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高透明低方阻ITO-Ag-ITO柔性镀膜技术 被引量：10
1
作者 胡云慧 李京增 +6 位作者 余圣发 彭晶 苏丹丹 彭传才 李伟 蒋力 刘婧 《真空》 CAS 北大核心 2001年第2期36-38,共3页
高透明低方阻 ITO- Ag- ITO柔性薄膜具有广泛的用途。本文介绍了膜系设计、工艺参数及控制。对设备结构也做了简要叙述。测试结果表明 ,ITO- Ag- ITO多层膜采用连续卷绕镀的方法生产 ,性能优异 ,工艺稳定 ,系统可靠。
关键词 银 ITO膜 柔性薄膜 连续卷绕镀膜 镀膜工艺 磁控溅射
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基底温度和氧分压对直流磁控溅射制备的ZnO∶Al薄膜性能的影响 被引量：5
2
作者 余志明 伍水平 +4 位作者 魏秋平 牛仕超 彭传才 李京增 魏敏 《真空》 CAS 北大核心 2006年第6期11-14,共4页
利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO:A l(ZAO)透明导电薄膜。详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明:ZAO薄膜具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长;衬底温度和氧... 利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO:A l(ZAO)透明导电薄膜。详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明:ZAO薄膜具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长;衬底温度和氧分压对薄膜的电阻率有很大影响;基底温度对薄膜的可见光透过率影响不大,但随氧分压的增大而增大;在衬底温度为250℃、氧分压为1%时,薄膜有最优化的电阻率和平均透光率,分别达到8.35×10-4Ω.cm和85.2%。 展开更多
关键词 ZAO薄膜 氧分压 直流磁控溅射 电阻率 透过率
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低辐射卷绕镀膜工艺在线透过率监控技术
3
作者 余圣发 彭传才 +3 位作者 魏敏 胡云慧 李京增 彭晶 《真空》 CAS 北大核心 2005年第4期19-21,共3页
介绍了卷绕镀膜生产线中镀膜工艺的透过率在线监控仪原理与实现方法,同时描述了透过率监控仪在低辐射卷绕镀膜中的应用。
关键词 低辐射 卷绕镀膜 码分多址 透过率 监控
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反应磁控溅射沉积ITO膜工艺稳定性的研究
4
作者 胡云慧 彭传才 黄广连 《真空》 CAS 北大核心 1999年第2期33-36,共4页
在Ｉｎ－Ｓｎ合金靶反应磁控溅射的情形下，固定基片温度、氧分压、抽速和其它相关条件，仅靠改变溅射电流来沉积一定方阻的ＩＴＯ膜。实验表明：随着工艺过程的进行，溅射电流总要呈现逐渐增加的趋势。本文分析了产生这种现象的种种原... 在Ｉｎ－Ｓｎ合金靶反应磁控溅射的情形下，固定基片温度、氧分压、抽速和其它相关条件，仅靠改变溅射电流来沉积一定方阻的ＩＴＯ膜。实验表明：随着工艺过程的进行，溅射电流总要呈现逐渐增加的趋势。本文分析了产生这种现象的种种原因，并指出影响工艺稳定的一个非常重要的因素是Ｉｎ－Ｓｎ合金靶本身。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 稳定性 ITO膜 锡铟氧化物 薄膜
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国产ITO靶材的镀膜工艺研究
5
作者 彭传才 黄广连 +7 位作者 胡云慧 曹志刚 余圣发 魏敏 易可可 姚吉升 唐三川 陈坚 《矿冶工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期61-63,共3页
介绍了国产ＩＴＯ靶材磁控溅射制备ＩＴＯ膜的工艺实验。实验结果表明，国产ＩＴＯ靶材具有良好的工艺稳定性和重现性，在优选镀膜工艺参数条件下，获得了性能优良的ＩＴＯ透明导电膜，并且在室温基片上也获得了满意的结果。
关键词 ITO靶 ITO膜 放电特性 氧分压 基片温度
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