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掺镁氧化锌薄膜结构及其光学性质的研究 被引量:13
1
作者 钟志有 +1 位作者 陆轴 龙路 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2017年第1期64-70,共7页
以氧化镁(MgO)掺杂的氧化锌(ZnO)陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺镁ZnO(ZnO:Mg)薄膜样品.通过X射线衍射仪和可见-紫外光分光光度计的测试表征,研究了溅射时间对ZnO:Mg薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表... 以氧化镁(MgO)掺杂的氧化锌(ZnO)陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺镁ZnO(ZnO:Mg)薄膜样品.通过X射线衍射仪和可见-紫外光分光光度计的测试表征,研究了溅射时间对ZnO:Mg薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表明:ZnO:Mg薄膜的结构和性能与溅射时间密切相关.随着溅射时间的增加,ZnO:Mg薄膜(002)晶面的织构系数减小、(110)晶面的织构系数增大,对应的可见光波段的平均透过率降低.溅射时间为15 min时,ZnO:Mg薄膜样品具有最佳的(002)择优取向生长特性和最好的透光性能.同时ZnO:Mg薄膜样品的禁带宽度随溅射时间增加而单调增大.与未掺杂ZnO薄膜相比,所有ZnO:Mg薄膜样品的禁带宽度均变宽. 展开更多
关键词 磁控溅射 氧化锌 晶体结构 光学性质
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钼掺杂氧化锌薄膜的制备及其性能研究 被引量:10
2
作者 顾锦华 陆轴 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2017年第2期66-72,共7页
采用掺氧化钼(MoO_3)的氧化锌(ZnO)陶瓷靶作为溅射源材料,利用磁控溅射工艺制备了钼掺杂氧化锌(MZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)、光分光光度计和四探针仪进行了测试表征,研究了溅射功率对MZO薄膜结构、光学和电学... 采用掺氧化钼(MoO_3)的氧化锌(ZnO)陶瓷靶作为溅射源材料,利用磁控溅射工艺制备了钼掺杂氧化锌(MZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)、光分光光度计和四探针仪进行了测试表征,研究了溅射功率对MZO薄膜结构、光学和电学性能的影响.结果表明:所沉积的MZO薄膜样品均为六角纤锌矿结构,并具有(002)择优取向生长特性,溅射功率对薄膜结构和光电性能具有不同程度的影响.当溅射功率为120 W时,MZO薄膜的可见光区平均透过率最高、电阻率最低、性能指数最大,具有最好的光电综合性能. 展开更多
关键词 掺杂氧化锌 薄膜 结构 光电性能
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氧化铟锡TCO薄膜的制备及其结晶性能研究 被引量:7
3
作者 顾锦华 陆轴 +2 位作者 龙路 钟志有 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第2期91-96,140,共7页
以掺锡氧化铟陶瓷靶材作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)和X-射线光电子能谱仪(XPS)测试表征,研究了生长温度对薄膜结晶性质和微结构性能的影响.结果表明:所沉积的ITO薄... 以掺锡氧化铟陶瓷靶材作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)和X-射线光电子能谱仪(XPS)测试表征,研究了生长温度对薄膜结晶性质和微结构性能的影响.结果表明:所沉积的ITO薄膜均具有体心立方的多晶结构,其生长特性和微结构性能明显受到生长温度的影响.生长温度升高时,薄膜(222)晶面的织构系数T_(C(222))和晶粒尺寸先增后减,而晶格应变和位错密度则先减后增.当生长温度为500 K时,ITO样品的织构系数T_(C(222))最高(1.5097)、晶粒尺寸最大(52.8 nm)、晶格应变最低(1.226×10^(-3))、位错密度最小(3.409×10^(14)m^(-2)),具有最佳的(222)晶面择优取向性和微结构性能. 展开更多
关键词 氧化铟锡 薄膜 微结构 结晶性能
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器件结构对聚合物太阳能电池内部光电强分布的影响 被引量:7
4
作者 钟志有 +1 位作者 陆轴 龙路 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第3期67-72,96,共7页
