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^(252)Cf放射性同位素中子源辐照杀灭炭疽杆菌的理论研究 被引量:1
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作者 刘滨 +1 位作者 王凯 胡文超 《中国消毒学杂志》 CAS 北大核心 2012年第4期284-287,共4页
目的研究252Cf放射性同位素中子源辐照杀菌的可能性。方法通过MCNP模拟计算方法,推算其所使用的模型,计算出252Cf中子辐射杀灭炭疽杆菌芽孢的辐照剂量和辐照时间。结果经MCNP理论模拟研究,建立了MCNP模拟252Cf中子源产生的中子辐射消毒... 目的研究252Cf放射性同位素中子源辐照杀菌的可能性。方法通过MCNP模拟计算方法,推算其所使用的模型,计算出252Cf中子辐射杀灭炭疽杆菌芽孢的辐照剂量和辐照时间。结果经MCNP理论模拟研究,建立了MCNP模拟252Cf中子源产生的中子辐射消毒的模型,推演出使用石蜡作为反射材料可取得最好的结果。计算出用252Cf中子辐射杀灭炭疽杆菌芽孢的辐照剂量为1 000 Gy,辐照时间为18 min。结论利用252Cf中子辐射杀灭炭疽杆菌芽孢具有实际应用的可能性。 展开更多
关键词 中子辐照 炭疽杆菌芽孢 辐照剂量 灭菌 消毒
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MCNP程序模拟中子杀灭炭疽菌的研究
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作者 刘滨 +1 位作者 王凯 胡文超 《中国辐射卫生》 2012年第1期8-10,共3页
目的研究中子辐照杀灭炭疽菌的可行性以及制定一套高效率的采用中子照射杀灭炭疽菌的方案。方法利用MCNP程序建立模型,通过模拟得到单个中子在炭疽孢子中的能量沉积,以此估算出在该种情况下使全部炭疽孢子达到致死剂量的时间。通过研究... 目的研究中子辐照杀灭炭疽菌的可行性以及制定一套高效率的采用中子照射杀灭炭疽菌的方案。方法利用MCNP程序建立模型,通过模拟得到单个中子在炭疽孢子中的能量沉积,以此估算出在该种情况下使全部炭疽孢子达到致死剂量的时间。通过研究反射层厚度、材料种类、炭疽层的面积以及中子源种类等因素对单个中子能量沉积的影响,制定出一套高效率的杀灭炭疽菌的方案。结果以14.0MeV中子管为中子源,炭疽层样本的面积为10cm×10cm,中子源距离炭疽层上表面5cm时的值为5×10-4MeV/g,只需要约20min就可以将炭疽孢子全部杀灭,而如果使用1014n/s产额的中子管只需十多秒即可使炭疽孢子达到致死剂量。结论中子辐照杀灭炭疽菌具有很高的效率和研究价值。 展开更多
关键词 蒙特卡洛方法 MCNP 中子管 炭疽
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Be-Am中子源杀灭炭疽的可行性分析
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作者 韩然 刘滨 《中国辐射卫生》 2013年第6期663-666,共4页
目的研究Be-Am中子源用于杀灭炭疽的可能性。方法通过MCNP模拟计算方法,建立其所使用的模型,计算了Be-Am中子源杀灭炭疽杆菌芽孢的辐照剂量,比较了单个中子沉积能量与Cf-252放射性同位素源和中子管源的不同。结果建立MCNP模拟Be-Am中子... 目的研究Be-Am中子源用于杀灭炭疽的可能性。方法通过MCNP模拟计算方法,建立其所使用的模型,计算了Be-Am中子源杀灭炭疽杆菌芽孢的辐照剂量,比较了单个中子沉积能量与Cf-252放射性同位素源和中子管源的不同。结果建立MCNP模拟Be-Am中子源产生中子辐照消毒的模型,得出所用中子辐照强度与炭疽层面积成正比,并且与中子管和Cf-252的辐照剂量在同一个数量级上,但是Be-Am中子源具有价格低廉、中子产额稳定及使用期限长等优点。结论利用Be-Am中子源杀灭炭疽杆菌芽孢更具有现实意义。 展开更多
关键词 Be-Am中子源 中子辐照 灭菌 MCNP模拟
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一种有效缓解中子反照效应的堆坑小室通道屏蔽墙设计
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作者 贺晓刚 《中国核电》 2023年第4期589-593,共5页
本研究以中子与物质相互作用的基本原理为基础,通过推演的方式进一步探究了悬挑结构抑制反照中子产额的机理,并基于此机理,创造性地提出了一种新型屏蔽墙。该新型屏蔽墙在不改变原有墙体厚度和材料种类的前提下实现了抑制反照中子产额... 本研究以中子与物质相互作用的基本原理为基础,通过推演的方式进一步探究了悬挑结构抑制反照中子产额的机理,并基于此机理,创造性地提出了一种新型屏蔽墙。该新型屏蔽墙在不改变原有墙体厚度和材料种类的前提下实现了抑制反照中子产额的功能。为验证该新型屏蔽墙对反照中子总数的影响,以百万千瓦级压水堆核电机组功率运行期间反应堆厂房内的中子能谱作为输入条件,采用蒙特卡罗模拟结合加权计算的方式进行研究,发现与平面屏蔽墙相比该新型屏蔽墙能够减少系统中约46.56%的反照中子产额。 展开更多
关键词 中子屏蔽 反照中子 辐射防护 蒙特卡罗模拟 “华龙一号”
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基于MCNP模拟对“华龙一号”堆坑小室通道屏蔽墙的优化设计 被引量:1
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作者 《中国核电》 2021年第5期618-621,共4页
本文根据中子波粒二象性的特征,提出在堆坑小室通道屏蔽墙表面增加悬挑结构将会有效抑制反照中子产生这一假设。通过MCNP软件建立计算机模型模拟反照中子产生的粒子输运过程,使用控制变量的方法研究了悬挑结构如何影响系统中反照中子的... 本文根据中子波粒二象性的特征,提出在堆坑小室通道屏蔽墙表面增加悬挑结构将会有效抑制反照中子产生这一假设。通过MCNP软件建立计算机模型模拟反照中子产生的粒子输运过程,使用控制变量的方法研究了悬挑结构如何影响系统中反照中子的总计数、空间分布和能量分布三个要素。从对计算机模拟结果的分析中发现,在屏蔽层上增加悬挑结构,理论上可以减少反照中子的产生。由此提出通过优化设计可以使系统中的反照中子进一步减少的优化方案,该项技术在将来的“华龙一号”堆坑小室通道屏蔽墙的改进设计上具有一定的应用价值。 展开更多
关键词 中子屏蔽 反照中子 辐射防护 蒙特卡罗模拟 反应堆厂房
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