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ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究 被引量：9
1
作者 周咏东 方家熊 +2 位作者 李言谨 龚海梅 汤定元 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期1127-1130,共4页
用Ａｒ＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面实现了ＺｎＳ的低温沉积．用Ｘ射线光电子能借（ＸＰＳ）对上述ＺｎＳ薄膜以及热蒸发ＺｎＳ薄膜中的Ｚｎ、Ｓ元素的化学环境进行了对比实验研究．实验表明：离子束溅射沉积ＺｎＳ薄膜具有很好... 用Ａｒ＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面实现了ＺｎＳ的低温沉积．用Ｘ射线光电子能借（ＸＰＳ）对上述ＺｎＳ薄膜以及热蒸发ＺｎＳ薄膜中的Ｚｎ、Ｓ元素的化学环境进行了对比实验研究．实验表明：离子束溅射沉积ＺｎＳ薄膜具有很好的组份均匀性，未探测到元素Ｚｎ、Ｓ的沉积． 展开更多
关键词 硫化锌薄膜 离子束溅射沉积 XPS HGCDTE
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线列红外焦平面中几种相关采样法分析 被引量：8
2
作者 房骏 李言谨 +1 位作者 陈新禹 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期41-46,共6页
介绍了相关双采样法（ＣＤＳ）、四δ采样、差分平均法等方法对像元复位噪声（ＫＴＣ）的抑制作用，从理论上分析了这几种方法对输入噪声的影响．将这几种方法用于线列红外焦平面，并对不同方法对噪声改善的程度进行了实验比较．
关键词 相关采样 KTC噪声 红外焦平面 CDS
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边积分边读出低噪声红外焦平面读出电路研究 被引量：11
3
作者 黄张成 黄松垒 +2 位作者 张伟 陈郁 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期297-300,304,共5页
设计了一款低噪声InGaAs焦平面读出电路.提出一种新型相关双采样电路结构,可在边积分边读出模式下有效抑制积分电容(0.15 pF)的KTC噪声.电路经0.5μm 5 V Nwell CMOS工艺流片,测试结果符合设计目标,在高帧频边积分边读出模式下工作状态... 设计了一款低噪声InGaAs焦平面读出电路.提出一种新型相关双采样电路结构,可在边积分边读出模式下有效抑制积分电容(0.15 pF)的KTC噪声.电路经0.5μm 5 V Nwell CMOS工艺流片,测试结果符合设计目标,在高帧频边积分边读出模式下工作状态良好,电路噪声约1.7×10-4 V,动态范围大于80 dB. 展开更多
关键词 红外焦平面 读出电路 边积分边读出 相关双采样
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红外焦平面可靠性封装技术 被引量：10
4
作者 龚海梅 张亚妮 +8 位作者 朱三根 王小坤 刘大福 董德平 游达 李向阳 王平 朱龙源 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期85-89,共5页
系统研究了红外焦平面组装、封装及其可靠性技术,解决了组件结构模拟、子模块精确定位、扁平引线设计、低漏率激光焊接、杜瓦内表面气体解吸分析及其解决途径等理论与技术问题,进行了组件可靠性、器件的高能粒子辐照与激光辐照等试验,... 系统研究了红外焦平面组装、封装及其可靠性技术,解决了组件结构模拟、子模块精确定位、扁平引线设计、低漏率激光焊接、杜瓦内表面气体解吸分析及其解决途径等理论与技术问题,进行了组件可靠性、器件的高能粒子辐照与激光辐照等试验,获得了一批实用化焦平面组件杜瓦和扁平引线,并均已转入工程研制.研究结果表明微型杜瓦的热负载小于250mW,真空保持寿命大于1年半. 展开更多
关键词 红外焦平面 封装 可靠性
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基于InGaAs/InP雪崩光电二极管的高速单光子探测器雪崩特性研究（英文） 被引量：10
5
作者 李永富 刘俊良 +1 位作者 王青圃 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期427-431,共5页
报道了一种基于InGaAs/InP雪崩光电二极管、1.25GHz正弦波门控及贝塞尔低通滤波器的1.25GHz高速短波红外单光子探测器.通过调整比较电路的鉴别电平,实验研究了单光子探测器雪崩信号幅度随反向直流偏压的变化.随着鉴别电平的提高,单光子... 报道了一种基于InGaAs/InP雪崩光电二极管、1.25GHz正弦波门控及贝塞尔低通滤波器的1.25GHz高速短波红外单光子探测器.通过调整比较电路的鉴别电平,实验研究了单光子探测器雪崩信号幅度随反向直流偏压的变化.随着鉴别电平的提高,单光子探测器的探测效率及暗计数率均呈指数衰减,而后脉冲概率先增大到一个峰值,然后减小.研究表明,为获得更高的性能,需要尽量降低单光子探测器的鉴别电平. 展开更多
