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晶格不具备五度及六度以上对称轴的证明 被引量：1
1
作者 徐婉棠 《大学物理》 北大核心 1996年第8期34-35,共2页
对传统的证明晶格不存在五度及六度以上对称轴的方法提出异议，并提供了另一种证明方法．
关键词 晶格 点群 对称元素
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EL2能级和光电离截面的计算
2
作者 王传奎 徐婉棠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第12期896-905,共10页
我们采用EHT法计算了EL2缺陷模型的电子能级及其波函数,集团包含41个原子,用群论方法约化久期行列式。同时计算了该缺陷能级的光电离截面,计算结果与实验结果相符。
关键词 砷化镓 EL2能级 光电离截面 计算
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Ge中热空穴输运的格林函数方法
3
作者 唐刚 徐婉棠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期182-192,共11页
1985年X.L.Lei(雷啸林)和C.S.Ting(丁秦生)提出了热电子输运的格林函数方法,本文则是把他们的方法推广应用到非球形的扭曲等能面的情况,计算了半导体Ge中的热空穴在晶格温度T=77K,190K和300K时,场强在20V·cm^(-1)≤E≤10~4·V&... 1985年X.L.Lei(雷啸林)和C.S.Ting(丁秦生)提出了热电子输运的格林函数方法,本文则是把他们的方法推广应用到非球形的扭曲等能面的情况,计算了半导体Ge中的热空穴在晶格温度T=77K,190K和300K时,场强在20V·cm^(-1)≤E≤10~4·V·cm^(-1),电场方向分别沿<100>方向和<111>方向的空穴漂移速度和热电子温度,得到了与实验比较相符的结果,并对重空穴能带的非二次性效应对漂移速度的影响也进行了初步的计算和讨论。 展开更多
关键词 Ge 输运 格林函数 热电子 半导体
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超突变P—n结的容——压特性
4
作者 徐婉棠 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1980年第1期57-67,共11页
一、引言任何一个P—n结都具有电容效应,其电容均随外加电压而变。超突变P—n结的电容灵敏地依赖于反向电压,因此,其电容一电压指数n大于突变结。超突变结变容二极管是用超突变P—n结构成的器件,它作为一个可变电容器而用于调谐电路中... 一、引言任何一个P—n结都具有电容效应,其电容均随外加电压而变。超突变P—n结的电容灵敏地依赖于反向电压,因此,其电容一电压指数n大于突变结。超突变结变容二极管是用超突变P—n结构成的器件,它作为一个可变电容器而用于调谐电路中。近十几年来,由于这种用变容管作调谐元件的电调技术迅速发展,促使人们对超突变P—n结的容—压特性进行广泛、深入的研究。研究工作大体上从两方面进行。 展开更多
关键词 超突变结 变容二极管 电容效应 容管 反向电压 外加电压 电调 杂质分布 反向偏压 外延层
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