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非晶硒化镉和辉光放电非晶硅对锁模激光的瞬态响应 被引量:4
1
作者 郭亨群 叶天水 锦川 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第9期855-858,共4页
用对撞锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲对非晶硒化镉和辉光放电非晶硅的瞬态响应进行研究,并用多重俘获传导模型分析光生载流子的弛豫过程.
关键词 瞬态响应 硒化镉 非晶态 激光
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非晶态硒化镉超快激光探测器 被引量:2
2
作者 叶天水 郭亨群 锦川 《应用激光》 CSCD 北大核心 1990年第5期207-210,共4页
本文报道用真空热蒸发法淀积非晶态硒化镉薄膜,结果表明 a-CdSe 光电导探测器对 PS 级的超短光脉冲具有良好的瞬态响应。
关键词 非晶态硒化镉 薄膜 激光探测器
原文传递
硒化镉薄膜结构形貌和光谱特性的测试与探索 被引量:1
3
作者 锦川 郭亨群 叶天水 《华侨大学学报(自然科学版)》 CAS 1992年第2期181-187,共7页
本文介绍硒化镉(CdSe)薄膜结构形貌和光谱特性的测试研究结果,以及制备工艺条件对该薄膜的结构形貌和光谱特性可能产生的影响所进行的某些探索。
关键词 硒化镉 薄膜 结构形貌 光谱特性
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非晶态硒化镉薄膜光电特性的研究 被引量:1
4
作者 叶天水 郭亨群 锦川 《华侨大学学报(自然科学版)》 CAS 1990年第2期135-141,共7页
本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光... 本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光脉冲对薄膜的瞬态光电导特性进行研究,表明非晶态硒化镉薄膜对ps级超短光脉冲具有良好的瞬态响应,可用作快速光电探测器的光敏材料薄膜。 展开更多
关键词 非晶态 半导体 硒化镉 薄膜 控测器
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非晶硒化镉超快光电探测器瞬态响应
5
作者 锦川 郭亨群 叶天水 《华侨大学学报(自然科学版)》 CAS 1994年第2期159-162,共4页
报道淀积条件对以非晶态硒化镉(a-CdSe)为光敏介质的超快光电探测器瞬态响应特性的影响.
关键词 光电探测器 硒化镉薄膜
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超短光脉冲作用下非晶硅的瞬态光电导
6
作者 郭亨群 叶天水 锦川 《高速摄影与光子学》 CSCD 1991年第1期77-79,共3页
本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载流子的俘获。与化学气相沉积a-Si和进口硅PIN快速光电探测器的... 本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载流子的俘获。与化学气相沉积a-Si和进口硅PIN快速光电探测器的瞬态响应实验结果的比较说明,a-Si的瞬态响应稳定性好。 展开更多
关键词 非晶硅 瞬态光电导
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非晶态硒化镉薄膜瞬态光电特性
7
作者 叶天水 郭享群 锦川 《高速摄影与光子学》 CSCD 1991年第1期104-107,共4页
本文报道用真空热蒸发法淀积的非晶态硒化镉薄膜作光敏介质制备超快光电导探测器。用对撞脉冲锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲序列对探测器的响应时间进行检测,结果表明a-CdSe薄膜对皮秒(10^(-12)秒)级的超短光脉冲作用具有良好的瞬... 本文报道用真空热蒸发法淀积的非晶态硒化镉薄膜作光敏介质制备超快光电导探测器。用对撞脉冲锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲序列对探测器的响应时间进行检测,结果表明a-CdSe薄膜对皮秒(10^(-12)秒)级的超短光脉冲作用具有良好的瞬态响应光电特性,探讨a-CdSe薄膜快速弛豫过程的内在机理。 展开更多
关键词 非晶态 半导体 薄膜 光电特性
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非晶硒化镉激光探测器的瞬态响应特性
8
作者 锦川 郭亨群 叶天水 《应用激光》 CSCD 北大核心 1994年第5期197-200,共4页
本文报道淀积条件对非晶态硒化镉(a-Cdse)光敏介质的超快光电探测器瞬态响应特性的影响。
关键词 瞬态响应 硒化镉薄膜 激光探测器
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a-CdSe超快光电探测器特性研究
9
作者 锦川 郭亨群 +3 位作者 叶天水 陈两坤 王加贤 刘泰山 《光子学报》 EI CAS CSCD 1994年第5期406-412,共7页
本文报道淀积条件对非晶态硒化镉(a-CdSe)薄膜微区结构的影响,并对利用a-CdSe为光敏介质的超快光电探测器的特性进行了比较深入的测试研究。
关键词 光电探测器 光敏介质 硒化镉
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非晶硒化镉微区结构及光吸收性能
10
作者 锦川 陈两坤 王加贤 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期372-376,共5页
报道了通过实验研究淀积条件对非晶硒化镉(α-CdSe)薄膜的微区结构及光吸收性能的影响。在此基础上寻求该样品微区结构对光吸收性能产生影响的规律性。
关键词 非晶硒化镉 微区结构 光吸收
全文增补中
非晶硒化镉快速光电探测器瞬态光电导的测试研究
11
作者 锦川 郭亨群 +3 位作者 叶天水 陈两坤 王加贤 刘泰山 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期266-270,共5页
报道了淀积条件对非晶态硒化镉(α-CdSe)薄膜微区结构的影响,并对利用α-CdSe薄膜为光敏介质的快速光电探测器的瞬态光电导进行了比较深入的测试研究。
关键词 光电探测器 光电导 硒化镉 测试
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把学员队工作的着力点放到跨世纪人才培养上
12
作者 姚西英 锦川 《山西医科大学学报(基础医学教育版)》 1999年第4期58-59,共2页
新世纪对医学生提出了更高标准,怍为管理学员的各级干部要瞄准目标,改进方法,把工作重点放在学员创新能力、科学精神、全面素质培养上。
关键词 学员队 全面素质培养 人才培养 着力点 科学精神 创新能力 工作重点 医学生 改进方法 干部
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硒化镉薄膜微区分析
13
作者 郭亨群 叶天水 锦川 《华侨大学学报(自然科学版)》 CAS 1993年第2期175-179,共5页
本文用电子探针对硒化镉薄膜进行微区分析,对薄膜的成分和厚度进行同时测定,并分析了制备条件对薄膜参数的影响。
关键词 半导体 薄膜 微区分析 硒化镉
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面对新课程初中化学教师急待解决的观念问题
14
作者 锦川 《福建教育学院学报》 2005年第3期11-12,共2页
新一轮的课程改革已取得丰硕成果,而且即将在全国范围内实施,这是发展基础教育、全面推进素质教育的关键.作为新课程的实施者,教师在思想观念上必须摆脱传统教育的束缚,保持与时俱进的先进性.
关键词 化学教师 初中 课程改革 基础教育 素质教育 传统教育 思想观念 与时俱进 先进性
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