开关电源的发展概况 被引量：9

1

作者 张恩怀 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1996年第1期74-78,共5页

开关电源的发展概况ＴｈｅＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＳｔａｔｕｓｏｆＳｗｉｔｃｈｉｎｇＮｏｄｅＳｕｐｐｌｙ￥／／清华大学张恩怀（北京１００７２４）１前言自１９５６年Ｍｏｌｌ发明Ｐｎｐｎ四层半导体，１９５７年ＧＥ公司第一只晶... 开关电源的发展概况ＴｈｅＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＳｔａｔｕｓｏｆＳｗｉｔｃｈｉｎｇＮｏｄｅＳｕｐｐｌｙ￥／／清华大学张恩怀（北京１００７２４）１前言自１９５６年Ｍｏｌｌ发明Ｐｎｐｎ四层半导体，１９５７年ＧＥ公司第一只晶闸管问世起，电力电子技术开始得到了... 展开更多

关键词 开关 电源 发展

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英语学科核心素养视域下高中英语阅读教学研究 被引量：21

2

作者 张恩怀 《英语教师》 2018年第20期39-42,共4页

阐述英语学科核心素养的内涵,认为英语课程教学目标应由对学生英语语言综合运用能力培养转向英语学科核心素养,促使学生语言能力、文化品格、思维品质、学习能力等的全面发展。在高中英语阅读教学中,教师应立足阅读文本、注重实践探索... 阐述英语学科核心素养的内涵,认为英语课程教学目标应由对学生英语语言综合运用能力培养转向英语学科核心素养,促使学生语言能力、文化品格、思维品质、学习能力等的全面发展。在高中英语阅读教学中,教师应立足阅读文本、注重实践探索、优化活动设计、加强策略指导,培养学生的英语学科核心素养。 展开更多

关键词 核心素养 高中英语 阅读教学

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第三代半导体材料生长与器件应用的研究 被引量：7

3

作者 李嘉席 孙军生 +1 位作者 陈洪建 张恩怀 《河北工业大学学报》 CAS 2002年第2期41-51,共11页

着重论述了以 ＳｉＣ和ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况．分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料，介绍了制备引ＳｉＣ和ＧａＮ单晶的方法．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件工艺目前存在的问题和今... 着重论述了以 ＳｉＣ和ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况．分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料，介绍了制备引ＳｉＣ和ＧａＮ单晶的方法．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向．总结了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的研制情况，指出单晶质量是限制器件发展的主要因素．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的目前应用和未来的市场前景，指出了ＳｉＣ和ＧａＮ材料、器件今后的研究重点和今后的发展方向． 展开更多

关键词 第三代半导体材料 碳化硅 氮化镓 晶体生长 半导体器件 宽带隙半导体 SiC GAN

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掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀 被引量：2

4

作者 张维连 李嘉席 +4 位作者 陈洪建 孙军生 张建新 张恩怀 赵红生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1073-1077,共5页

利用锗硅单晶 (锗浓度约为 10 19cm-3 )切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺 ,生长了直径为 6 0、5 0和 40mm ,掺锗量为 0 1%和 0 5 % (锗硅重量比 )的锗硅单晶 .利用化学腐蚀 ... 利用锗硅单晶 (锗浓度约为 10 19cm-3 )切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺 ,生长了直径为 6 0、5 0和 40mm ,掺锗量为 0 1%和 0 5 % (锗硅重量比 )的锗硅单晶 .利用化学腐蚀 金相显微镜法、扫描电子显微镜 (SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况 .发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同 ,体内存在着较高密度的氧微沉淀 .在晶体尾部 ,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集 ,出现了“组分过冷”现象 ,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长 .晶体中高密度氧的微沉淀经过 12 5 0℃热处理 1h后会溶解消失 . 展开更多

