以4个双隐性(sh2sh2wxwx)甜糯玉米自交系和1个甜玉米自交系(sh2sh2)为材料,研究在不同播种深度下各材料的出苗情况,并比较不同类型材料的耐深播能力。结果表明:随播种深度的增加,玉米发芽率和活力指数逐渐降低,双隐性甜糯玉米自交...以4个双隐性(sh2sh2wxwx)甜糯玉米自交系和1个甜玉米自交系(sh2sh2)为材料,研究在不同播种深度下各材料的出苗情况,并比较不同类型材料的耐深播能力。结果表明:随播种深度的增加,玉米发芽率和活力指数逐渐降低,双隐性甜糯玉米自交系D6644的适宜播种深度为3-6 c m,甜玉米自交系S H-251、双隐性甜糯玉米自交系(D6624、京甜糯6、甜糯2)的适宜播深为3 c m。发芽率、活力指数与播种深度呈极显著负相关,中胚轴长度与播种深度呈显著正相关。展开更多
文摘以4个双隐性(sh2sh2wxwx)甜糯玉米自交系和1个甜玉米自交系(sh2sh2)为材料,研究在不同播种深度下各材料的出苗情况,并比较不同类型材料的耐深播能力。结果表明:随播种深度的增加,玉米发芽率和活力指数逐渐降低,双隐性甜糯玉米自交系D6644的适宜播种深度为3-6 c m,甜玉米自交系S H-251、双隐性甜糯玉米自交系(D6624、京甜糯6、甜糯2)的适宜播深为3 c m。发芽率、活力指数与播种深度呈极显著负相关,中胚轴长度与播种深度呈显著正相关。