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基于共模电平偏移电路新型CMOS低电压满幅度运放设计 被引量:9
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作者 林越 +1 位作者 任俊彦 许俊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期529-534,共6页
针对电源电压为 1V甚至更低的应用环境 ,给出了一种基于共模电平偏移电路的新型 rail- to- rail运放结构 ,相对以往同类电路具有很好的对称性和较高的输入阻抗 ,并对之进行了详细的讨论 .在整个共模输入电压范围内 ,其单位增益带宽随共... 针对电源电压为 1V甚至更低的应用环境 ,给出了一种基于共模电平偏移电路的新型 rail- to- rail运放结构 ,相对以往同类电路具有很好的对称性和较高的输入阻抗 ,并对之进行了详细的讨论 .在整个共模输入电压范围内 ,其单位增益带宽随共模电压变化仅为 0 .0 5 % . 展开更多
关键词 CMOS RAIL-TO-RAIL 共模电平偏移电路 运算放大器 低电压
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一种3.3V2-GHz CMOS低噪声放大器 被引量:6
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作者 杨柯 赵晖 +1 位作者 任俊彦 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期322-325,共4页
 介绍了一个针对无线通讯应用的2-GHz低噪声放大器(LNA)的设计。该电路采用标准的0.6μmCMOS工艺,电源电压为3.3V,设计中使用了多个片上电感。对低噪声放大器的噪声进行了分析,模拟结果显示,该电路能提供18dB的正向增益(S21)及良好的...  介绍了一个针对无线通讯应用的2-GHz低噪声放大器(LNA)的设计。该电路采用标准的0.6μmCMOS工艺,电源电压为3.3V,设计中使用了多个片上电感。对低噪声放大器的噪声进行了分析,模拟结果显示,该电路能提供18dB的正向增益(S21)及良好的反向隔离性能(S12为-44dB),功耗为33.94mW,噪声系数为2.3dB,IIP3为-4.9dBm。 展开更多
关键词 低噪声放大器 片上电感 噪声系数
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恒电压增益的低电压Rail-to-Rail运算放大器 被引量:3
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作者 林越 任俊彦 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期246-251,共6页
基于 Alcatel的 0 .3 5μm标准 CMOS工艺 (VT=0 .6 5 V) ,模拟实现了工作电压低达 1 .8V、电压增益偏差仅为 3 % (整个输入共模偏置电压范围内 )的运算放大器 ;电路的设计也避免了差分输入对中 PMOS管和 NMOS管的 W/L的严格匹配 ,增强... 基于 Alcatel的 0 .3 5μm标准 CMOS工艺 (VT=0 .6 5 V) ,模拟实现了工作电压低达 1 .8V、电压增益偏差仅为 3 % (整个输入共模偏置电压范围内 )的运算放大器 ;电路的设计也避免了差分输入对中 PMOS管和 NMOS管的 W/L的严格匹配 ,增强了电路对工艺的坚固性。对输入差分对偏置电流的控制电路、差分输入对的有源负载和 AB类 Rail- to- Rail输出级进行了整体考虑 ,确保电压增益恒定的新型结构 ,使该运放在 2 V电源电压下 ,电压增益达到 80 d B(1 0 kΩ 电阻和 1 0p F电容并联负载 ) ,单位增益带宽为 1 2 MHz,相位裕量 展开更多
关键词 运算放大器 模拟集成电路 Rail-to-rail放大器 恒电压增益
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低电压满电源幅度CMOS运算放大器设计 被引量:4
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作者 林越 +3 位作者 杨柯 程旭 任俊彦 许俊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期373-380,共8页
回顾了在标准 CMOS工艺下 ,满幅度运放设计的各个发展阶段 ,结合笔者实际设计和测试的相关电路 ,较为详细地评述了它们的设计方法和各自的优缺点 ,着重阐述了低工作电压设计思想和如何做到输入级跨导的满幅度范围内恒定 ,使读者清楚了... 回顾了在标准 CMOS工艺下 ,满幅度运放设计的各个发展阶段 ,结合笔者实际设计和测试的相关电路 ,较为详细地评述了它们的设计方法和各自的优缺点 ,着重阐述了低工作电压设计思想和如何做到输入级跨导的满幅度范围内恒定 ,使读者清楚了解该类运放的各自特点和发展趋势 ,为数模混合设计和系统级集成设计中采用何种运放结构提供了参考。在此基础上 ,提出了一种共模偏置电压具有严格的对称性能的新型满电源幅度运算放大器结构。 展开更多
关键词 满电源幅度 运算放大器 低电压 CMOS
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电源自适应Rail-to-RailCMOS运算放大器 被引量:1
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作者 程旭 陈诚 +2 位作者 任俊彦 许俊 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期335-339,共5页
基于 CSMC 0 .6μm标准 CMOS工艺 ,实现了一种电源自适应 Rail- to- Rail CMOS运算放大器 ,其输入级从原理上变“被动地”适应低电压为“主动地”要求低电压。当外部电源电压在 2 .1V到 3.2 V变化时 ,内部电源电压稳定在 1 .68V,最大偏... 基于 CSMC 0 .6μm标准 CMOS工艺 ,实现了一种电源自适应 Rail- to- Rail CMOS运算放大器 ,其输入级从原理上变“被动地”适应低电压为“主动地”要求低电压。当外部电源电压在 2 .1V到 3.2 V变化时 ,内部电源电压稳定在 1 .68V,最大偏差为 5 .4%。这样 ,内部电源电压自适应地稳定在“相交条件”,实现了输入级的跨导 Gm 为常数 :在整个共模 ( CM)电压变化范围内 ,输入级跨导的最大变化为 9%。Rail- to- rail输出级用两个折叠网格和 AB类反馈控制结构实现 ,使输出级的最低电源电压降到 Vgs+ 2 Vds,并使输出静态电流最小。 展开更多
关键词 电源自适应 RAIL-TO-RAIL CMOS 运算放大器 模拟集成电路
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A 5mW 1.8V Low Over-Sampling Ratio ΣΔ Modulator with 81dB Dynamic Range 被引量:2
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作者 赵晖 +2 位作者 王照钢 任俊彦 闵昊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期12-18,共7页
