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Android系统架构及应用程序开发研究 被引量：141
1
作者 曾健平 邵艳洁 《微计算机信息》 2011年第9期1-3,共3页
Android是Google公司发布的智能手机平台,该平台具有开放、应用程序平等、应用程序间无界限和方便快速的应用程序开发等优点。文章对Android的系统架构、Android应用程序开发的环境配置及重要功能组件进行了研究,最后通过一个简单的短... Android是Google公司发布的智能手机平台,该平台具有开放、应用程序平等、应用程序间无界限和方便快速的应用程序开发等优点。文章对Android的系统架构、Android应用程序开发的环境配置及重要功能组件进行了研究,最后通过一个简单的短信息程序来验证Android平台的可用性。 展开更多
关键词 ANDROID 系统架构 应用程序开发 短信息
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红外测温原理及误差分析 被引量：77
2
作者 晏敏 彭楚武 +2 位作者 颜永红 曾云 曾健平 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期110-112,共3页
从黑体辐射原理出发分析了红外测温的工作原理,推导了它的数学模型,描述了物体的辐射功率与波长、温度之间的关系,即红外测温必须根据实际测温范围,选择不同的工作波长.通过具体应用电路的实验数据,从环境、反射率、距离系数等几个方面... 从黑体辐射原理出发分析了红外测温的工作原理,推导了它的数学模型,描述了物体的辐射功率与波长、温度之间的关系,即红外测温必须根据实际测温范围,选择不同的工作波长.通过具体应用电路的实验数据,从环境、反射率、距离系数等几个方面,探讨和分析了测量精度的原因,得出了环境温度与被测目标温度之间的相互关系,验证了环境温度是红外测温产生误差的主要因素,并为消除测量误差提出了改进方法. 展开更多
关键词 黑体辐射 红外测温原理 环境温度 反射率 距离系数 误差分析 红外测温仪
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非接触式红外测温原理及误差分析 被引量：30
3
作者 晏敏 颜永红 +1 位作者 曾云 曾健平 《计量技术》 2005年第1期23-25,共3页
本文介绍了红外测温的机理以及系统的组成部分和测量范围的划分 ,并从环境、反射率、距离系数等几个主要因素分析了产生误差的原因 ,同时 。
关键词 红外测温 黑体辐射 反射率 距离系数
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基于RS485总线技术的PC机与单片机多机通讯设计 被引量：12
4
作者 田拥军 赵光强 曾健平 《湖南工程学院学报（自然科学版）》 2007年第2期19-23,共5页
采用SN75LBC184来实现RS232C与RS485串行口的转换,从而使PC机具备主从式多机通讯功能,实现对多个单片机组成数据采集终端的通讯与管理.约定一种简单和有效的串口通讯协议,根据这种通讯协议设计出单片机与PC机串口通讯程序.