关键词 InGaAs/InP雪崩光电二极管 单光子探测器 短波红外
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激光辐照对HgCdTe长波光导探测器性能的影响 被引量：8
6
作者 朱克学 张赟 +2 位作者 李向阳 龚海梅 方家熊 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期234-235,共2页
对 Hg Cd Te长波光导探测器进行了变功率激光辐照 ,对激光辐照前后的探测器性能进行了测试。结果表明在受到功率高于暂时损伤阈值但低于永久损伤阈值的激光辐照后 ,探测器性能有较大的下降。
关键词 激光辐照 HGCDTE光导探测器 红外探测器
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基于APD-PIN结电容平衡电路的门控单光子探测器 被引量：9
7
作者 刘俊良 李永富 +2 位作者 张春芳 王祖强 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期3181-3185,共5页
以APD-PIN结电容平衡门控猝灭电路(GPQC)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)为核心研制了可工作在宽门控频率范围下的近红外单光子探测器。门控信号为200 MHz以下任意重复频率的尖脉冲,门宽约1 ns,脉冲幅度约10 Vpp。采用与APD结电容特性... 以APD-PIN结电容平衡门控猝灭电路(GPQC)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)为核心研制了可工作在宽门控频率范围下的近红外单光子探测器。门控信号为200 MHz以下任意重复频率的尖脉冲,门宽约1 ns,脉冲幅度约10 Vpp。采用与APD结电容特性相近的PIN高频二极管研发了APD-PIN结电容平衡门控猝灭电路,可有效地抑制门控微分噪声中的低频分量,抑制比大于40 d B。采用一组简单的9阶贝塞尔型电感-电容(LC)低通滤波电路滤除残余的高频噪声分量,并使用通用的宽带射频放大器对雪崩信号进行放大。在-52℃,0.1~200 MHz门控频率条件下,10%探测效率时暗计数率、后脉冲概率分别小于6×10^(-6)/gate、1.9%,最高探测效率可达26.4%。 展开更多
关键词 单光子探测 低通滤波器 雪崩光电二极管
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利用红外焦平面调制传递函数曲线计算串音值 被引量：8
8
作者 许中华 方家熊 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2011年第4期48-51,共4页
串音使得焦平面输出信号的对比度降低,进而影响系统的调制传递函数(MTF)。随着器件的发展,用MTF来评价器件越来越受到重视;从民用领域的趋势看,MTF将逐步取代传统的串音、极限分辨率等参数。这就使得现阶段搭建串音专用测量设备处于进... 串音使得焦平面输出信号的对比度降低,进而影响系统的调制传递函数(MTF)。随着器件的发展,用MTF来评价器件越来越受到重视;从民用领域的趋势看,MTF将逐步取代传统的串音、极限分辨率等参数。这就使得现阶段搭建串音专用测量设备处于进退两难的地位。考虑到串音和MTF间的密切联系,从串音的定义和传统测量方法出发,分析了串音和MTF间存在的定量关系,指出在Nyquist频率处串音影响下的总体MTF与无串音时的总体MTF存在一最大差值;据此得出了从实测红外焦平面MTF曲线计算百分比串音值的一种新方法。 展开更多
关键词 探测器 红外焦平面阵列 串音 调制传递函数 Nyquist频率
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空间遥感用近红外InGaAs焦平面组件(英文) 被引量：8
9
作者 龚海梅 唐恒敬 +9 位作者 李雪 张可锋 李永富 李淘 宁锦华 汪洋 缪国庆 宋航 张永刚 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第4期574-582,共9页
介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μ... 介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μm的正照射和背照射256×1元InGaAs线列焦平面组件,室温下其峰值响应率分别为7.8×1011cm·Hz1/2/W和4.5×1011cm·Hz1/2/W,而且利用正照射256×1元InGaAs线列焦平面组件实现了扫描成像,图像清晰。此外,研制了光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件,其室温下峰值探测率为2.5×1010cm·Hz1/2/W。这些研究结果为下一步更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础,同时器件的性能需要进一步提高,以满足空间遥感应用的要求。 展开更多