This work demonstrates that the ΣΔ modulator with a low oversampling ratio is a viable option for the high-resolution digitization in a low-voltage environment.Low power dissipation is achieved by designing a low-OS... This work demonstrates that the ΣΔ modulator with a low oversampling ratio is a viable option for the high-resolution digitization in a low-voltage environment.Low power dissipation is achieved by designing a low-OSR modulator based on differential cascade architecture,while large signal swing maintained to achieve a high dynamic range in the low-voltage environment.Operating from a voltage supply of 1.8V,the sixth-order cascade modulator at a sampling frequency of 4-MHz with an OSR of 24 achieves a dynamic range of 81dB for a 80-kHz test signal,while dissipating only 5mW. 展开更多
关键词 ∑△ modulator low over sampling ratio low power low voltage
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SSN研究及其在VLSI设计流程中的应用 被引量:2
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作者 郭新伟 +2 位作者 志伟 林越 任俊彦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1471-1474,共4页
本文详述了同步开关噪声 (SSN)影响VLSI电路可靠性的一个主要因素 :芯片 封装界面的寄生电感 .根据在芯片中插入电源 /地线引脚 ,减小芯片 封装界面的寄生电感的思想 ,提出一种简便有效的基于SSN性能的输出驱动器优化布局方法并将之集... 本文详述了同步开关噪声 (SSN)影响VLSI电路可靠性的一个主要因素 :芯片 封装界面的寄生电感 .根据在芯片中插入电源 /地线引脚 ,减小芯片 封装界面的寄生电感的思想 ,提出一种简便有效的基于SSN性能的输出驱动器优化布局方法并将之集成到VLSI设计流程中 .用 0 6微米CMOS工艺进行了验证 .结果表明 :该优化设计可有效降低SSN对VLSI电路可靠性的影响 . 展开更多
关键词 同步开关噪声 超大规模集成电路 电子设计自动化 设计流程
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Design of a CMOS Current-Adjustable Charge-Pump Circuit Insensitive to Power Supply and Temperature
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作者 赵晖 +3 位作者 潘莎 杨柯 任俊彦 章倩苓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期260-265,共6页
A CMOS charge-pump circuit with adjustable current is presented.A bandgap voltage reference,a low drop-out regulator,and a capacitive DC-DC voltage-booster are used to generate supply voltage for the current reference... A CMOS charge-pump circuit with adjustable current is presented.A bandgap voltage reference,a low drop-out regulator,and a capacitive DC-DC voltage-booster are used to generate supply voltage for the current reference.This generated voltage is insensitive to the changes of external power supply voltage and temperature,while the current reference itself is insensitive to temperature.The circuit is designed in 0.18μm 1.8V standard digital CMOS process.The simulated results show that the performance of the circuit is satisfied. 展开更多
关键词 current-adjustable charge-pump bandgap low drop-out regulator DC-DC voltage-booster
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用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的新电路
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作者 郭新伟 +1 位作者 志伟 任俊彦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1075-1080,共6页
提出了一种新的用于测试 CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构 .它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效 ,从而排除了测试时复杂的芯片 -封装界面的影响 .这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标 ,... 提出了一种新的用于测试 CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构 .它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效 ,从而排除了测试时复杂的芯片 -封装界面的影响 .这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标 ,还可以用于研究 VL SI电路中的同步开关噪声问题 .该设计方法在新加坡特许半导体公司的 0 .6μm CMOS工艺线上进行了流片验证 .测试结果表明 ,这一测试结构能有效地表征 CMOS输出驱动器的电流变化率的性能指标和 VL 展开更多
关键词 输出驱动器 电流变化率 CMOS VLSI 集成电路
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