关键词 RS485 单片机 通讯协议 SN75LBC184
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毕业设计(论文)质量评价体系研究与实践 被引量：21
5
作者 曾健平 尹新 +1 位作者 胡锦 晏敏 《电气电子教学学报》 2006年第1期112-114,共3页
毕业设计(论文)质量直接影响着本科人才培养质量和学校总体教学水平,在多年的毕业设计(论文)工作中,采取早准备、严格过程检查、严把答辩关、学生与指导教师之间采用双向选择、实行指导教师负责制、建立不断完善的质量评价体系、成立以... 毕业设计(论文)质量直接影响着本科人才培养质量和学校总体教学水平,在多年的毕业设计(论文)工作中,采取早准备、严格过程检查、严把答辩关、学生与指导教师之间采用双向选择、实行指导教师负责制、建立不断完善的质量评价体系、成立以学科带头人和学术组长组成的毕业设计(论文)质量检查专家工作组,从毕业设计(论文)选题、过程、答辩到成绩评定等全过程进行跟踪检查,形成了一套切实可行的方法,全面提高了毕业设计(论文)质量。 展开更多
关键词 毕业设计(论文) 质量评价体系 专家工作组 过程跟踪
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一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源设计 被引量：14
6
作者 谢海情 王振宇 +4 位作者 曾健平 陆俊霖 曹武 陈振华 崔凯月 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期119-124,共6页
通过将具有高阶温度项的MOS管亚阈值区漏电流转换为电压,并与一阶温度补偿电压进行加权叠加,实现二阶温度补偿.采用高增益的运放和负反馈回路提高电源抑制能力,设计一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源.基于0.18μm CMOS工艺,完... 通过将具有高阶温度项的MOS管亚阈值区漏电流转换为电压,并与一阶温度补偿电压进行加权叠加,实现二阶温度补偿.采用高增益的运放和负反馈回路提高电源抑制能力,设计一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源.基于0.18μm CMOS工艺,完成电路设计与仿真、版图设计与后仿真.结果表明,在1.8 V的电源电压下,电路输出电压为1.22 V;在温度变化为-40~110℃时,温度系数为3.3 ppm/℃;低频电源电压抑制比为-96 dB@100 Hz;静态电流仅为33μA. 展开更多
关键词 带隙基准 温度系数 电源电压抑制比 温度补偿
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智能四探针电阻率测试仪的研制 被引量：9
7
作者 晏敏 彭楚武 +2 位作者 黎福海 曾健平 赵冯 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期52-55,共4页
从教学实际需要出发,在分析影响四探针电阻率测试仪精度的几个主要因素的基础上,应用微电子技术与嵌入式系统,研制出了智能四探针电阻率测试仪。实际工作表明:该仪器具有自动切换量程、稳定性好的特点;具有PC机接口;功耗小于6 W;误差为&... 从教学实际需要出发,在分析影响四探针电阻率测试仪精度的几个主要因素的基础上,应用微电子技术与嵌入式系统,研制出了智能四探针电阻率测试仪。实际工作表明:该仪器具有自动切换量程、稳定性好的特点;具有PC机接口;功耗小于6 W;误差为±0.5%;测量范围:0.025-2 500 Ω·cm;自动显示小数点和单位. 展开更多
关键词 微电子 嵌入式 四探针测试仪 电阻率 电阻率测试仪 四探针 智能 自动切换量程 嵌入式系统 微电子技术
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MODBUS通信协议在电能管理系统中的应用 被引量：9
8
作者 田拥军 曾健平 《仪器仪表标准化与计量》 2006年第3期14-17,共4页
MODBUS协议由于得到众多仪表厂家的支持,正在成为仪表及智能终端的工业标准。我们所设计的电能管理系统采用了MODBUS协议设计电能管理系统通信程序。选用SN75LBC184来完成RS232C与RS485串行口的转换,从而使PC机具备主从式多机通讯功能,... MODBUS协议由于得到众多仪表厂家的支持,正在成为仪表及智能终端的工业标准。我们所设计的电能管理系统采用了MODBUS协议设计电能管理系统通信程序。选用SN75LBC184来完成RS232C与RS485串行口的转换,从而使PC机具备主从式多机通讯功能,实现对多个电能采集器组成数据采集终端的通讯与管理。本文给出了RS232与RS485的转换电路图与基于MODBUS协议设计的电能管理系统串行通讯程序流程图。 展开更多