关键词 掺锗直拉硅 氧沉淀 分凝 晶体缺陷 CZ法

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反思性教学策略及意义 被引量：6

5

作者 张恩怀 《中小学外语教学》 北大核心 2009年第7期27-30,共4页

本文结合高中英语教学实践介绍了三种反思类型，旨在探讨提高教学策略实效性、教学批判性和科学性的途径。

关键词 反思性教学 行动中反思 行动后反思 为行动反思 自我反思 反馈反思 实践反思 理论反思

原文传递

利用装置环形永磁场的直拉炉(PMCZ)生长单晶硅和掺锗硅晶体 被引量：4

6

作者 张维连 孙军生 +1 位作者 张恩怀 李嘉席 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期309-312,共4页

设计了一种永磁 (钕铁硼 )环形磁场装置代替常规电磁场用于直拉炉生长单晶硅和掺锗单晶硅 (PMCZ法 ) .磁力线呈水平辐射状均匀分布 .只要磁场强度足够强 ,即可有效地抑制熔体中热对流和晶体旋转产生的离心强迫对流 ,从而有效地抑制了固... 设计了一种永磁 (钕铁硼 )环形磁场装置代替常规电磁场用于直拉炉生长单晶硅和掺锗单晶硅 (PMCZ法 ) .磁力线呈水平辐射状均匀分布 .只要磁场强度足够强 ,即可有效地抑制熔体中热对流和晶体旋转产生的离心强迫对流 ,从而有效地抑制了固液界面处的温度波动 ,降低以至消除微观生长速率的起伏 ,造成了一种类似于空间微重力环境下生长晶体的条件 .在这种条件下 ,杂质和掺杂剂的运动方式受扩散规律控制 .利用这种装置生长了掺锗 (Ge∶ Si重量比为 1.0 % ,5 .0 %和 10 .0 % )和不掺锗的硅晶体 ,获得了氧浓度较低 ,掺杂剂径向分布均匀性好的较高质量的晶体 .该装置磁场强度可方便地通过调节磁环之间相对位置及磁环相对固液界面位置进行调控 。 展开更多

关键词 永磁场 直拉炉 锗硅单晶 单晶硅 掺杂

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高中英语教学中实施过程性评价的思考 被引量：3

7

作者 张恩怀 《江苏教育研究（实践）（B版）》 2009年第4期74-75,共2页

评价改革不仅是保证课程改革顺利进行的条件，也是课程改革的目标之一。近几年来，我在英语教学实践中，尝试运用课堂学习评比、家庭作业评定、点评课外活动、自评学习效果、建立学习档案、开展问卷调查、家长反馈与评价等多种形式的过... 评价改革不仅是保证课程改革顺利进行的条件，也是课程改革的目标之一。近几年来，我在英语教学实践中，尝试运用课堂学习评比、家庭作业评定、点评课外活动、自评学习效果、建立学习档案、开展问卷调查、家长反馈与评价等多种形式的过程性评价手段，改变以往学生被动学习，死记硬背，机械训练的现状，有效地激励了学生学习英语的热情，帮助学生有效调控学习过程，学会合作学习，培养了团队协作精神。 展开更多

关键词 高中英语教学 过程性评价 团队协作精神 课程改革 评价改革 教学实践 课堂学习 作业评定

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用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性 被引量：3

8

作者 张维连 孙军生 +5 位作者 张恩怀 李嘉席 吴小双 高树良 胡元庆 刘俊奇 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期455-458,共4页

用永磁体环形磁场直拉（ＰＭＣＺ）炉代替普通的ＭＣＺ炉生长了质量较高的单晶硅．在ＰＭＣＺ炉中水平辐射状磁力线均匀分布，可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动，降低以至消除微观生长速率的起伏．在用ＰＭＣＺ法... 用永磁体环形磁场直拉（ＰＭＣＺ）炉代替普通的ＭＣＺ炉生长了质量较高的单晶硅．在ＰＭＣＺ炉中水平辐射状磁力线均匀分布，可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动，降低以至消除微观生长速率的起伏．在用ＰＭＣＺ法生长的硅晶体中氧浓度较低，杂质的径向分布均匀性好．简单地讨论了ＰＭＣＺ法控氧优于普通ＭＣＺ法的机理． 展开更多

