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题名基于STM32H7的ADC静态参数测量系统设计
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作者
丁光洲
高宁
徐晴昊
徐忆
李辉
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《电子与封装》
2024年第8期21-24,共4页
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文摘
国内的数字电源已经成为电源类芯片中不可或缺的产品,其内部反馈控制回路中的模数转换器(ADC)芯片精度直接影响整个电源输出的精度和稳定性。ADC静态参数——积分非线性(INL)与微分非线性(DNL)——是评价ADC精度的重要指标,目前国内针对数字电源中ADC的静态参数测试的设备操作复杂、成本高,缺乏相应的灵活性,因此设计一种低成本、易操作的静态参数测试系统尤为重要。设计了一种基于STM32H7的ADC静态参数测试系统,通过试验验证了测试系统的准确性和可行性。
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关键词
ADC
测试系统
数字电源
静态参数
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Keywords
ADC
test system
digital power supply
static parameter
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分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名高精度分段线性补偿基准电压源
被引量：4
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作者
奚冬杰
徐晴昊
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《电子技术应用》
2022年第3期41-44,共4页
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基金
国家青年科学基金资助项目(61704161)。
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文摘
介绍了一种新型电压基准电路,基于分段线性补偿方式设计了一种高精度基准电压源。利用与温度成正比的电流(IPTAT)和与温度成反比的电流(ICTAT)做差,从而获得用于基准电压源曲率补偿的分段线性电流。将电路整个工作温度区间分为两段,利用分段线性电流完成补偿,且增加三极管基极电流补偿技术,最终得到高精度的基准输出电压。仿真结果表明,在-55℃~125℃温度范围时,基准电压源温度系数为1.208×10-6/℃,低频时电源抑制比低于-88 dB。当电源电压从2.5 V升至5 V时,线性调整率为0.108 mV/V。
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关键词
基准电压
分段线性补偿
温度系数
电源抑制比
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Keywords
voltage reference
piecewise linear compensation
temperature coefficient
PSRR
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分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种快速瞬态响应片上LDO电路
- 3
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作者
徐晴昊
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《电子技术应用》
2023年第3期67-71,共5页
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文摘
基于双有源反馈米勒补偿结构设计了一种单极点系统的无电容片上低压差线性稳压器,该线性稳压器中误差放大器采用全差分结构,两个并联的前馈通路可在提升电路瞬态响应性能的同时额外在功率管栅端构成推挽驱动级,最终电路在轻重载时具有对称的瞬态响应特性。基于TSMC 0.18μm BCD工艺仿真结果表明,在2 V~4 V电源电压下,输入输出最小压差为200 mV,最大负载电流为120 mA,瞬态响应恢复时间≤0.7μs,相位裕度≥60°。
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关键词
低压差线性稳压器
无片外电容
快速瞬态响应
频率补偿
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Keywords
LDO
capacitor-less
fast transient response
frequency compensation
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分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于CMOS阈值电压设计的电压基准源
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作者
徐晴昊
奚冬杰
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《电子技术应用》
2023年第1期32-35,共4页
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文摘
基于TSMC 0.18μm标准CMOS工艺,提出了一种新型无电阻低温漂电压基准源。通过采用CMOS阈值电压(Vth)和与温度成正比的电压(VPTAT)作为基础线性温度单元加权求和的方式,消除了电压基准源输出中残留的非线性温度分量,最终得到高精度的电压基准输出。其中CMOS阈值电压由无电阻结构产生,VPTAT的产生和与CMOS阈值电压的加权求和由非对称差分运放完成。实测结果证明,在-55℃~125℃温度范围内,电压基准源输出为1.23 V,温度系数为4.5 ppm/℃。在无滤波电容的情况下,基准电源抑制比可达-93 dB。
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关键词
电压基准
阈值电压
温度系数
电源抑制比
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Keywords
voltage reference
threshold voltage
temperature coefficient
PSRR
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分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名功率级电流路径对电源管理芯片评估的影响
被引量：1
- 5
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作者
顾小明
李欢
徐晴昊
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《电子与封装》
2022年第8期14-19,共6页
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文摘
在测试和应用电源管理芯片时经常会遇到在重载大电流情况下电源管理芯片不能完全正常或者保持高性能地工作,导致需要花费大量的时间和精力调试修改电源供给系统的设计。从两类常见的DC-DC电源功率级拓扑结构开始阐述,重点关注功率级的电流路径对电源管理芯片测试和应用的影响,并给出几点实际应用的建议。
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关键词
电源管理芯片
导线阻抗
参考电位点
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Keywords
power management chip
lead impedance
reference point
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名抗辐射LDO单粒子效应的测控系统设计与实现
被引量：1
- 6
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作者
李欢
顾小明
徐晴昊
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《电子与封装》
2022年第11期32-35,共4页
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文摘
随着低压差线性稳压器(LDO)在航空、航天等领域的广泛应用,其抗单粒子能力的指标也愈发重要。为了实现实时监测LDO器件同粒子下发生的单粒子效应,设计了针对LDO器件在不同粒子下的单粒子效应测试方法并构建了一种高速、多通道数据采集测控系统。系统以NI工控机为核心,通过PXIe总线外接程控仪器的方式,可测量的最高信号频率达到60 MHz。该系统支持远程数据传输,可实时监测LDO器件在单粒子辐照下的功耗性能,满足单粒子效应试验需求,为LDO器件的单粒子效应研究提供数据参考。
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关键词
低压差线性稳压器
单粒子效应
测试系统
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Keywords
low dropout linear regulator
single event effect
testing system
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分类号
TN431.1
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种无电阻高精度基准电压源
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作者
奚冬杰
徐晴昊
罗永波
宣志斌
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第5期618-622,共5页
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基金
国家青年科学基金资助项目(61704161)
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文摘
基于TSMC 0.18μm BCD工艺,设计了一种无电阻高精度基准电压源。利用具有高阶温度系数的电流消除VBE温度系数中的非线性项,对输出基准电压实现高阶补偿。与传统无电阻基准电压源中MOS管工作于亚阈值区不同,电路中的MOS管均工作于强反型区,具有更高的仿真模型精度。仿真结果表明,当温度在-55℃~125℃范围变化时,该基准电压源的温度系数为8.5×10-7/℃。在无滤波电容的情况下,电源抑制比可达-80dB。当电源电压在2.5~5V范围变化时,线性调整率小于0.3mV/V。
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关键词
基准电压
无电阻
高阶温度补偿
线性调整率
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Keywords
voltage reference source
resistorless
high order temperature compensation
line regulation
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分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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