期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
金属氧化物半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究进展
被引量:
3
1
作者
霸书红
才思
雨
冯璐
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期460-470,I0008,共12页
金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在...
金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在催化领域得到了广泛应用。本文介绍了单一金属氧化物、复合金属氧化物、掺杂金属氧化物和负载型金属氧化物四类半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究现状,探讨了催化机理和影响催化效果的因素,分析得出P型金属氧化物半导体材料的禁带宽度越小,费米能级降低,逸出能越大,催化作用明显;对于N型来说,禁带宽度越大,费米能级升高,逸出能越小,催化效果越好。为了充分利用金属氧化物的优点克服其缺陷,常在金属氧化物中引入杂元素形成离子晶格缺陷和制造新的局部杂质能级以改变电子的跃迁,从而提高金属氧化物的催化性能。不论是复合金属氧化物,还是负载型金属氧化物,均存在对高氯酸铵的正协同催化效应。开发禁带宽度小的多孔纳米管P型金属氧化物、掺杂型金属氧化物和负载型金属氧化物材料仍是人们关注的重点。探索以高氯酸铵为基的核壳型复合材料、P-N结金属氧化物半导体催化材料以及探究载流子在两种半导体P-N界面间的迁移规律,有望成为提高催化效率的新途径。
展开更多
关键词
高氯酸铵
金属氧化物半导体材料
催化剂
禁带宽度
下载PDF
职称材料
N-羟甲基丙烯酰胺(NMA)对乳化基质稳定性的影响
2
作者
李汉
王树涛
+1 位作者
才思
雨
程秀莲
《科技与创新》
2017年第19期115-116,共2页
为了增强乳化基质的稳定性,在水相中添加了一种聚合物单体NMA(N-羟甲基丙烯酰胺),以乳化基质稳定性为目标,用高低温循环试验和高速离心法表征乳化基质的稳定性,确定添加工艺。实验数据结果显示,引发剂选用B种添加方式乳化基质稳定性最好...
为了增强乳化基质的稳定性,在水相中添加了一种聚合物单体NMA(N-羟甲基丙烯酰胺),以乳化基质稳定性为目标,用高低温循环试验和高速离心法表征乳化基质的稳定性,确定添加工艺。实验数据结果显示,引发剂选用B种添加方式乳化基质稳定性最好,即引发剂在精乳开始时添加;单体NMA最适用量为0.6%,单体用量为0.6%时引发剂最适用量为0.013%.
展开更多
关键词
应用化学
乳化基质
NMA
聚合稳定性
下载PDF
职称材料
题名
金属氧化物半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究进展
被引量:
3
1
作者
霸书红
才思
雨
冯璐
机构
沈阳理工大学装备工程学院
出处
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期460-470,I0008,共12页
文摘
金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在催化领域得到了广泛应用。本文介绍了单一金属氧化物、复合金属氧化物、掺杂金属氧化物和负载型金属氧化物四类半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究现状,探讨了催化机理和影响催化效果的因素,分析得出P型金属氧化物半导体材料的禁带宽度越小,费米能级降低,逸出能越大,催化作用明显;对于N型来说,禁带宽度越大,费米能级升高,逸出能越小,催化效果越好。为了充分利用金属氧化物的优点克服其缺陷,常在金属氧化物中引入杂元素形成离子晶格缺陷和制造新的局部杂质能级以改变电子的跃迁,从而提高金属氧化物的催化性能。不论是复合金属氧化物,还是负载型金属氧化物,均存在对高氯酸铵的正协同催化效应。开发禁带宽度小的多孔纳米管P型金属氧化物、掺杂型金属氧化物和负载型金属氧化物材料仍是人们关注的重点。探索以高氯酸铵为基的核壳型复合材料、P-N结金属氧化物半导体催化材料以及探究载流子在两种半导体P-N界面间的迁移规律,有望成为提高催化效率的新途径。
关键词
高氯酸铵
金属氧化物半导体材料
催化剂
禁带宽度
Keywords
ammonium perchlorate
metal oxide semiconductor material
catalyst
band gap
分类号
O614 [理学—无机化学]
TQ56 [理学—化学]
下载PDF
职称材料
题名
N-羟甲基丙烯酰胺(NMA)对乳化基质稳定性的影响
2
作者
李汉
王树涛
才思
雨
程秀莲
机构
沈阳理工大学装备工程学院
出处
《科技与创新》
2017年第19期115-116,共2页
文摘
为了增强乳化基质的稳定性,在水相中添加了一种聚合物单体NMA(N-羟甲基丙烯酰胺),以乳化基质稳定性为目标,用高低温循环试验和高速离心法表征乳化基质的稳定性,确定添加工艺。实验数据结果显示,引发剂选用B种添加方式乳化基质稳定性最好,即引发剂在精乳开始时添加;单体NMA最适用量为0.6%,单体用量为0.6%时引发剂最适用量为0.013%.
关键词
应用化学
乳化基质
NMA
聚合稳定性
分类号
TQ436.5 [化学工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属氧化物半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究进展
霸书红
才思
雨
冯璐
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
下载PDF
职称材料
2
N-羟甲基丙烯酰胺(NMA)对乳化基质稳定性的影响
李汉
王树涛
才思
雨
程秀莲
《科技与创新》
2017
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部