关键词 热对流 氧杂质 单晶硅 电阻率 PMCZ炉 晶体生长 永磁场直拉炉

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CZSi中Ge增强氧外扩散现象

9

作者 张维连 檀柏梅 +2 位作者 孙军生 张恩怀 张志成 《半导体杂志》 1999年第4期15-17,共3页

在退火处理时，Ｇｅ 易与Ｓｉ 中Ｏ 形成易挥发的ＧｅＯ 复合体，使硅片表面洁净区的形成受氧的外扩散和ＧｅＯ 挥发两种因素制约。即从效果上看，Ｇｅ 增强了氧的外扩散。

关键词 CZSI 氧沉淀 锗 氧外扩散 退火处理

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高中英语阅读教学中学生人文素养培养途径探究 被引量：5

10

作者 张恩怀 《英语教师》 2019年第21期27-29,共3页

阐释人文素养培养的内涵。分析人文素养培养与高中英语阅读教学的关系。指出高中英语阅读教学中人文素养培养存在的问题,并提出相应的培养途径。认为在高中英语阅读教学中,教师应注重人文知识的讲解,培养学生的人文素养,使学生更加深刻... 阐释人文素养培养的内涵。分析人文素养培养与高中英语阅读教学的关系。指出高中英语阅读教学中人文素养培养存在的问题,并提出相应的培养途径。认为在高中英语阅读教学中,教师应注重人文知识的讲解,培养学生的人文素养,使学生更加深刻地认识与了解英语,运用英语进行正确、灵活地表达。 展开更多

关键词 高中英语 阅读教学 人文素养

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高中英语写作教学:常见问题及对策 被引量：3

11

作者 张恩怀 《教育研究与评论（中学教育教学）》 2012年第2期46-48,共3页

目前的高中英语写作教学存在着师生对写作教学的意义认识不足、写作教学缺乏有效的途径和方法等问题。英语写作能力的欠缺,将影响学生其他语言技能的形成和发展。加强写作教学,是确保学生英语学习均衡发展的有效对策。要切实提高学生的... 目前的高中英语写作教学存在着师生对写作教学的意义认识不足、写作教学缺乏有效的途径和方法等问题。英语写作能力的欠缺,将影响学生其他语言技能的形成和发展。加强写作教学,是确保学生英语学习均衡发展的有效对策。要切实提高学生的英语学习水平,必须强化英语写作教与学的课程意识,重视写作方法的训练,加强写作策略的指导。 展开更多

关键词 英语写作 问题 对策

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锗对CZ Si中新施主的影响

12

作者 张维连 孙军生 +2 位作者 檀柏梅 张恩怀 张颖怀 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期51-53,共3页

等价元素锗 (Ge) ,掺入CZSi中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径 ,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行。同时 ,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体 (Ge—VX) ,降低了空位的浓度。因此 ,锗掺入到CZSi中可以抑制新施... 等价元素锗 (Ge) ,掺入CZSi中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径 ,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行。同时 ,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体 (Ge—VX) ,降低了空位的浓度。因此 ,锗掺入到CZSi中可以抑制新施主 (ND)的形成速率和最大浓度 ,提高了硅的高温稳定性 ,改善硅材料的内在质量。随着Ge浓度的增加 ,这种抑制施主效应也越明显。本文简要地探讨了Ge在CZSi中抑制新施主形成的机理。 展开更多

关键词 等价掺杂 热处理 锗 直拉硅 IC器件

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推挽式零电压开关多谐振高频变换器的直流稳态分析 被引量：1