关键词 电能管理系统 串行口通信 RS485 MODBUS协议
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子宫内膜回声不均患者内膜组织病理特点及恶变高危因素分析 被引量：11
9
作者 罗凌霄 符忠蓬 +5 位作者 崔璨 曾健平 孙小怡 汪清 隋龙 丛青 《复旦学报（医学版）》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期798-803,共6页
目的分析子宫内膜回声不均患者的内膜组织病理结果及恶变高危因素,探讨其临床意义。方法纳入复旦大学附属妇产科医院2015年1月—2018年12月869例经阴道彩色多普勒超声提示内膜回声不均并行宫腔镜检查的患者,总结其病理特点及临床资料,... 目的分析子宫内膜回声不均患者的内膜组织病理结果及恶变高危因素,探讨其临床意义。方法纳入复旦大学附属妇产科医院2015年1月—2018年12月869例经阴道彩色多普勒超声提示内膜回声不均并行宫腔镜检查的患者,总结其病理特点及临床资料,以内膜不典型增生及恶性病变为研究组,以内膜正常及良性病变为对照组采用Logistic回归分析内膜回声不均患者诊断内膜癌前/恶性病变高危因素。结果宫腔镜下定位活检组织病理结果表明,超声提示子宫内膜回声不均患者中,56.04%(487/869)患者内膜正常,43.96%(382/869)内膜病变,其中,38.55%(335/869)为良性病变,5.41%(47/869)为内膜不典型增生或恶性病变。多因素Logistic回归分析表明,年龄≥50岁(OR:3.498,95%CI:1.209~10.124,P=0.021)、异常子宫出血(OR:2.903,95%CI:1.904~4.425,P<0.001)、内膜厚度≥7 mm(OR:6.411,95%CI:1.921~21.392,P=0.003)是子宫内膜发生癌前或恶性病变的独立高危因素,ROC曲线下面积为0.749。结论超声提示内膜回声不均是内膜病变的重要预测指标,年龄≥50岁、异常子宫出血、内膜厚度≥7 mm是发生癌前/恶性病变的高危因素。 展开更多
关键词 内膜回声不均 宫腔镜 子宫内膜病变 危险因素
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微波功率器件及其材料的发展和应用前景 被引量：3
10
作者 文剑 曾健平 晏敏 《电子与封装》 2005年第11期1-8,共8页
本文介绍了微波功率器件的发展和前景，对HBT、MESFET和HEMT微波功率器件的材料的特点和选取，以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InP、SiC、GaN等新型的微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波... 本文介绍了微波功率器件的发展和前景，对HBT、MESFET和HEMT微波功率器件的材料的特点和选取，以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InP、SiC、GaN等新型的微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望。 展开更多
关键词 微波功率器件 设计 材料 HBT MESFET HEMT
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低功耗CMOS带隙基准电压源的设计 被引量：3
11
作者 曾健平 文剑 晏敏 《宇航计测技术》 CSCD 2004年第6期41-44,共4页
设计了低功耗、高电源抑制比CMOS带隙基准电压发生器电路。其设计特点是采用了共源共栅电流镜 ,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路 ;使用CSMC标准 0 6 μm双层多晶硅n -wellCMOS工艺混频信号模型 ,利用Cadence的Spectre工... 设计了低功耗、高电源抑制比CMOS带隙基准电压发生器电路。其设计特点是采用了共源共栅电流镜 ,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路 ;使用CSMC标准 0 6 μm双层多晶硅n -wellCMOS工艺混频信号模型 ,利用Cadence的Spectre工具对其仿真 ,结果显示当温度和电源电压变化范围为 - 5 0℃～ 15 0℃和4 5V～ 5 5V时输出基准电压变化小于 1 6mV和 0 13mV ;低频电源抑制比达到 75dB。电路在 5V电源电压下工作电流小于 10 μA。该电路适用于对功耗要求低。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 低功耗 CMOS 偏置电路 电流镜 电源抑制比 运放 集成温度传感器 显示 输出
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低功耗高电源抑制比CMOS带隙基准源设计 被引量：3
