808nm大功率半导体激光器腔面光学膜工艺 被引量：9

1

作者 舒雄文 徐晨 +2 位作者 徐遵图 朱彦旭 沈光地 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期571-575,共5页

用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了 SiO2/TiO2 高反膜及 SiO2 或 Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由 0 7 提高到 1 24),而且可在一定范围内调节阈值电流密度,器件寿命也有很大提高... 用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了 SiO2/TiO2 高反膜及 SiO2 或 Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由 0 7 提高到 1 24),而且可在一定范围内调节阈值电流密度,器件寿命也有很大提高.对这种方法所镀制的 SiO2/TiO2 膜用作 808nm半导体激光器高反膜的可行性进行了分析和探讨,认为是一种可行的方法. 展开更多

关键词 离子辅助镀膜(IAD) 阈值电流密度 微分量子效率

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MBE生长高质量GaAs／AlGaAs量子阱激光器 被引量：8

2

作者 杨国文 肖建伟 +5 位作者 徐遵图 张敬明 徐俊英 郑婉华 曾一平 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第9期650-654,共5页

我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流密度（平均值）分别为２９０Ａ／ｃｍ２... 我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流密度（平均值）分别为２９０Ａ／ｃｍ２和２４０Ａ／ｃｍ２．腔长在１２００μｍ的双量子阱激光器的阈电流密度低达１９０Ａ／ｃｍ２．对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型（８０μｍ）．激光器，线性输出功率高达１．８２Ｗ；出光面的斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ；利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达８ｍＡ，且具有非常好的均匀性． 展开更多

关键词 量子阱激光器 砷化镓 分子束外延

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垂直腔面发射激光器温度特性的研究 被引量：7

3

作者 渠红伟 郭霞 +4 位作者 董立闽 邓军 达小丽 徐遵图 沈光地 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期83-86,共4页

借助于SV-32低温恒温器及LD2002C5 VCSEL测试系统,对内腔接触式氧化物限制型垂直腔面发射激光器进行了变温实验研究,测得在-10℃～70℃温度范围内,器件输出光功率、电压、斜率效率、发射波长和阈值电流随温度变化的实验曲线,并结合不同... 借助于SV-32低温恒温器及LD2002C5 VCSEL测试系统,对内腔接触式氧化物限制型垂直腔面发射激光器进行了变温实验研究,测得在-10℃～70℃温度范围内,器件输出光功率、电压、斜率效率、发射波长和阈值电流随温度变化的实验曲线,并结合不同温度下VCSEL反射谱和增益谱的模拟结果,对实验曲线进行了很好的分析和解释.估算了连续工作状态下研制的InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器内部温升值,而且还得到了现有工艺条件下满足最低室温工作阈值的谐振腔谐振波长与增益谱峰值波长. 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器 增益谱 谐振腔 反射谱 温度

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AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验 被引量：6

4

作者 张敬明 陈良惠 +5 位作者 曾安 肖建伟 徐俊英 杨国文 李文康 徐遵图 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期67-74,共8页

本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的... 本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的偏振光增益谱.理论与实验进行了比较. 展开更多

关键词 半导体 激光器 光增益 矩阵理论

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窄发散角量子阱激光器的结构设计与分析 被引量：3

5

作者 杨国文 徐俊英 +3 位作者 张敬明 徐遵图 陈良惠 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期500-505,共6页

本文对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析，提出了实现２０°～３０°垂直发散角的有效途径，并同时研究了对激光器的光功率限制因子、阈值电流密度等重... 本文对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析，提出了实现２０°～３０°垂直发散角的有效途径，并同时研究了对激光器的光功率限制因子、阈值电流密度等重要参数的影响． 展开更多

关键词 砷化镓 ALGAAS 量子阱激光器 结构设计 激光器

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Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律 被引量：6

6

作者 董立闽 郭霞 +6 位作者 渠红伟 杜金玉 邹德恕 廉鹏 邓军 徐遵图 沈光地 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期197-201,共5页

为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出... 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型 ,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合 .同时 ,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象 .运用这些规律 ,将氧化长度的精度控制在 0 5 μm内 。 展开更多

关键词 VCSEL ALGAAS 湿法氧化

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低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器 被引量：2

7

作者 徐遵图 杨国文 +6 位作者 肖建伟 徐俊英 张敬明 郑婉华 瞿伟 陈良惠 毕可奎 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期598-602,共5页

本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为... 本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平． 展开更多

关键词 量子进激光器 背形波导 砷化镓 ALGAAS

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低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器 被引量：2