13

作者 张恩怀 胡蓉芳 《清华大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期93-97,共5页

将零电压开关多谐振技术应用于推挽变换器电路，提出了一种推挽式零电压开关多谐振高频变换器（ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ）电路方案，较全面、完整地对其稳态工作模式和直流特性进行了分析，发现了变换器正常运行的４种工作模式。用自编制的... 将零电压开关多谐振技术应用于推挽变换器电路，提出了一种推挽式零电压开关多谐振高频变换器（ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ）电路方案，较全面、完整地对其稳态工作模式和直流特性进行了分析，发现了变换器正常运行的４种工作模式。用自编制的ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ的计算机仿真程序，仿真研究了ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ电路中各处电压、电流的稳态变化规律以及电路的直流电压增益与开关频率的变化特性。设计并实现了输入４８Ｖ、输出５Ｖ、功率５０Ｗ的离线式ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ实验电路，通过实验验证了理论分析的正确性。 展开更多

关键词 推挽式 零电压开关 多谐振变换器 变换器

原文传递

守法、公开、竞争、择优、共赢 中国石油统一招标管理的十年探索与实践 被引量：3

14

作者 马颖丽 张恩怀 张忠波 《招标采购管理》 2019年第4期17-20,共4页

一、前言近年来,随着改革开放的不断深入,建立统一开放、竞争有序的市场体系和公平透明、自由流动的市场环境进程加快,招标作为发挥市场配置资源重要和通用的交易方式,得到了越来越广泛的应用,也受到了国家、社会的高度重视和关注。

关键词 招标管理 探索与实践

原文传递

例说新课程背景下英语课堂教学的动态生成 被引量：1

15

作者 张恩怀 《基础教育研究》 2009年第10X期48-50,共3页

传统的课堂教学注重预设,教学过程就是教师不折不扣地执行教案的过程,一堂课中往往是学生全由老师牵着鼻子走。

关键词 课堂教学 新课程 牛津高中英语 教学过程 堂课 资源意识 心灵对话 情感参与 动态生成性 情绪高涨

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直拉法生长掺锗硅单晶时氧的控制

16

作者 张维连 孙军生 张恩怀 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期95-96,共2页

直拉法 (CZ法 )生长单晶硅是目前获得高质量大直径晶体的一种工业化方法。但在晶体生产过程中 ,随着投料 (硅 )量加大 ,熔体中强烈的热对流往往造成晶体宏观和微观质量不均匀 ,有时很难正常生产单晶体。CZ法生产单晶硅时使用的石英坩埚... 直拉法 (CZ法 )生长单晶硅是目前获得高质量大直径晶体的一种工业化方法。但在晶体生产过程中 ,随着投料 (硅 )量加大 ,熔体中强烈的热对流往往造成晶体宏观和微观质量不均匀 ,有时很难正常生产单晶体。CZ法生产单晶硅时使用的石英坩埚是晶体中氧的主要来源。硅中氧对半导体器件工艺利弊兼有。因而控制晶体中合适的氧浓度是提高半导体器件成品率的关键工艺之一。熔硅中的氧与掺入的锗容易形成GeO而挥发 ,也是造成掺Ge硅中Ge浓度难以控制的因素之一。晶体生长过程中 ,晶体中氧浓度与熔体运动方式密切相关。熔体运动主要有 :( 1 )由坩埚底部通过热对流将氧输运到熔体自由表面和固液生长界面。( 2 )沿自由表面从冷的晶体边缘到热的坩埚壁 ,表面张力的衰减所驱动产生的热毛细对流。( 3)由冷的晶体———熔体表面到垂直的坩埚壁最热点密度降低所驱动的浮力对流。( 4)晶体旋转造成的离心泵吸流。这些对熔解于熔硅中的氧引入到生长着的固液界面处晶体一侧的浓度都有着密切关系。在空间微重力环境下 (g 1 0 -5 g0 ) ,掺杂剂与硅的质量梯度对流和密度差引起的密度对流、热重力对流等可以大大降低。此时 ,杂质运动主要以扩散方式进行。因此可获得优质晶体。 展开更多