针对以电子给体聚(3-己基噻吩)(P3HT)和电子受体6,6-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)共混薄膜为活性层的本体异质结聚合物太阳能电池,根据光学干涉效应和转移矩阵方法建立了非相干光吸收理论模型,研究了电极修饰层、活性层和阴极的厚度对电池... 针对以电子给体聚(3-己基噻吩)(P3HT)和电子受体6,6-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)共混薄膜为活性层的本体异质结聚合物太阳能电池,根据光学干涉效应和转移矩阵方法建立了非相干光吸收理论模型,研究了电极修饰层、活性层和阴极的厚度对电池内部光电场分布和活性层内部光电场强度的影响.结果表明:各功能层厚度对电池内部光电场分布和活性层光电场强度具有不同程度的影响,其中活性层和电极修饰层厚度的影响较大,而阴极厚度的影响较小;引入合适厚度的电极修饰层有利于增加活性层内部的光电场强度,提高太阳能电池的能量转换效率,改善器件的光伏性能. 展开更多
关键词 聚合物太阳能电池 器件结构 光电场分布
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叶色标记在水稻育种及种子纯度鉴定上的应用进展 被引量:8
5
作者 李云 +3 位作者 余后理 严长发 田发春 徐小红 《江西农业学报》 CAS 2007年第6期12-14,18,共4页
综述了叶色突变的遗传研究及其在水稻育种上的应用进展,比较了叶色标记不育系与正常叶色不育系的特性,介绍了叶色标记在种子纯度鉴定上的应用。
关键词 叶色突变 叶色标记 遗传 水稻育种 种子纯度鉴定
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镁钇合掺氧化锌薄膜的制备及其性能研究 被引量:6
6
作者 钟志有 龙浩 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2018年第1期66-72,共7页
以镁钇掺杂的氧化锌(Zn O)陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了镁钇合掺Zn O(MYZO)薄膜样品.通过X射线衍射仪和分光光度计的测试表征,研究了薄膜厚度对MYZO样品结构性质和光学性能的影响.结果表明:MYZO样品均为... 以镁钇掺杂的氧化锌(Zn O)陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了镁钇合掺Zn O(MYZO)薄膜样品.通过X射线衍射仪和分光光度计的测试表征,研究了薄膜厚度对MYZO样品结构性质和光学性能的影响.结果表明:MYZO样品均为六角纤锌矿型的多晶结构,并且其择优取向生长特性明显受到薄膜厚度的影响,当薄膜厚度为290 nm时,MYZO样品具有(002)择优取向生长特性.另外通过光学表征方法获得了MYZO样品的光学能隙、折射率和消光系数,结果显示:MYZO样品的光学能隙大于未掺杂Zn O能隙,其折射率均表现为正常色散特性,并且遵循Wemple-Di Domenico单振子色散模型. 展开更多
关键词 磁控溅射 掺杂氧化锌 薄膜 光学性质
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掺杂对ZnO半导体薄膜光学性能的影响 被引量:7
7
作者 钟志有 +2 位作者 陆轴 龙浩 王皓宁 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2017年第3期61-67,共7页
以掺杂氧化锌(ZnO)陶瓷靶为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了掺杂ZnO系列半导体薄膜样品.利用紫外-可见分光光度计测量了薄膜的透射光谱,通过Swanepoel法确定了薄膜的折射率和消光系数,利用外推法获得了薄膜的光... 以掺杂氧化锌(ZnO)陶瓷靶为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了掺杂ZnO系列半导体薄膜样品.利用紫外-可见分光光度计测量了薄膜的透射光谱,通过Swanepoel法确定了薄膜的折射率和消光系数,利用外推法获得了薄膜的光学带隙,研究了不同掺杂对ZnO薄膜光学性能的影响.结果表明,钛掺杂和镓镁合掺后,ZnO薄膜的透过率和光学带隙增加而折射率减小;所有薄膜的折射率均随波长增加而单调减小,呈现出正常的色散特性. 展开更多
关键词 掺杂氧化锌 半导体薄膜 光学性能
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镓镁锌氧化物透明导电薄膜的制备及其表征(英文) 被引量:5
8
作者 顾锦华 朱雅 +1 位作者 陆轴 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2018年第4期88-94,共7页