12
作者 曾健平 田涛 +1 位作者 刘利辉 晏敏 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期37-40,共4页
基于Ahujia基准电压发生器设计了低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;其次是采用了带隙温度补偿技术.使用CSMC标准0.6μm双层多晶硅n-well C... 基于Ahujia基准电压发生器设计了低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;其次是采用了带隙温度补偿技术.使用CSMC标准0.6μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示,当温度和电源电压变化范围为-50-150℃和4.5-5.5 V时,输出基准电压变化小于1.6 mV(6.2×10-6/℃)和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中. 展开更多
关键词 CMOS集成电路 低功耗 共源共栅电流镜 高电压源抑制比 带隙基准
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智能太阳能热水器水温水位控制系统 被引量：8
13
作者 曾健平 谢海情 周永峰 《计量技术》 2006年第12期13-16,共4页
在给出了太阳能热水器控制系统的功能设计和原理框图的基础上,建立了各功能模块的测量模型,分析了其设计原理和实现方法。本设计中,充分利用89C55WD单片机的资源,实现了高性价比设计。本文主要对太阳能热水器的水温、水位检测模块和超... 在给出了太阳能热水器控制系统的功能设计和原理框图的基础上,建立了各功能模块的测量模型,分析了其设计原理和实现方法。本设计中,充分利用89C55WD单片机的资源,实现了高性价比设计。本文主要对太阳能热水器的水温、水位检测模块和超声波除垢系统进行了详细的分析与设计,并且加入了液晶显示和定时功能模块,从而实现了全智能化的控制系统。 展开更多
关键词 太阳能热水器 89C55WD单片机 水温 水位 超声波除垢
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卡式预付费表计的安全设计策略 被引量：6
14
作者 田拥军 曾健平 《中国仪器仪表》 2007年第4期73-74,77,共3页
卡式预付费表计由于解决了人工抄表工作量大、催收费用难的问题,被广泛应用,但卡式预付费表计存在着严重的安全隐患。本文分析了卡式预付费表计存在的主要安全隐患,且针对这些安全隐患,给出了卡式预付费表计安全设计策略。
关键词 IC卡 预付费 安全隐患 安全设计
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一种新型GPS前端CMOS低噪声放大器的设计 被引量：6
15
作者 彭凤雄 陈迪平 +1 位作者 曾健平 段立业 《电子器件》 CAS 2008年第4期1177-1179,共3页
介绍了一种工作于GPSL1频带的新型低噪声放大器的设计方案。电路运用电流镜结构进行电流放大,并利用偏置电流复用技术减小功耗。该放大器工作在1.575GHz时,电源电压为1.5V的情况下噪声系数为1.06dB,电压增益为23dB,1dB压缩点为-17.36dBm... 介绍了一种工作于GPSL1频带的新型低噪声放大器的设计方案。电路运用电流镜结构进行电流放大,并利用偏置电流复用技术减小功耗。该放大器工作在1.575GHz时,电源电压为1.5V的情况下噪声系数为1.06dB,电压增益为23dB,1dB压缩点为-17.36dBm,S11<-10dB,电流为4.6mA。 展开更多
关键词 CMOS低噪声放大器 电流镜 电流复用 GPS前端
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双极型压控晶体管模型及原理 被引量：4
16
作者 曾云 颜永红 +2 位作者 陈迪平 曾健平 冯辉煜 《微细加工技术》 EI 1997年第3期63-65,共3页
本文提出一种新的双极型压控晶体管模型，并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电，有较大的电流密度和功率，导电能力又受电压控制，具有较大的输入阻抗，兼有双极器件和MOS场效应器件的特点。
关键词 晶体管 模型 BJT 双极型 压控晶体管
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中小学STEM课程的教学设计模式与课堂应用研究 被引量：7
17
作者 伍碧瑶 何仁生 曾健平 《软件导刊.教育技术》 2018年第6期16-19,共4页
