基

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SiC/Si异质生长的研究 被引量：7

5

作者 朱作云 李跃进 +1 位作者 杨银堂 贾护军 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期122-125,共4页

在半导体材料中，ＳｉＣ比Ｓｉ具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性，在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景．但是它的材料制备很困难．文中在理论分析基础上，以Ｓｉ为衬底，用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）技... 在半导体材料中，ＳｉＣ比Ｓｉ具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性，在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景．但是它的材料制备很困难．文中在理论分析基础上，以Ｓｉ为衬底，用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）技术，在温度为１１００℃下，生长出ＳｉＣ多晶薄膜。 展开更多

关键词 APCVD 异质外延 缓冲层 半导体材料 碳化硅

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SBS改性剂对改性沥青性能的影响现状分析 被引量：8

6

作者 谭华 朱作云 +1 位作者 李禅禅 李炜光 《西部交通科技》 2014年第4期5-9,33,共6页

SBS改性沥青是我国高速公路沥青路面最重要的改性形式,文章对比讨论了SBS改性剂种类、SBS改性剂结构以及原材料老化对SBS改性沥青性能的影响,并分析了某省90#进口沥青组分多年变化情况,说明了控制加工改性沥青原材料质量对确保改性沥青... SBS改性沥青是我国高速公路沥青路面最重要的改性形式,文章对比讨论了SBS改性剂种类、SBS改性剂结构以及原材料老化对SBS改性沥青性能的影响,并分析了某省90#进口沥青组分多年变化情况,说明了控制加工改性沥青原材料质量对确保改性沥青质量至关重要。 展开更多

关键词 SBS改性沥青 沥青溶胀 基质沥青 双控方法 沥青性能 影响分析

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蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究 被引量：7

7

作者 王剑屏 郝跃 +2 位作者 彭军 朱作云 张永华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1793-1797,共5页

报道了在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上采用atmosphericpressurechemicalvapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究 .通过引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为中间的缓冲层 ,在C(0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 ,经过四晶衍射分析 ,分别在 35 ... 报道了在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上采用atmosphericpressurechemicalvapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究 .通过引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为中间的缓冲层 ,在C(0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 ,经过四晶衍射分析 ,分别在 35 4 9°和 75 0 2°发现了 6H SiC(0 0 0 6 )面和 (0 0 0 12 )晶面族的对称衍射峰 ,显示SiC薄膜的晶体取向与(0 0 0 1)面的衬底是相同的 .扫描电子显微镜 (SEM)的观察显示薄膜表面连续、光滑 ,不要利用二次离子质谱仪(SIMS)方法对生长膜层在纵向剖面的元素结构进行了分析 。 展开更多

关键词 蓝宝石衬底 异质外延生长 碳化硅薄膜 化学汽相淀积

原文传递

硅各向异性腐蚀中自动终止技术的研究 被引量：5

8

作者 李跃进 朱作云 纪强 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期112-117,共6页

本文就 P^+重掺杂硼扩散自动终止腐蚀技术进行了研究,得到了腐蚀速率比随杂质浓度变化的曲线。并用氧化-还原反应理论对实验结果进行了解释。

关键词 硅 硅膜 各向异性 腐蚀 终止技术

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蓝宝石/氮化铝衬底上SiC外延薄膜的X射线衍射分析 被引量：4

9

作者 彭军 朱作云 +3 位作者 贾护军 杨银堂 郑有炓 郭振琪 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期186-189,共4页

介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种X光衍射方法对生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的... 介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种X光衍射方法对生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析 ,结果表明 ,可在这种衬底上成功地生长出 6H SiC单晶薄膜 . 展开更多

关键词 蓝宝石 氮化铝 衬底 X射线衍射 碳化硅 外延薄膜

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硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术 被引量：3

10

作者 李跃进 杨银堂 +1 位作者 贾护军 朱作云 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期80-82,87,共4页

用常压化学气相淀积法在(100)Si衬底上异质外延生长了3CSiC薄膜。为减小3CSiC与硅之间的晶格失配,在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了缓冲层,确定了形成缓冲层的最佳条件。用X射线衍射、俄歇电子能谱、扫描电镜对薄膜的特... 用常压化学气相淀积法在(100)Si衬底上异质外延生长了3CSiC薄膜。为减小3CSiC与硅之间的晶格失配,在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了缓冲层,确定了形成缓冲层的最佳条件。用X射线衍射、俄歇电子能谱、扫描电镜对薄膜的特性进行了分析。测量结果表明,1300℃下在Si衬底缓冲层上可以获得3CSiC单晶。 展开更多

关键词 碳化硅 化学气相淀积 外延生长 薄膜 硅基

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碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术 被引量：4

11

作者 柴常春 杨银堂 +1 位作者 朱作云 李跃进 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期659-663,共5页

简述了在ＳｉＣ材料半导体器件制造工艺中，对ＳｉＣ材料采用干法刻蚀工艺的必要性．总结了近年来ＳｉＣ干法刻蚀技术的工艺发展状况．

关键词 碳化硅 干法刻蚀 制造工艺

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碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究 被引量：3