关键词 INGAAS 焦平面组件 红外探测器 空间应用
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γ辐照室温短波HgCdTe光伏器件的导纳谱研究 被引量：7
10
作者 胡新文 赵军 +2 位作者 陆慧庆 李向阳 方家熊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期1107-1112,共6页
利用变频导纳谱研究了γ辐照前后Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０６）ｎ＋ｏｎｐ结中的深能级缺陷．辐照前其缺陷能级位置在价带上０１５ｅＶ，俘获截面σｐ＝２９×１０－１８ｃｍ２，缺陷密度Ｎｔ＝６５×１０１５... 利用变频导纳谱研究了γ辐照前后Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０６）ｎ＋ｏｎｐ结中的深能级缺陷．辐照前其缺陷能级位置在价带上０１５ｅＶ，俘获截面σｐ＝２９×１０－１８ｃｍ２，缺陷密度Ｎｔ＝６５×１０１５ｃｍ－３，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷；经过１０４Ｇｙ的γ辐照后其能级变得更深，在价带上０１９ｅＶ，同时其俘获截面增加了近一个数量级，而缺陷密度基本上没有变化．γ辐照引入的这种能级变化最终使器件的性能（探测率）下降了１／２以上． 展开更多
关键词 汞镉碲 光伏器件 Γ辐射 导纳谱
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两种结构GaN基太阳盲紫外探测器 被引量：4
11
作者 李雪 陈俊 +3 位作者 何政 赵德刚 龚海梅 方家熊 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1040-1042,共3页
分别在金属有机化学汽相沉积（MOCVD）生长的i-Al0.33Ga0.67N／AlN／n-GaN和p-Al0.45Ga0．55N／i—Al0.45Ga0.55N／n＋-Al0.65Ga0.35N的异质结构上，成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明，Au与i—Al0.33Ga0.67... 分别在金属有机化学汽相沉积（MOCVD）生长的i-Al0.33Ga0.67N／AlN／n-GaN和p-Al0.45Ga0．55N／i—Al0.45Ga0.55N／n＋-Al0.65Ga0.35N的异质结构上，成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明，Au与i—Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结，响应波长从250—290nm，峰值（286nm）响应率约为0．08A／W；PIN型紫外探测器的响应波长从230～275nm，峰值（246nm）响应率约为0．02A／W。 展开更多
关键词 太阳盲区 肖特基 PIN 紫外探测器
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新型热释电材料及其在红外探测器中的应用 被引量：6
12
作者 刘林华 罗豪甦 +5 位作者 吴啸 赵祥永 方家熊 李言瑾 邵秀梅 景为平 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期777-785,共9页
以(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3{PMNT[(1-x)/x]}为代表的大尺寸、高质量弛豫铁电单晶具有非常高的热释电系数、探测优值和较低的热扩散系数,其综合热释电性能远优于传统的热释电材料。概述了PMNT[(1-x)/x]单晶、掺锰PMNT(74/26)单晶和... 以(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3{PMNT[(1-x)/x]}为代表的大尺寸、高质量弛豫铁电单晶具有非常高的热释电系数、探测优值和较低的热扩散系数,其综合热释电性能远优于传统的热释电材料。概述了PMNT[(1-x)/x]单晶、掺锰PMNT(74/26)单晶和0.42Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.3Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.28PbTiO3[PIMNT(42/30/28)]单晶的介电性能、铁电性能和热释电性能。掺杂后PMNT(74/26)单晶的介电损耗降低到0.000 5,探测优值提高到40.2×10-5 Pa-1/2,是目前所有三方四方相变温度(TRT)高于90°C的本征热释电材料中最高的。高居里温度PIMNT(42/30/28)单晶的TRT达到152°C,且具有较高的探测优值(10.2×10-5 Pa-1/2),将在更宽温度范围内得到广泛的应用。制作了基于掺锰PMNT(74/26)单晶的单元探头,其比探测率D*达到1.07×109 cmHz1/2W-1,是目前商用LiTaO3探测器的两倍,器件性能满足实用要求。 展开更多
