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纳米硅薄膜的电致发光和光致发光
被引量：
6
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作者
余明斌
李雪梅
+6 位作者
何宇亮
徐士杰
刘剑
罗晋生
魏希文
郑厚植
戌
霭
伦
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第12期913-916,共4页
对用ＰＥＣＶＤ方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究．在膜的纵向加直流偏压，暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象．在同一套测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱，并用Ｌａ...
对用ＰＥＣＶＤ方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究．在膜的纵向加直流偏压，暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象．在同一套测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱，并用Ｌａｍｂｄａ９紫外／可见／近红外分光光度计测量了样品的透射谱。
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关键词
纳米硅薄膜
硅薄膜
电致发光
光致发光
下载PDF
职称材料
跨世纪全光信息存储
被引量：
1
2
作者
戌
霭
伦
《薄膜科学与技术》
1994年第3期264-272,共9页
关键词
全光信息存储
信息存储
光信息
下载PDF
职称材料
题名
纳米硅薄膜的电致发光和光致发光
被引量：
6
1
作者
余明斌
李雪梅
何宇亮
徐士杰
刘剑
罗晋生
魏希文
郑厚植
戌
霭
伦
机构
北京航空航天大学非晶态物理研究室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第12期913-916,共4页
基金
国家基金
中科院半导体超晶格与微结构国家重点实验室申请课题
文摘
对用ＰＥＣＶＤ方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究．在膜的纵向加直流偏压，暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象．在同一套测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱，并用Ｌａｍｂｄａ９紫外／可见／近红外分光光度计测量了样品的透射谱。
关键词
纳米硅薄膜
硅薄膜
电致发光
光致发光
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
跨世纪全光信息存储
被引量：
1
2
作者
戌
霭
伦
出处
《薄膜科学与技术》
1994年第3期264-272,共9页
关键词
全光信息存储
信息存储
光信息
分类号
O438 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米硅薄膜的电致发光和光致发光
余明斌
李雪梅
何宇亮
徐士杰
刘剑
罗晋生
魏希文
郑厚植
戌
霭
伦
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
6
下载PDF
职称材料
2
跨世纪全光信息存储
戌
霭
伦
《薄膜科学与技术》
1994
1
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职称材料
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