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MgZnO薄膜晶体管在紫外探测中的特性研究 被引量：1
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作者 吴昀卓 高晓红 +4 位作者 秦大双 曾一明 张耕严 岳廷峰 刘建文 《电脑知识与技术》 2020年第6期252-254,共3页
室温下通过磁控溅射的方式在热氧化SiO2的衬底上沉积MgZnO薄膜,研究Mg元素的少量掺杂对薄膜以及器件性能的影响,使用湿法刻蚀的方法制备了MSM结构的器件。器件开关比3.66×106,在入射波长为365nm、254nm的光照下响应度分别达到了3.1... 室温下通过磁控溅射的方式在热氧化SiO2的衬底上沉积MgZnO薄膜,研究Mg元素的少量掺杂对薄膜以及器件性能的影响,使用湿法刻蚀的方法制备了MSM结构的器件。器件开关比3.66×106,在入射波长为365nm、254nm的光照下响应度分别达到了3.16A/W、7.74A/W.光暗电流比在101~104之间。通过紫外光分度计测试出薄膜在可见光区域透过率达到90%以上,光学带隙为3.28eV。 展开更多
关键词 MgZnO薄膜晶体管 MgZnO薄膜 MSM结构 响应度 光暗电流比
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退火处理对MgZnO薄膜性能的影响
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作者 吴昀卓 高晓红 +4 位作者 秦大双 曾一明 张耕严 刘建文 岳廷峰 《电脑知识与技术》 2020年第5期250-252,共3页
采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了MgZnO薄膜,并将制备的薄膜在200℃、N2下进行退火处理。采用XRD表征薄膜的结晶情况,用AFM表征薄膜材料表明形貌,用EDS表征薄膜材料元素成分与含量,用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明,... 采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了MgZnO薄膜,并将制备的薄膜在200℃、N2下进行退火处理。采用XRD表征薄膜的结晶情况,用AFM表征薄膜材料表明形貌,用EDS表征薄膜材料元素成分与含量,用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明,退火后薄膜结晶程度提高,晶粒尺寸变大,均方根粗糙度(RMS)降低,Mg元素原子百分比有所增加,可见光区域平均透过率为96%。 展开更多
关键词 MgZnO薄膜晶体管 退火处理 射频磁控溅射
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