关键词 弛豫铁电单晶 热释电 红外探测器 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3
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不同响应波长的HgCdTe光导器件噪声分析 被引量：5
13
作者 张燕 方家熊 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1369-1373,共5页
研究了不同响应波长的HgCdTe器件在不同背景辐射条件下的噪声变化。随着背景辐射的增加,甚长波器件的噪声减小,而中波器件相反。噪声频谱测量表明,产生-复合噪声分量和1/f噪声分量是器件的主要噪声来源,并且这两个分量随背景的变化趋势... 研究了不同响应波长的HgCdTe器件在不同背景辐射条件下的噪声变化。随着背景辐射的增加,甚长波器件的噪声减小,而中波器件相反。噪声频谱测量表明,产生-复合噪声分量和1/f噪声分量是器件的主要噪声来源,并且这两个分量随背景的变化趋势相同。非平衡载流子和器件有效寿命的理论分析,表明器件噪声随背景辐射的变化存在一个极大值,而中波和甚长波器件处在不同的作用区域内,接受到的背景辐射对载流子浓度和器件有效寿命的影响不同,从而噪声变化表现不同。在此基础上,提出了"临界背景通量密度"的概念。 展开更多
关键词 中导体探测器 背景辐射 噪声 临界背景通量密度 HGCDTE
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纤锌矿GaN薄膜光学性质的研究 被引量：6
14
作者 李雪 魏彦峰 +1 位作者 龚海梅 方家熊 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期304-307,共4页
在测试大量纤锌矿GaN外延薄膜透射光谱基础上,通过对有代表性的四个样品的透射光谱进行拟合,获取了GaN外延薄膜的光学常量并计算了薄膜厚度.结果表明：GaN外延薄膜的折射率差异较小,但在370～800 nm波长范围内消光系数差异很大,GaN薄膜... 在测试大量纤锌矿GaN外延薄膜透射光谱基础上,通过对有代表性的四个样品的透射光谱进行拟合,获取了GaN外延薄膜的光学常量并计算了薄膜厚度.结果表明：GaN外延薄膜的折射率差异较小,但在370～800 nm波长范围内消光系数差异很大,GaN薄膜的消光系数差异在一定程度上可用以评价外延薄膜的质量. 展开更多
关键词 GAN 透射光谱 折射率 消光系数
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近红外线列探测器传递函数测试系统 被引量：6
15
作者 许中华 方家熊 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期32-37,共6页
器件的调制传递函数(MTF)表征了光电成像器件对空间频率的对比度传递特性,可以全面地评价其成像性能。随着器件的发展,用MTF来评价器件越来越受到重视。针对近红外InGaAs焦平面器件MTF的测试需求,搭建了一套用狭缝法测试该波段线列器件... 器件的调制传递函数(MTF)表征了光电成像器件对空间频率的对比度传递特性,可以全面地评价其成像性能。随着器件的发展,用MTF来评价器件越来越受到重视。针对近红外InGaAs焦平面器件MTF的测试需求,搭建了一套用狭缝法测试该波段线列器件MTF的系统。系统采用全反射式Offner光学结构将狭缝高质量地成像在待测器件上。成像光学结构由两块共轴的球面反射镜构成,1∶1成像,F数为4;在芯片工作波长为1.7μm时,在高达8mm×30mm的宽视场内,20lp/mm(对应尺寸25μm×25μm的芯片特征频率)处的实测MTF高于0.8,接近衍射极限。利用该系统对8元InGaAs线列探测器进行MTF测试(标称光敏元尺寸为100μm×100μm),6次重复测试得到的MTF数据的标准偏差与均值之比,在截止频率10lp/mm内小于2%,测量的相对不确定度小于4.7%。 展开更多
关键词 探测器 器件调制传递函数 近红外 INGAAS 狭缝法
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焦平面输入电路研究 被引量：6
16
作者 徐运华 张松 +2 位作者 谢文青 亢勇 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第5期555-558,共4页
在混合式焦平面阵列中,探测器和读出电路的耦合通过输入级电路实现。为分析输入电路对探测器-放大器系统性能的影响,用分立元件设计制作了一个三级的前置放大器并进行了模拟实验,实验表明放大器输入级噪声是造成探测器信噪比下降的主要... 在混合式焦平面阵列中,探测器和读出电路的耦合通过输入级电路实现。为分析输入电路对探测器-放大器系统性能的影响,用分立元件设计制作了一个三级的前置放大器并进行了模拟实验,实验表明放大器输入级噪声是造成探测器信噪比下降的主要因素,应用中应该选用具有特定噪声性能的放大器与探测器匹配。研究了焦平面中常用的直接注入(DI)和电容反馈放大电路(CTIA)与探测器耦合时在噪声、输入阻抗、工作点匹配等方面应具备的条件。提出了临界输入阻抗的概念,实验表明,当电路的输入阻抗低于此临界值时(对于GaN p!i!n光伏探测器来说约为106Ω),焦平面才能获得较高的注入效率。 展开更多