采用磁控溅射方法制备了镓镁锌氧化物(GaMgZnO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪、四探针仪和分光光度计的测试分析,研究了沉积温度对GaMgZnO薄膜微观结构和电光性能的影响.结果显示:所制备的样品均为六角纤锌矿结构的多晶薄膜并具有c轴择... 采用磁控溅射方法制备了镓镁锌氧化物(GaMgZnO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪、四探针仪和分光光度计的测试分析,研究了沉积温度对GaMgZnO薄膜微观结构和电光性能的影响.结果显示:所制备的样品均为六角纤锌矿结构的多晶薄膜并具有c轴择优取向生长特点,其结晶质量和电光性能与沉积温度密切相关.当沉积温度为550 K时,GaMgZnO薄膜的晶粒尺寸最大(51.72 nm)、晶格应变最小(1.11×10^(-3))、位错密度(3.73×10^(14) line·m^(-2))、电阻率最低(1.63×10^(-3)Ω·cm)、可见光区平均透过率(82.41%)、品质因数最大(5.06×10~2Ω^(-1)·cm^(-1)),具有最好的结晶质量和光电综合性能.另外采用光学表征方法获得了薄膜样品的光学能隙,结果表明由于受Burstein-Moss效应的影响,GaMgZnO薄膜的光学能隙均大于未掺杂ZnO的数值. 展开更多
关键词 磁控溅射 掺杂氧化锌 透明导电薄膜
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氧气等离子体处理对铟锡氧化物薄膜表面性质的影响(英文) 被引量:4
9
作者 顾锦华 陆轴 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2019年第3期445-451,共7页
采用氧气等离子体处理对铟锡氧化物(ITO)薄膜进行表面改性,基于化学组分、接触角、表面能和极性度的测试表征,研究了氧气等离子体处理对ITO表面性质的影响以及表面性能随放置时间的变化.实验结果表明:氧气等离子体处理有效去除了ITO表... 采用氧气等离子体处理对铟锡氧化物(ITO)薄膜进行表面改性,基于化学组分、接触角、表面能和极性度的测试表征,研究了氧气等离子体处理对ITO表面性质的影响以及表面性能随放置时间的变化.实验结果表明:氧气等离子体处理有效去除了ITO表面的污染物,改善了ITO表面的化学组分、提高了表面能、极性度和润湿性,从而优化了ITO的表面性能.但是随着处理后放置时间的增加,ITO薄膜的表面能减小、极性度降低、润湿性退化,从而相应的表面性能也变差. 展开更多
关键词 铟锡氧化物 氧气等离子体处理 表面性质
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掺镓锌镁氧化物透明导电薄膜的光学和电学性能研究(英文) 被引量:4
10
作者 顾锦华 朱雅 +1 位作者 龙浩 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2020年第6期625-631,共7页
采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺镓锌镁氧化物透明导电薄膜,通过霍耳效应仪和紫外-可见分光光度计的测试分析,研究了工作压强对薄膜光学和电学性能的影响.结果表明,所制备薄膜的电光性能与工作压强密切相关.当工作压强为3.6 Pa时... 采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺镓锌镁氧化物透明导电薄膜,通过霍耳效应仪和紫外-可见分光光度计的测试分析,研究了工作压强对薄膜光学和电学性能的影响.结果表明,所制备薄膜的电光性能与工作压强密切相关.当工作压强为3.6 Pa时,样品的电阻率最低为1.54×10^-3Ω·cm、可见光区平均透过率最高为87.72%、品质因数最大为4.72×10^3Ω^-1·cm^-1,具有最好的光电综合性能.采用外推方法获得了薄膜样品的直接光学能隙,结果显示其数值大于未掺杂的氧化锌. 展开更多
关键词 掺杂氧化锌 透明导电氧化物 薄膜 磁控溅射
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镓锌氧化物半导体薄膜的晶粒生长特性及其微结构研究 被引量:1
11
作者 钟志有 陆轴 +1 位作者 龙路 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第1期75-80,共6页
采用Zn O:Ga3O2高密度陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓锌氧化物(Ga Zn O)半导体薄膜.基于X射线衍射仪的测试表征,研究了薄膜厚度对Ga Zn O样品晶粒生长特性和微结构性能的影响.研究结果表明:所制备的Ga ... 采用Zn O:Ga3O2高密度陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓锌氧化物(Ga Zn O)半导体薄膜.基于X射线衍射仪的测试表征,研究了薄膜厚度对Ga Zn O样品晶粒生长特性和微结构性能的影响.研究结果表明:所制备的Ga Zn O样品为多晶薄膜,并且都具有六角纤锌矿型结构和(002)晶向的择优取向生长特性;其(002)取向程度、结晶性能和微结构参数等均与薄膜厚度密切相关.随着薄膜厚度的增大,Ga Zn O样品的(002)择优取向程度和晶粒尺寸表现为先增大后减小,而位错密度和晶格应变则表现为先减小后增大.当薄膜厚度为510 nm时,Ga Zn O样品具有最大的(002)晶向织构系数(2.959)、最大的晶粒尺寸(97.8 nm)、最小的位错密度(1.044×1014m-2)和最小的晶格应变(5.887×10-4). 展开更多
关键词 磁控溅射 氧化锌薄膜 晶粒生长 微结构
