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用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度 被引量：2
1
作者 王松柏 张声豪 《福州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第2期144-146,共3页
根据所建立的半绝缘 (SI)GaAs的禁带宽度EgΓ 公式 ,利用表面光伏 (SPV)方法的测量结果 ,计算了室温下 5种样品的EgΓ 值 ,并对其中之一进行了 2 1- 30 0K温度范围的EgΓ 计算 ,确认了SPV方法对研究SI -GaAs禁带宽度的可行性 .
关键词 表达光伏方法 半绝缘GAAS 禁带宽度 半导体材料 光伏谱 吸收系数
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半导体材料特性和参数研究 被引量：1
2
作者 沈顗华 朱文章 +7 位作者 吴正云 吴孙桃 张声豪 陈朝 颜永美 周海文 陈议明 刘士毅 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期251-258,共8页
提出超晶格 (Al As/ Ga As)和应变超晶格 (Gex Si1-x/ Si,Inx Ga1-x As/ Ga As)光伏效应的机理 ,测量了不同温度下的光伏谱 ,光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰 .计算了导带和价带子带的位置和带宽 ,根据宇称守恒确定... 提出超晶格 (Al As/ Ga As)和应变超晶格 (Gex Si1-x/ Si,Inx Ga1-x As/ Ga As)光伏效应的机理 ,测量了不同温度下的光伏谱 ,光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰 .计算了导带和价带子带的位置和带宽 ,根据宇称守恒确定光跃迁选择定则 ,对跃迁峰进行指认 .研究了光伏随温度变化、激子谱峰半高宽随温度和阱宽的变化 ,讨论谱峰展宽机制中的声子关联 ,混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响 .测量了元素和化合物半导体单晶材料的室温、低温下的表面光电压谱 ,推导了有关计算公式 ,计算得出电学参数 (L、n0 、μ、S、W)、深能级和表面能级位置、带隙和化合物组分 ;分析了电学参数的温度关系 ;由双能级复合理论 ,研究了少子扩散长度与深能级关系 ,计算了深能级浓度和参数 .在不同条件下研制了二氧化锡 /多孔硅 /硅 (Sn O2 / PS/ Si)和二氧化锡 /硅 (Sn O2 / Si) ,测量了它们的光伏谱 ,分析表明它们存在着异质结 .当样品吸附还原性气体 (H2 、CO、液化石油气 )时 ,光电压有明显变化 ,因此可做为一种新的敏感元件 .分析了它们的吸附机理 。 展开更多
关键词 光伏效应 超晶格 半导体材料 多孔硅 气体吸附 应变超晶格 光伏谱 电学性质 二氧化锡
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Oxide/GaAs的费米能级钉扎效应 被引量：2
3
作者 张声豪 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期366-370,共5页
用表面光伏方法研究了N-GaAs(100)在21～320K温度范围内的表面势V_、表面费米能级R_的温度性质和费米能级钉扎效应,得到Oxide/N-GaAs(100)系统的费米能级钉扎位置为E.+0.75eV,并通过与已有工作的比较指出GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的费... 用表面光伏方法研究了N-GaAs(100)在21～320K温度范围内的表面势V_、表面费米能级R_的温度性质和费米能级钉扎效应,得到Oxide/N-GaAs(100)系统的费米能级钉扎位置为E.+0.75eV,并通过与已有工作的比较指出GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的费米能级钉扎位置应与晶面取向无直接联系。 展开更多
关键词 表面光伏 费米能级 钉扎 砷化镓
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半绝缘GaAs中的双极扩散长度 被引量：1
4
作者 王松柏 张声豪 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期692-695,共4页
分析了半绝缘（ Ｓ Ｉ） Ｇａ Ａｓ 表面光伏的特点和公式．用表面光伏方法测量了不同砷压热处理 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 单晶的双极扩散长度，用 １．１ μｍ 红外吸收法测量 Ｅ Ｌ２ 浓度，并对测量结果作了分析和讨论．指出双极扩散长... 分析了半绝缘（ Ｓ Ｉ） Ｇａ Ａｓ 表面光伏的特点和公式．用表面光伏方法测量了不同砷压热处理 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 单晶的双极扩散长度，用 １．１ μｍ 红外吸收法测量 Ｅ Ｌ２ 浓度，并对测量结果作了分析和讨论．指出双极扩散长度 Ｌａ 是反映 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 质量的一个重要电学参数． 展开更多
