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电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文)
被引量：
1
1
作者
倪鹤南
吴良才
+1 位作者
宋志棠
惠
唇
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期1-4,共4页
研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸 7 nm,密度 1.5×1012/cm2的镍纳米晶。电容随频...
研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸 7 nm,密度 1.5×1012/cm2的镍纳米晶。电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性。结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在 MOS 结构中。
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关键词
纳米晶存储器
镍纳米晶
MOS
结构
电荷存储特性
原文传递
题名
电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文)
被引量：
1
1
作者
倪鹤南
吴良才
宋志棠
惠
唇
机构
上海交通大学
绍兴文理学院
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期1-4,共4页
基金
Nature Science Foundation of Zhejiang Province of China (Y4090148)
National Nature Science Foundation of China (60776058)
文摘
研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸 7 nm,密度 1.5×1012/cm2的镍纳米晶。电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性。结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在 MOS 结构中。
关键词
纳米晶存储器
镍纳米晶
MOS
结构
电荷存储特性
Keywords
nanocrystal memory
Ni NCs
MOS structure
charge storage properties
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文)
倪鹤南
吴良才
宋志棠
惠
唇
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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