关键词 焦平面 输入电路 直接注入 电容反馈放大电路
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低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响 被引量：4
17
作者 亢勇 李雪 +4 位作者 肖继荣 靳秀芳 李向阳 龚海梅 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2005年第1期15-18,共4页
利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0... 利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0.5h的0.57eV,退火延长为1h势垒反而开始下降。分析结果表明:由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因。 展开更多
关键词 GAN 金属-半导体-金属 伏安特性 退火 肖特基势垒
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激光辐照对长波HgCdTe光导探测器电学参数的影响 被引量：6
18
作者 朱克学 张赟 +2 位作者 李向阳 龚海梅 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第1期55-59,共5页
对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照 ,测量辐照前后器件的电阻 温度特性 ,用电阻 温度特性研究材料参数的方法对实验结果进行拟合 ,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大 ,并由此计算得到探测器性能... 对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照 ,测量辐照前后器件的电阻 温度特性 ,用电阻 温度特性研究材料参数的方法对实验结果进行拟合 ,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大 ,并由此计算得到探测器性能突变后 ,器件的电子迁移率与电子浓度均有一定程度减小。 展开更多
关键词 长波HgCdTe光导探测器 激光辐照 电学参数
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“风云二号”卫星用水汽/热红外双波段探测器 被引量：1
19
作者 徐国森 方家熊 +3 位作者 朱三根 刘激鸣 邱惠国 林杏朝 《红外与激光工程》 EI CSCD 2000年第4期50-54,共5页
报导了我国第一颗静止气象卫星“风云二号”卫星多通道扫描辐射计中使用的水汽 /热红外双波段 6 .3～ 7.6 μm、10 .5～ 12 .5μm四元碲镉汞红外探测器性能。探测器工作温度T =10 0K时 ,热红外波段探测率D ( 10 .5～ 12 .5) 为 3.4×... 报导了我国第一颗静止气象卫星“风云二号”卫星多通道扫描辐射计中使用的水汽 /热红外双波段 6 .3～ 7.6 μm、10 .5～ 12 .5μm四元碲镉汞红外探测器性能。探测器工作温度T =10 0K时 ,热红外波段探测率D ( 10 .5～ 12 .5) 为 3.4× 10 10 cmHz1/2 /W ,波段响应率R( 10 .5～ 12 .5) 为 3.0× 10 4 (V/W ) ;水汽波段探测率D ( 6 .3～ 7.6 ) 为 1.1× 10 11cmHz1/2 /W ,波段响应率R( 6 .3～ 7.6 ) 为 6 .1× 10 4 (V/W )。探测器经过环境应力筛选 ,密封筛选 ,电应力筛选 ,抗太阳辐照试验 ,电子、质子辐照试验以及高真空、低温工作寿命试验 ,获得了探测器可靠性寿命数据 ,器件失效率小于 7.5× 10 - 6 /h。 展开更多
关键词 气象卫星 风云二号 双波段 红外控制器
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γ射线辐照对中波HgCdTe光导器件性能的影响 被引量：5
20
作者 胡新文 李向阳 +2 位作者 陆慧庆 龚海梅 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 1998年第6期48-51,共4页
对中波ＨｇＣｄＴｅ光电导器件用不同剂量的γ射线进行辐照，测量了其辐照前后的响应光谱、体电阻和响应率、探测率的变化。实验发现γ辐照使其峰值波长和截止波长向短波方向稍许移动；器件体电阻上升；而其响应率和探测率都有不同程度... 对中波ＨｇＣｄＴｅ光电导器件用不同剂量的γ射线进行辐照，测量了其辐照前后的响应光谱、体电阻和响应率、探测率的变化。实验发现γ辐照使其峰值波长和截止波长向短波方向稍许移动；器件体电阻上升；而其响应率和探测率都有不同程度的改善。 展开更多
关键词 Γ射线辐照 碲辐汞 光导器件 红外探测器
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