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磁控溅射沉积镓掺杂氧化锌薄膜的微观结构性质研究(英文) 被引量:1
12
作者 顾锦华 朱雅 《中南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第1期57-63,共7页
采用磁控溅射工艺在玻璃衬底上沉积镓掺杂氧化物透明导电薄膜样品,通过X-射线衍射仪的测试表征及其定量分析研究了薄膜样品的结晶性质和微观结构性能.结果表明,所沉积的样品均为六角纤锌矿型的多晶结构并具有(002)择优取向生长特性,其... 采用磁控溅射工艺在玻璃衬底上沉积镓掺杂氧化物透明导电薄膜样品,通过X-射线衍射仪的测试表征及其定量分析研究了薄膜样品的结晶性质和微观结构性能.结果表明,所沉积的样品均为六角纤锌矿型的多晶结构并具有(002)择优取向生长特性,其晶格常数、晶面间距和Zn-O键长等参数与标准值一致.当膜厚为570 nm时,薄膜样品的(002)织构系数和晶体尺寸最大、晶格应变和位错密度最小,具有最好的晶体质量和微观结构性能. 展开更多
关键词 磁控溅射 掺杂氧化锌 薄膜 微观结构
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脉冲射频联合阿霉素治疗顽固性外周神经痛的效果观察 被引量:2
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作者 范智芳 吉丁奎 《中国实用医刊》 2020年第11期87-90,共4页
目的观察脉冲射频联合阿霉素治疗顽固性外周神经痛的临床效果。方法选择2017年6月至2019年6月三门峡市中心医院收治的顽固性外周神经痛患者100例,采用随机数字表法将其分为研究组与对照组,每组50例。研究组行脉冲射频联合阿霉素治疗,对... 目的观察脉冲射频联合阿霉素治疗顽固性外周神经痛的临床效果。方法选择2017年6月至2019年6月三门峡市中心医院收治的顽固性外周神经痛患者100例,采用随机数字表法将其分为研究组与对照组,每组50例。研究组行脉冲射频联合阿霉素治疗,对照组行常规治疗,比较两组患者的疗效、症状改善情况、生活质量及并发症。结果研究组治疗总有效率(88.00%,44/50)高于对照组(70.00%,35/50),P<0.05;治疗后,研究组患者症状评分低于对照组,生活质量高于对照组(P<0.05)。研究组并发症发生率(34.00%,17/50)低于对照组(8.00%,4/50),P<0.05。结论脉冲射频联合阿霉素治疗顽固性外周神经痛,可显著改善患者症状,减少并发症发生率,有较高的安全性。 展开更多
关键词 脉冲射频 阿霉素 顽固性外周神经痛
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西瓜再生成本低 产高品优巧管理
14
作者 夏其栋 匡卒海 《专业户》 2003年第2期8-9,共2页
西瓜割蔓再生栽培是在第一茬瓜采收后,剪去老蔓,立即浇水施肥,促使西瓜植株基部潜伏芽再萌发新枝,培养其重新结瓜。割蔓再生,不需种子,免去育苗环节。
关键词 西瓜 割蔓再生栽培 园艺管理 施肥 灌溉 整枝压蔓 病虫害防治
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磁控溅射制备镁镓共掺氧化锌透明半导体薄膜及其性能研究
15
作者 陆轴 +1 位作者 钟志有 龙浩 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1938-1942,共5页
以MgO∶Ga_2O_3∶ZnO(2%∶2%∶96%,质量分数)陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了镁镓共掺氧化锌(MGZO)透明半导体薄膜。采用XRD、SEM、霍尔效应仪和分光光度计对MGZO薄膜进行测试表征,研究了溅射压强对MGZO薄膜... 以MgO∶Ga_2O_3∶ZnO(2%∶2%∶96%,质量分数)陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了镁镓共掺氧化锌(MGZO)透明半导体薄膜。采用XRD、SEM、霍尔效应仪和分光光度计对MGZO薄膜进行测试表征,研究了溅射压强对MGZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响。结果表明:所有MGZO薄膜均为六角纤锌矿结构并具有(002)择优取向生长特性,溅射压强对薄膜晶体结构和光电性能有明显影响,但几乎不影响其直接光学能隙(3.41~3.44eV)。当溅射压强为3.5Pa时,MGZO薄膜的结晶质量最好、张应力最小(8.29×10-2 GPa)、电阻率最低(1.62×10-3Ω·cm)、可见光区平均透过率最高(87.8%)、品质因数最大(4.76×103Ω^(-1)·cm^(-1)),具有最好的光电综合性能。 展开更多
关键词 氧化锌 透明半导体薄膜 掺杂 磁控溅射 光电性能
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优质杂交晚籼稻新组合淦鑫600
16
作者 彭炳生 +3 位作者 余厚理 田发春 徐小红 温志荣 《杂交水稻》 CSCD 北大核心 2007年第6期82-83,共2页
