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不同工艺条件对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能影响
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作者 朱慧 孙烨镕 +4 位作者 李屹林 姚智文 张轶群 张之壤 刘行 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期914-920,共7页
为了探究不同工艺对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能的影响,对比了3种不同工艺薄膜晶体管的电学特性和陷阱特性。首先,通过瞬态电流法研究陷阱,运用陷阱对载流子的捕获和释放的特点测量得到瞬态电流曲线,通过分别改变栅压和漏压并结合不... 为了探究不同工艺对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能的影响,对比了3种不同工艺薄膜晶体管的电学特性和陷阱特性。首先,通过瞬态电流法研究陷阱,运用陷阱对载流子的捕获和释放的特点测量得到瞬态电流曲线,通过分别改变栅压和漏压并结合不同温度的陷阱去俘获峰值曲线提取的激活能分析得到不同俘获过程所对应的不同位置的3种陷阱。其次,用仪器测量器件的I-V特性曲线,提取器件的阈值电压V_(TH)、亚阈值摆幅S和迁移率μ进行比对分析。结果显示,样品A2的工艺改善了膜质,降低了器件的阈值电压和关态漏电流,同时降低了栅氧化层的陷阱密度;样品A4的工艺填补了界面和沟道内的悬挂键,优化了器件的迁移率和亚阈值摆幅,同时降低了界面和晶界的陷阱密度。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 陷阱 瞬态电流法 界面陷阱密度 晶界陷阱密度 电学特性
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不同宽长比的柔性LTPS TFT的电应力可靠性
2
作者 张之壤 朱慧 +3 位作者 刘行 张轶群 徐朝 郑文轩 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期589-595,共7页
为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱... 为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱,并对其产生的新陷阱进行定位,分析了产生陷阱的内在机理。结果表明,在相同的强电场直流应力下宽长比为3/2.5的器件,其电学参数变化最大,自热效应以及热载流子效应带来的影响也最大。自热效应导致器件性能退化的主要原因是较大的栅源电压导致Si/SiO2界面处和栅氧化层中的陷阱增多,而热载流子效应导致器件性能退化的主要原因则是由于较大的漏源电压使得漏极晶界陷阱态密度急剧升高。 展开更多
关键词 柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT) 自热效应 热载流子效应 瞬态电流 强电场直流应力
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