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基于表面织构化衬底的石墨烯边缘场发射研究 被引量：1
1
作者 成桂霖 杨健君 +2 位作者 全盛 钟健 于军胜 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期290-295,共6页
石墨烯缘于优异的导电性和丰富的电子隧穿边缘,是场发射阴极的良好材料,而CVD法是低成本制备大面积高质量石墨烯的方法,但生长出来的石墨烯平行于衬底,形貌不利于场发射的进行。为解决单层石墨烯的问题,本文提出一种激光表面织构技术提... 石墨烯缘于优异的导电性和丰富的电子隧穿边缘,是场发射阴极的良好材料,而CVD法是低成本制备大面积高质量石墨烯的方法,但生长出来的石墨烯平行于衬底,形貌不利于场发射的进行。为解决单层石墨烯的问题,本文提出一种激光表面织构技术提高石墨烯场发射性能的方法。通过激光表面织构技术,烧蚀铜箔表面,制造具有一定织构的表面形貌。通过表面织构技术结合CVD法生长石墨烯,进行表征和场发射性能测试。结果表明,相比于原样品,织构化铜箔上生长的石墨烯场发射阴极的开启电场降低了11%,场增强因子提高了170%,说明场发射边缘的利用得到了提升,为提高石墨烯场发射性能提供一种新思路。 展开更多
关键词 场发射 石墨烯边缘 激光表面织构 化学气相沉积
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