关键词 双极扩散长度 表面光伏法 砷化镓 半绝缘砷化镓
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用表面光伏方法测量GaAs电学参数
5
作者 张声豪 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期146-151,共6页
用表面光伏方法和计算机拟合技术得到N-GaAs的(?)等电学参数在21～320 K的数值、温度关系曲线和μ_γ的半经验公式。
关键词 表面光伏 砷化镓 电学参数
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温敏二极管性能的优化研究 被引量：1
6
作者 张声豪 谢延贵 吴孙桃 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期41-45,共5页
从优化设计的需要出发，推导了温敏二极管灵敏度、线性度和串联电阻等电参数的理论公式．采用优化分析法，讨论了影响温敏二极管性能诸多因素的矛盾关系，提出温敏二极管的设计原则及解决相关矛盾的方法．理论分析得到实验结果的有力支持．
关键词 敏感元件 温敏二极管 性能优化
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N型GaAs少子扩散长度的温度特性 被引量：1
7
作者 张声豪 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期268-272,共5页
根据 Sturge 和Hwang 的实验数据,通过计算机拟合、内插方法获得了所需能量范围内 13种温度的 GaAs 吸收谱。在此基础上,采用表面光伏方法在 21～320 K 温度范围内测试了不同掺杂浓度的 N型 GaAs样品的少子扩散长度。得到了一组反映少... 根据 Sturge 和Hwang 的实验数据,通过计算机拟合、内插方法获得了所需能量范围内 13种温度的 GaAs 吸收谱。在此基础上,采用表面光伏方法在 21～320 K 温度范围内测试了不同掺杂浓度的 N型 GaAs样品的少子扩散长度。得到了一组反映少子扩散长度温度特性的实验曲线,并由实验曲线得到可用于计算不同温度下少子扩散长度Lp(T)的经验公式。 展开更多
关键词 砷化镓 吸收谱 扩散长度 温度特性
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温敏二极管的优化设计计算
8
作者 张声豪 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期36-39,共4页
对温度敏感元件提出一种优化设计计算方法，建立了硅温敏二级管的数学模型．在此基础上，用复合形法对硅温敏二级管的结构参数和材料参数进行优化设计计算；用最小二乘法计算了结构参数、材料参数的变化对其主要电学性能参数的影响；并... 对温度敏感元件提出一种优化设计计算方法，建立了硅温敏二级管的数学模型．在此基础上，用复合形法对硅温敏二级管的结构参数和材料参数进行优化设计计算；用最小二乘法计算了结构参数、材料参数的变化对其主要电学性能参数的影响；并对计算结果进行了分析、讨论． 展开更多
关键词 敏感元件 温敏二极管 优化设计 硅二极管 计算
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砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响
9
作者 王松柏 张声豪 《福建师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第1期41-44,共4页
采用 5种经不同砷压但相同生长温度 ( 1 0 0 0℃ )和时间 ( 5 h)处理的半绝缘 ( SI) Ga As样品 ,利用表面光伏 ( SPV)方法 ,测量和计算了 SI-Ga As在室温 ( 30 0 K)下的主要施主浓度 EL2 、禁带宽度 EgΓ和双极扩散长度 La,并从理论上... 采用 5种经不同砷压但相同生长温度 ( 1 0 0 0℃ )和时间 ( 5 h)处理的半绝缘 ( SI) Ga As样品 ,利用表面光伏 ( SPV)方法 ,测量和计算了 SI-Ga As在室温 ( 30 0 K)下的主要施主浓度 EL2 、禁带宽度 EgΓ和双极扩散长度 La,并从理论上给出了相应的解释 . 展开更多
关键词 半绝缘GAAS 砷压热处理 主要施主浓度 禁带宽度 双极扩散长度 半导体材料 半绝缘性质
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用喇曼光谱测定Ⅲ-Ⅴ族半导体带隙和载流子浓度
10
作者 杨锦赐 连世阳 +1 位作者 张声豪 颜永美 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期251-254,共4页
用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga_(1-x)Al_xAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г_(3v)—X_(3c))附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半导体的载流子浓度。
关键词 喇曼光谱 半导体 带隙 载流子 浓度
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