随着创新教育日益推广和普及,培养跨学科思维复合型人才的STEM教育已成为教育界讨论并实践的热点,分析当前STEM教育的研究和中小学课程实施现状,提出STEM教育的教学设计存在的问题,构建了中小学STEM课程一般教学设计样式。以深圳市多所... 随着创新教育日益推广和普及,培养跨学科思维复合型人才的STEM教育已成为教育界讨论并实践的热点,分析当前STEM教育的研究和中小学课程实施现状,提出STEM教育的教学设计存在的问题,构建了中小学STEM课程一般教学设计样式。以深圳市多所中小学实践应用为例,通过创意分组分工、问题情境设计、跨学科教学内容设计、项目式学习、作品展示与评价五个环节开展STEM教学活动,完成基于主题项目的课程教学任务,取得积极效果。 展开更多
关键词 STEM教育 问题情境 跨学科 教学设计
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线性补偿型带隙基准电压源设计 被引量：1
18
作者 曾健平 田涛 +2 位作者 李宇 谢海情 邹韦华 《宇航计测技术》 CSCD 2005年第4期49-53,共5页
设计了一种高准确度基准电压源电路,电路采用了电流镜技术,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路,双极晶体管EB结压降作运放的输入,获得正温度系数的电流IPTAT;同理将电阻的压降和双极晶体管EB结压降作运放的输入,获得负温度... 设计了一种高准确度基准电压源电路,电路采用了电流镜技术,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路,双极晶体管EB结压降作运放的输入,获得正温度系数的电流IPTAT;同理将电阻的压降和双极晶体管EB结压降作运放的输入,获得负温度系数的电流ICTAT,通过电流的减法运算将在整个温度范围内分两段产生不同的补偿电流INL,进而产生不同的补偿电压,并完成对带隙基准电压的分段线性补偿.由此得到温度系数很小的带隙基准电压.采用TSMC 0.18μm 1.8/3.3 1P6M CMOS标准工艺,在1.8 V电源下,-40℃～130℃温度范围内,仿真结果显示输出电压的温度系数小于1.88 ppm/V,低频时电源电压抑制比为-86 dB,功耗为237.5μW. 展开更多
关键词 带隙基准 分段补偿 温度系数 电源电压抑制比
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基于射频识别技术的多用户电能表的设计 被引量：6
19
作者 田拥军 曾健平 《微计算机信息》 北大核心 2007年第05Z期219-221,共3页
为了解决IC卡预付费电能表存在的问题,继承先购电后用电的管理模式,设计了一种多用户电能表。电力部门的管理微机通过RS485网络对电能表进行管理,以防止用户窃电;选用射频卡作为用户卡以解决IC卡易被污染和损坏的问题;采用一表多卡方式... 为了解决IC卡预付费电能表存在的问题,继承先购电后用电的管理模式,设计了一种多用户电能表。电力部门的管理微机通过RS485网络对电能表进行管理,以防止用户窃电;选用射频卡作为用户卡以解决IC卡易被污染和损坏的问题;采用一表多卡方式来满足公共场所用电管理的要求。 展开更多
关键词 RFID AT89C52 MFRC500 RS485 射频识别技术 多用户电能表
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高电源抑制比带隙基准电压源的设计 被引量：4
20
作者 曾健平 邹韦华 +1 位作者 易峰 田涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期984-987,共4页
提出一种采用0.25μm CMOS工艺的低功耗、高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源（BGR）设计。设计中,采用了共源共栅电流镜结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,并且实现了与绝对温度成正比（PTAT）温度补偿。使... 提出一种采用0.25μm CMOS工艺的低功耗、高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源（BGR）设计。设计中,采用了共源共栅电流镜结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,并且实现了与绝对温度成正比（PTAT）温度补偿。使用Hspice对其进行仿真,在中芯国际标准0.25μm CMOS工艺下,当温度变化范围在-25-125℃和电源电压变化范围为4.5-5.5 V时,输出基准电压具有9.3×10^-6V/℃的温度特性,Vref摆动小于0.12 mV,在低频时具有85 dB以上的电源电压抑制比（PSRR）,整个电路消耗电源电流仅为20μA。 展开更多
关键词 带隙基准源 电源抑制比 低温度系数
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