淦鑫600系江西现代种业有限公司用天丰A与自育强恢复系淦恢3号配组育成的三系杂交晚籼稻新组合,米质达国标优质稻谷1级标准,中抗稻瘟病,耐寒性中等偏弱,2007年3月通过江西省品种审定。
关键词 杂交水稻 淦鑫600 优质 选育
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双低油菜大苗稀植高产栽培技术
17
作者 《农技服务》 2002年第10期10-11,共2页
双低油菜大苗稀植高产栽培是在传统育苗移栽基础上,受西瓜嫁接稀植高产栽培技术的启发摸索创新出的一项栽培技术。该技术增产潜力大,高产稳定。现将技术介绍如下: 1、适时早播育大苗
关键词 双低油菜 大苗稀植 高产栽培技术
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抗稻飞虱优质晚稻组合“安两优318” 被引量:1
18
作者 潘连生 彭炳生 +4 位作者 严长发 余后理 徐小红 曾春荣 《江西农业学报》 CAS 2007年第2期122-122,129,共2页
介绍了抗稻飞虱优质晚稻组合“安两优318”的特征特性及优质高产栽培技术要点。
关键词 安两优318 晚稻 抗稻飞虱 特征特性 高产栽培
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黔山秀水洒真情
19
作者 张恩鹏 《政工导刊》 2014年第6期80-80,F0003,共2页
贵州省绥阳县人武部始终把“爱民、亲民、为民”作为教育实践活动的出发点和落脚点,想群众之所想、急群众之所急、帮群众之所需,积极发动官兵和民兵预备役人员参与驻地经济社会建设,努力为当地群众谋福祉。近年来,
关键词 民兵预备役人员 真情 教育实践活动 社会建设 群众 人武部 绥阳县 贵州省
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Structure and optoelectrical properties of transparent conductive MGZO films deposited by magnetron sputtering
20
作者 钟志有 +2 位作者 陆轴 龙浩 顾锦华 《Optoelectronics Letters》 EI 2018年第1期25-29,共5页
The transparent conductive Mg-Ga co-doped Zn O(MGZO) films were prepared by radio-frequency(RF) magnetron sputtering. The influence of substrate temperature on the structural and optoelectrical properties of the films... The transparent conductive Mg-Ga co-doped Zn O(MGZO) films were prepared by radio-frequency(RF) magnetron sputtering. The influence of substrate temperature on the structural and optoelectrical properties of the films is studied. The results show that all the films possess a preferential orientation along the(002) plane. With the increase of substrate temperature, the structure and optoelectrical properties of the films can be changed. When substrate temperature is 300 ℃, the deposited film exhibits the best crystalline quality and optoelectrical properties, with the minimum micro strain of 1.09×10^(-3), the highest average visible transmittance of 82.42%, the lowest resistivity of 1.62×10^(-3) Ω·cm and the highest figure of merit of 3.18×10~3 Ω^(-1)·cm^(-1). The optical bandgaps of the films are observed to be in the range of 3.342—3.545 eV. The refractive index dispersion curves obey the Sellmeier's dispersion model. 展开更多
关键词 AS Structure and optoelectrical properties of transparent conductive MGZO films deposited by magnetron sputtering
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