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芳基汞化合物的性质研究(Ⅴ)——某些氯化芳基汞的质谱 被引量：1
1
作者 吴养洁 陈镇东 +3 位作者 张宪苹 张占旺 刘运爱 倪九祥 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS 1983年第3期335-341,共7页
本文研究了23种氯化芳基汞XC_(6)H_(4)HgCl的质谱。结果证明大多数氯化芳基汞的分子离子峰均较强,且各种氯化芳基汞生成碎片离子D([XC_(6)H_(4)]^(+))均较汞—氯键断裂生成碎片离子E([XC_(6)H_(4)Hg]^(+))容易,此结果可以看作是汞有机... 本文研究了23种氯化芳基汞XC_(6)H_(4)HgCl的质谱。结果证明大多数氯化芳基汞的分子离子峰均较强,且各种氯化芳基汞生成碎片离子D([XC_(6)H_(4)]^(+))均较汞—氯键断裂生成碎片离子E([XC_(6)H_(4)Hg]^(+))容易,此结果可以看作是汞有机化合物开裂的普遍性规律。 取代基的电性对于碎片离子的稳定性和丰度有明显的影响。就多数间、对位取代基而言,代表取代基对生成离子D速度的影响参数log Z/Z_(H)与HammettBrown常数σ^(+)之间有良好的线性关系。邻乙酯基苯基氯化汞与间、对位取代物比较,难于发生McLafferty重排,此与分子内配位有关。 展开更多
关键词 碎片离子 苯基氯化汞 分子离子峰 普遍性规律 质谱 线性关系 有机化合物
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