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GaAs半导体薄膜电沉积的研究
被引量：
1
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作者
杨春晖
徐
吾
生
+4 位作者
韩岩
杨兆明
韩爱珍
叶水驰
高元凯
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期110-113,共4页
利用改进试验装置 ,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法 ,电沉积制备出 Ga As薄膜。扫描电镜和 X射线衍射仪测试结果表明 ,薄膜成分更接近化学计量比 1∶ 1,各次试验数值分散性小 ,厚薄均匀。
关键词
GaAs薄膜
电沉积
添加剂
半导体薄膜
下载PDF
职称材料
Ga_xAl_(1-x)As三元化合物共沉积研究
2
作者
杨春晖
徐
吾
生
+1 位作者
韩岩
韩爱珍
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1999年第3期224-226,共3页
在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸，电共沉积ＧａｘＡｌ１－ｘＡｓ三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析，获得化学计量比接近Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ的三元化合物半导体材料。
关键词
GaAlAs化合物
电沉积
络合剂
半导体材料
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职称材料
题名
GaAs半导体薄膜电沉积的研究
被引量：
1
1
作者
杨春晖
徐
吾
生
韩岩
杨兆明
韩爱珍
叶水驰
高元凯
机构
哈尔滨工业大学应用化学系
哈尔滨工业大学航天学院
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期110-113,共4页
文摘
利用改进试验装置 ,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法 ,电沉积制备出 Ga As薄膜。扫描电镜和 X射线衍射仪测试结果表明 ,薄膜成分更接近化学计量比 1∶ 1,各次试验数值分散性小 ,厚薄均匀。
关键词
GaAs薄膜
电沉积
添加剂
半导体薄膜
Keywords
GaAs films,electrodeposition,additives
分类号
TN304.230 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Ga_xAl_(1-x)As三元化合物共沉积研究
2
作者
杨春晖
徐
吾
生
韩岩
韩爱珍
机构
哈尔滨工业大学应用化学系
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1999年第3期224-226,共3页
文摘
在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸，电共沉积ＧａｘＡｌ１－ｘＡｓ三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析，获得化学计量比接近Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ的三元化合物半导体材料。
关键词
GaAlAs化合物
电沉积
络合剂
半导体材料
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
GaAs半导体薄膜电沉积的研究
杨春晖
徐
吾
生
韩岩
杨兆明
韩爱珍
叶水驰
高元凯
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
下载PDF
职称材料
2
Ga_xAl_(1-x)As三元化合物共沉积研究
杨春晖
徐
吾
生
韩岩
韩爱珍
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1999
0
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职称材料
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