关键词 掺锗硅 直接法 微重力晶体生长模拟

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多媒体课件在英语阅读课中的恰当运用 被引量：1

17

作者 张恩怀 《中小学英语教学与研究》 北大核心 2009年第7期41-42,46,共3页

多媒体的出现使当今英语课堂改变了采用单一方式进行单向传播的传统教法，多媒体课件不仅可以展示静态的图片，而且可以集声音、图像、文字和动画于一体，创设声、光、色、图俱佳的交互式教学环境。但如果多媒体课件充斥了整个课堂，其... 多媒体的出现使当今英语课堂改变了采用单一方式进行单向传播的传统教法，多媒体课件不仅可以展示静态的图片，而且可以集声音、图像、文字和动画于一体，创设声、光、色、图俱佳的交互式教学环境。但如果多媒体课件充斥了整个课堂，其后果有时却让我们大吃一惊。学生视力的疲劳、课堂惊喜度的下降、人与人沟通方式的单一等问题让我们认识到，任何一种教育技术的使用，都必须按照课堂教学需求来决定。 展开更多

关键词 多媒体课件 英语阅读课 英语课堂 传统教法 单向传播 教学环境 教育技术 教学需求

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如何指导学生科学利用时间

18

作者 张恩怀 《班主任》 2006年第11期17-18,共2页

关键词 科学合理 利用时间 学生 学习效率 学习环境 学习状态 班主任

原文传递

掺锗直拉硅体单晶的生长 被引量：1

19

作者 张维连 赵红生 +2 位作者 陈洪建 孙军生 张恩怀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期253-257,共5页

为了控制锗在硅中的分凝和分布的均匀性 ,抑制熔体中因重力场引起的无规律热对流和质量对流 ,文中设计制造了一种新型的环型永磁场直拉炉 ( PMCZ法 ) ,生长了掺锗量 0 .1～ 5 .0 % ( Ge∶Si重量比 )、 65 mm和 5 2 mm的硅锗体单晶 ,拉... 为了控制锗在硅中的分凝和分布的均匀性 ,抑制熔体中因重力场引起的无规律热对流和质量对流 ,文中设计制造了一种新型的环型永磁场直拉炉 ( PMCZ法 ) ,生长了掺锗量 0 .1～ 5 .0 % ( Ge∶Si重量比 )、 65 mm和 5 2 mm的硅锗体单晶 ,拉速一般控制在 0 .2～ 0 .5 mm/分。当磁场强度较高时 ,熔体中由于重力场引起的热对流和质量对流在一定程度上被抑制 ,类似于空间微重力环境生长晶体的条件 ,晶体中锗和氧杂质分布均匀性的问题得到了较好地控制。文中利用扫描电子显微镜 ( SEM)能谱分析和二次离子质谱 ( SIMS)等方法观测了PMCZ法生长的掺锗 Si单晶中锗的分布状况。发现用 PMCZ法生长的锗硅晶体比常规 CZ法生长的晶体杂质均匀性要好些。同时发现 ,由于晶体生长速率很低 ,使得掺锗硅中产生了大量的过饱和氧的微沉淀。这些微沉淀经过 1 2 5 0°C热处理后会溶解消失。在晶体尾部 ,由于锗在硅中的分凝系数小于 1 ,使得锗在熔体中高度富集 ,产生了“组份过冷现象”,出现了枝状结晶生长。 展开更多

关键词 锗硅单晶 永磁场 直拉法 对流

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依托学科优势建设校内实习基地 被引量：1

20

作者 刘彩池 郝秋艳 +2 位作者 陈洪建 张恩怀 孙军生 《教育教学论坛》 2015年第49期56-57,共2页

实习是实践活动中的关键环节,实习基地是学生实习的重要场所。实习基地的建设是一项综合的系统工程,结合我校材料物理专业的特点、借助学科优势,对校内专业实验室进行整合优化,建立了校内生产实习基地,与校外实习基地形成互补,为学生创... 实习是实践活动中的关键环节,实习基地是学生实习的重要场所。实习基地的建设是一项综合的系统工程,结合我校材料物理专业的特点、借助学科优势,对校内专业实验室进行整合优化,建立了校内生产实习基地,与校外实习基地形成互补,为学生创造良好的工程实践场所。 展开更多

关键词 校内实习基地 生产实习 重点学科 材料物理

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