12

作者 王剑屏 郝跃 +2 位作者 彭军 朱作云 张永华 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期465-469,共5页

讨论了引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层 ,用常压气相外延手段在蓝宝石 /Ⅲ Ⅴ族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程 .在C面 (0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 .扫描电子显微镜显示薄膜表面连续、光滑 ,证... 讨论了引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层 ,用常压气相外延手段在蓝宝石 /Ⅲ Ⅴ族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程 .在C面 (0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 .扫描电子显微镜显示薄膜表面连续、光滑 ,证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义 ,同时在表面发现直径为 1～ 10 μm的六角形缺陷 .对缺陷面密度与工艺参数的关系进行了分析 ,并对缺陷产生的机理进行了探讨 ,认为反应产生物的腐蚀是产生六角形缺陷的来源 . 展开更多

关键词 薄膜 碳化硅 异质外延 表面缺陷 腐蚀 衬底

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浅谈山区普通公路路线线型设计思路 被引量：4

13

作者 朱作云 《公路交通科技（应用技术版）》 CAS CSCD 2014年第4期166-168,共3页

公路勘察设计是公路建设的前期工作,山区公路的选线往往由于其复杂的地形、地质条件而受到多方限制,已成为很多地区阻碍基础交通运输与社会经济发展的一大瓶颈,勘察设计的质量对公路的建设及今后的运营意义巨大。文章以国道G316线某段... 公路勘察设计是公路建设的前期工作,山区公路的选线往往由于其复杂的地形、地质条件而受到多方限制,已成为很多地区阻碍基础交通运输与社会经济发展的一大瓶颈,勘察设计的质量对公路的建设及今后的运营意义巨大。文章以国道G316线某段改线勘察设计为例.对丘陵山区高速公路勘察给出了明确的思路,对具体的设计方法进行专题性研究。 展开更多

关键词 山区公路 选线设计

原文传递

APCVD生长碳化硅薄膜中汽相结晶过程的研究 被引量：3

14

作者 王剑屏 郝跃 +3 位作者 宋国乡 彭军 朱作云 张永华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期832-836,共5页

对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速... 对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布 ,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区 Si/ C比例有很大影响 ,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率 。 展开更多

关键词 APCVD 碳化硅薄膜 汽相结果 常压化学汽相淀积 异质外延 生长过程 生长速率

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多晶碳化硅的氧化技术研究 被引量：3

15

作者 李跃进 杨银堂 +2 位作者 贾护军 朱作云 柴常春 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期142-143,共2页

本文研究了 10 50～ 12 50℃温度下干氧和湿氧中多晶SiC/Si材料的氧化规律 ,讨论了氧化层厚度与时间、温度、气氛的关系 ,用Auger电子能谱仪对薄膜成分进行了分析。

关键词 多晶碳化硅 热氧化 温度 二氧化硅

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微型压阻式压力传感器的研制 被引量：2

16

作者 朱作云 李跃进 王文襄 《电子科技杂志》 1997年第1期22-25,共4页

用微机械加工技术开发出一种微型方杯压阻式压力传感器。文中介绍了微型压力传感器的设计思想和研制工艺中的关键技术，并给出了该传感器的参数。测试结果表明该传感器的主要性能已达到国内先进水平。

关键词 压力传感器 微机械加工 压阻系数

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蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜反应机理研究 被引量：1

17

作者 王剑屏 郝跃 +3 位作者 彭军 朱作云 张永华 宋国乡 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第4期391-396,共6页

对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而... 对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率,在SiC薄膜的生长过程中,对Si/C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素。这很好地解释了薄膜生长过程中出现的异常现象。 展开更多

关键词 蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜 反应机理 化学汽相淀积 汽相外延

原文传递

力敏传感器市场预测分析研究 被引量：1

18

作者 郭源生 朱作云 董华 《传感器世界》 2001年第3期1-4,共4页

信息技术是由信息采集、传输和处理构成。信息采集又是信息技术的前提和基础,而传感器就是信息采集的最基本功能器件,其应用市场的发展是信息技术水平的最终体现。本文就力敏传感器国内外市场发展状况和国内市场发展趋势进行简要预测分析。

关键词 信息技术 力敏传感器 市场预测分析

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城市道路改造断面的设计构思及优化 被引量：3

19

作者 朱作云 《天津市政设计》 2003年第2期40-43,共4页

本文以黄河道为例通过深入剖析其现状交通和现状路况，结合其在城市路网中的重要地位，提出了道路断面改造设计的具体思路。

关键词 城市道路 改造 断面设计 设计设计 路面

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矩形硅杯绝对压力传感器的研制 被引量：1

20

作者 朱作云 李跃进 +2 位作者 王文襄 郭源生 王麦广 《传感技术学报》 CAS CSCD 1996年第1期71-74,共4页

绝对压力传感器大量应用于环境压力检测、海拔高度测量、大气数据处理、地球物理研究、海底测量等领域.尤其是近年来在汽车行业中的大量应用,使性能好、价格低。

关键词 绝对压力 压力传感器 传感器

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