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一种用于CIS列级ADC的片上抗PVT变化高精度自适应斜坡发生器
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作者 刘天予 曲杨 +1 位作者 曹伉 常玉春 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第4期542-548,共7页
传统的片上全局斜坡发生器电路容易受工艺、电压和温度(PVT)的影响,导致斜坡信号易失真、线性度差;由于寄生电容的影响,片外校准的难度较大。提出了一种可以抗PVT变化,实现自适应校准斜率的斜坡发生器,采用逐次逼近算法细调和定步长搜... 传统的片上全局斜坡发生器电路容易受工艺、电压和温度(PVT)的影响,导致斜坡信号易失真、线性度差;由于寄生电容的影响,片外校准的难度较大。提出了一种可以抗PVT变化,实现自适应校准斜率的斜坡发生器,采用逐次逼近算法细调和定步长搜索法微调相结合的方式,实现对斜坡的两点校正。斜坡校准电路包括电阻型DAC、电流型DAC、逻辑控制、动态比较器等模块。仿真结果表明,自适应斜坡发生器的平均校准周期约为1.143 ms,校准后斜坡微分非线性为+0.00207/-0.00115 LSB,积分非线性为+0.6755/-0.3887 LSB,在不同PVT条件下校准电压误差小于1.5 LSB,平均功耗仅为1.155 mW,与传统斜坡发生器相比具有精度高、功耗低的优点。 展开更多
关键词 图像传感器 高速列级模数转换器 斜坡发生器 逐次逼近算法 定步长搜索算法
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