ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）研究表明，过饱和度σ处于0．005～0．04，生长温度介于293～313K之间时，晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘，晶面主要为台阶推进方式生长...ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）研究表明，过饱和度σ处于0．005～0．04，生长温度介于293～313K之间时，晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘，晶面主要为台阶推进方式生长；位错生长丘上空洞的出现与位错弹性理论相符；随过饱和度口降低，台阶形貌会发生相应变化；生长温度为298K时，台阶棱边能不小于6．2×10^-7／cm^2。展开更多
文摘ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）研究表明，过饱和度σ处于0．005～0．04，生长温度介于293～313K之间时，晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘，晶面主要为台阶推进方式生长；位错生长丘上空洞的出现与位错弹性理论相符；随过饱和度口降低，台阶形貌会发生相应变化；生长温度为298K时，台阶棱边能不小于6．2×10^-7／cm^2。
