期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
功率VMOSFET优值Ron／BV的温度特性
1
作者
潘志斌
徐国
怡
《半导体杂志》
1991年第4期5-10,共6页
关键词
VMOSFET
温度特性
计算
击穿电压
下载PDF
职称材料
题名
功率VMOSFET优值Ron／BV的温度特性
1
作者
潘志斌
徐国
怡
出处
《半导体杂志》
1991年第4期5-10,共6页
关键词
VMOSFET
温度特性
计算
击穿电压
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
功率VMOSFET优值Ron／BV的温度特性
潘志斌
徐国
怡
《半导体杂志》
1991
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