8

作者 徐遵图 徐俊英 +5 位作者 杨国文 张敬明 陈昌华 何晓曦 陈良惠 沈光地 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期321-324,共4页

利用分子束外延技术，生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器．在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A／cm2，在腔长为2000μm时是113A／cm2，这样低的阈值电流密度是目... 利用分子束外延技术，生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器．在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A／cm2，在腔长为2000μm时是113A／cm2，这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值．激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm－1和84％． 展开更多

关键词 量子阱激光器 分子束外延 低阈值电流密度

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980nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件 被引量：2

9

作者 徐遵图 徐俊英 +4 位作者 杨国文 张敬明 肖建伟 陈良惠 沈光地 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期873-876,共4页

利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8 W/A,线性输出功率大于150mW,基横模输出功率可达100mW.InGaAs应变量子阱激光器和单模... 利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8 W/A,线性输出功率大于150mW,基横模输出功率可达100mW.InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合,其组合件出纤光功率典型值为40mW,最大值可达60mW.显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率.其组合件在40～60mW下,中心发射波长在977nm.满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求,成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器. 展开更多

关键词 应变层 量子阱 半导体激光器

原文传递

GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计 被引量：3

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作者 张敬明 徐俊英 +6 位作者 肖建伟 徐遵图 李立康 杨国文 曾安 钱毅 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第8期463-468,共6页

本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光... 本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法. 展开更多

关键词 量子阱 激光器 结构设计 波长 阈值

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808nm大功率半导体量子阱激光器锁相列阵 被引量：3

11

作者 肖建伟 杨国文 +7 位作者 徐俊英 徐遵图 张敬明 庄芳婕 李秉臣 毕可奎 郑婉华 陈良惠 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1994年第1期9-12,共4页

在材料研究和器件特性分析的基础上，采用分子束外延方法（ＭＢＥ），成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）大功率半导体激光器锁相列阵，最大线性输出功率为１... 在材料研究和器件特性分析的基础上，采用分子束外延方法（ＭＢＥ），成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）大功率半导体激光器锁相列阵，最大线性输出功率为１．５Ｗ（室温，连续），激射波长８０８±４ｎｍ，光－电转换效率最高达６２％，器件寿命考核（２５℃，ＣＷ）超过１０００小时无明显退化。 展开更多

关键词 量子阱激光器 锁相列阵

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915-980nm应变量子阱激光器新进展

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作者 徐遵图 张敬明 +5 位作者 马骁宇 刘素平 刘忠顺 方高瞻 肖建伟 陈良惠 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期293-296,共4页

报道了915～980nm半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2～2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发射角分别为70和230,组合件输出功率大于150mW。

关键词 应变量子阱激光器 半导体激光器 输出功率

原文传递

高质量GaAs－AlGaAs材料MBE生长研究及其应用 被引量：2

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作者 杨国文 肖建伟 +5 位作者 徐遵图 郑婉华 曾一平 徐俊英 张敬明 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期627-631,共5页

通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材料，实现了７５ｍｍ大面积范围内的厚度、组分和... 通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材料，实现了７５ｍｍ大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性．研制了高质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱超晶格材料，并应用于量子阱激光器材料的研制，获得了具有极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的高质量量子阶激光器外延材料． 展开更多

关键词 砷化镓 砷镓化铝 分子束外延生长 超晶格

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InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的可靠性 被引量：1

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作者 杨国文 徐俊英 +2 位作者 徐遵图 张敬明 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期278-283,共6页

利用分子束外延方法研制的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料制备了窄条型脊型波导结构量子阱激光器件．通过对其５０℃高温加速老化，检测了器件的可靠性，并对器件中存在的三种典型退化行为，即快速退化、慢退化和... 利用分子束外延方法研制的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料制备了窄条型脊型波导结构量子阱激光器件．通过对其５０℃高温加速老化，检测了器件的可靠性，并对器件中存在的三种典型退化行为，即快速退化、慢退化和端面光学灾变损伤进行了分析与研究． 展开更多

关键词 应变量子阱 激光器 结构 可靠性 分子束外延

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MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究

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作者 廉鹏 邹德恕 +8 位作者 高国 殷涛 陈昌华 徐遵图 陈建新 沈光地 曹青 马骁宇 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期44-50,共7页

