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题名金刚石肖特基二极管的研究进展
被引量：2
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作者
彭博
李奇
张舒淼
樊叔维
王若铮
王宏兴
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机构
西安交通大学
西安交通大学电子与信息学部
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出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第5期732-745,共14页
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基金
国家重点研发计划(2021YFB3602100)
国家自然科学基金(U21A2073,62074127)。
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文摘
金刚石具有宽带隙(5.47 eV)、高载流子迁移率(空穴3800 cm^(2)/(V·s)、电子4500 cm^(2)/(V·s))、高热导率(22 W·cm^(-1)·K^(-1))、高临界击穿场强(>10 MV/cm),以及最优的Baliga器件品质因子,使得金刚石半导体器件在高温、高频、高功率,以及抗辐照等极端条件下有良好的应用前景。随着单晶金刚石CVD生长技术和p型掺杂的突破,以硼掺杂金刚石为主的肖特基二极管(SBD)的研究广泛展开。本文详细介绍了金刚石SBD的工作原理,探讨了高掺杂p型厚膜、低掺杂漂移区p型薄膜的生长工艺,研究了不同金属与金刚石形成欧姆接触、肖特基接触的条件,分析了横向、垂直、准垂直器件结构的制备工艺,以及不同结构对SBD正向、反向、击穿特性的影响,阐述了场板、钝化层、边缘终端等器件结构对SBD内部电场的调制作用,进而提升器件反向击穿电压,最后总结了金刚石SBD的应用前景及面临的挑战。
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关键词
金刚石
肖特基二极管
金属-半导体接触
场板
钝化层
边缘终端
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Keywords
diamond
Schottky barrier diode
metal-semiconductor contact
field plate
passivation layer
edge terminal
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分类号
O78
[理学—晶体学]
TN311.7
[电子电信—物理电子学]
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