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硅晶闸管烧结应力的红外光弹性研究 被引量：1
1
作者 彭海鲸 赵寿南 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期42-47,共6页
参考热弹性理论和复合材料层间应力理论，研究了Ｓｉ片／Ａｌ箔／Ｍｏ片烧结后的层间应力及硅片中的应力．热膨胀性能不同引起的热应力在硅片中的中间和边缘区域分布情况不一样，推导出适用于边缘区域的应力计算表达式．用红外光弹测量... 参考热弹性理论和复合材料层间应力理论，研究了Ｓｉ片／Ａｌ箔／Ｍｏ片烧结后的层间应力及硅片中的应力．热膨胀性能不同引起的热应力在硅片中的中间和边缘区域分布情况不一样，推导出适用于边缘区域的应力计算表达式．用红外光弹测量获得晶闸管烧结工艺制备样品的应力分布光弹图．理论能较好地解释实验结果． 展开更多
关键词 硅 应力 烧结 光弹性 晶闸管 红外光弹性
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