利用低压金属有机化合物汽相淀积方法，以液态ＣＣｌ４ 为掺杂源生长了高质量的碳掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ外延材料，研究了ＣＣｌ４ 流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响．采用电化学ＣＶ 方法、范德堡... 利用低压金属有机化合物汽相淀积方法，以液态ＣＣｌ４ 为掺杂源生长了高质量的碳掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ外延材料，研究了ＣＣｌ４ 流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响．采用电化学ＣＶ 方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和Ｘ射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究．实验制备了空穴浓度高达１．９×１０２０ｃｍ － ３的碳掺杂ＧａＡｓ 外延材料和低温光致发光谱半宽小于５ｎｍ 的高质量碳掺杂Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ 外延层．在材料研究的基础上，我们以碳为Ｐ型掺杂剂生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ应变量子阱９８０ｎｍ 大功率半导体激光器结构，并获得了室温连续工作１Ｗ 以上的光功率输出． 展开更多

关键词 GAAS/ALGAAS MOCVD 碳掺杂 砷化镓

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掩埋结构激光器的生长研究 被引量：1

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作者 杨国文 肖建伟 +3 位作者 徐遵图 徐俊英 张敬明 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期670-675,T001,共7页

本文对GaAs/GaAlAs系掩埋结构的外延生长工艺进行了十分细致的研究,并就生长特性和生长形貌等作了较全面的分析。将此外延生长技术运用于体材料结构或量子阱结构的一次外延片,均获得了具有极低阈值,性能优越的半导体激光器件。

关键词 半导体激光器 掩埋结构 异质结

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量子阱激光二极管泵浦单块Nd∶YLF激光器 被引量：1

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作者 沈小华 周复正 +6 位作者 马建伟 薛强 林尊琪 肖建伟 徐俊英 张敬明 徐遵图 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期251-255,共5页

用多量子阱激光二极管列阵(MQW-LDA)泵浦单块Nd:YLF激光器,脉冲工作,获得1.047μm的线偏光输出。阈值泵浦功率6.8mW,斜率效率为24％,输出脉冲能量达6.7μJ;用增益开关获得50mW的峰值功率输出。理论计算了泵浦阈值、斜率效率,获得了增益... 用多量子阱激光二极管列阵(MQW-LDA)泵浦单块Nd:YLF激光器,脉冲工作,获得1.047μm的线偏光输出。阈值泵浦功率6.8mW,斜率效率为24％,输出脉冲能量达6.7μJ;用增益开关获得50mW的峰值功率输出。理论计算了泵浦阈值、斜率效率,获得了增益开关的数值解结果,与实验基本一致。 展开更多

关键词 量子阱 激光二极管 ND:YLF激光器

原文传递

在脊形波导级联双区量子阱激光器中皮秒光脉冲的产生 被引量：1

18

作者 张敬明 徐遵图 +5 位作者 杨国文 郑婉华 李世祖 肖建伟 徐俊英 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期321-327,共7页

本文讨论脊形波导级联双区增益（或Ｑ）开关ＭＢＥ生长量子阱皮秒激光器的工作原理和实验，测得的脉冲半峰竞ＦＷＨＭ＜６０ｐｓ，与理论值符合很好．

关键词 量子阱激光器 皮秒光脉冲产生 激光器 波导

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低阈值掩埋异质结构AlGaAs激光器 被引量：1

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作者 杨国文 肖建伟 +3 位作者 徐遵图 徐俊英 张敬明 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第7期445-449,共5页

本文报道了GaAs/GaAlAs材料低阈值掩埋异质结(BH)半导体激光器的研究成果。利用液相外延技术对一次外延生长双异质结构激光器,二次外延生长掩埋异质结构激光器进行了十分系统的工艺实验。通过结构设计的优化和工艺技术的改进与完善,达... 本文报道了GaAs/GaAlAs材料低阈值掩埋异质结(BH)半导体激光器的研究成果。利用液相外延技术对一次外延生长双异质结构激光器,二次外延生长掩埋异质结构激光器进行了十分系统的工艺实验。通过结构设计的优化和工艺技术的改进与完善,达到了预期的极低阈值的结果。一次外延的宽接触阈值电流密度一般均低于1000A/cm^2,最低达675A/cm^2,经过二次外延的掩埋制作,器件的阈值电流低于10mA,最低可达4mA。这是国内报道的同类激光器最好水平。 展开更多

关键词 半导体激光器 异质结构 掩埋

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量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响 被引量：1

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作者 张敬明 徐遵图 +6 位作者 杨国文 郑婉华 钱毅 李世祖 肖建伟 徐俊英 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第9期655-658,共4页

计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器... 计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器阈电流温度关系．计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象，并且与器件温度特性符合． 展开更多

关键词 量子阱放大器 光增益 激射特性 温度

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