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基于多体系统理论的非球面磨削误差模型与补偿技术 被引量：24
1
作者 康念辉 李圣怡 郑子文 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期143-149,共7页
为提高大中型非球面的磨削精度,从而提高非球面的加工效率,研究轴对称非球面磨削过程的误差模型,并对误差进行补偿。运用多体系统理论,基于一阶线性模型,建立非球面磨削成形的统一误差模型,并且推导各种误差对于最终面形误差的传递函数... 为提高大中型非球面的磨削精度,从而提高非球面的加工效率,研究轴对称非球面磨削过程的误差模型,并对误差进行补偿。运用多体系统理论,基于一阶线性模型,建立非球面磨削成形的统一误差模型,并且推导各种误差对于最终面形误差的传递函数。基于传递函数特征相似误差集中补偿的方法,将所有趋势项误差转化为砂轮对刀误差以及砂轮形状误差进行补偿,并建立实用补偿模型,从而避免求解、校正各项具体误差。试验结果表明,建立的误差模型和辨识模型正确,可以使面形误差收敛到预期范围,从而解决了轴对称非球面磨削中的精度控制问题。 展开更多
关键词 多体系统理论 非球面磨削 面形精度 误差补偿
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纳米金刚石磨料磁流变抛光材料去除机理与工艺研究 被引量：8
2
作者 石峰 戴一帆 +2 位作者 彭小强 康念辉 刘志军 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期25-30,共6页
理论分析与实验验证表明,纳米金刚石磨料磁流变抛光材料去除机理是塑性剪切去除。在KDMRF-1000F磁流变抛光机床上进行工艺实验,研究抛光轮与工件表面的间隙、抛光轮转速、磁场强度对峰值去除效率和表面粗糙度的影响。工艺实验表明,去除... 理论分析与实验验证表明,纳米金刚石磨料磁流变抛光材料去除机理是塑性剪切去除。在KDMRF-1000F磁流变抛光机床上进行工艺实验,研究抛光轮与工件表面的间隙、抛光轮转速、磁场强度对峰值去除效率和表面粗糙度的影响。工艺实验表明,去除函数具有良好的稳定性和重复性,2.5h以内峰值去除效率稳定在±0.3%以内,体积去除效率稳定在±0.5%以内。直径202mm(有效口径95%)的HIP SiC平面镜采用子孔径拼接测量方法,经过磁流变粗抛(30h)和精抛(9h)后,面形误差PV值0.13μm,RMS值0.012μm,表面粗糙度RMS值2.439nm。 展开更多
关键词 磁流变抛光 去除机理 纳米金刚石 工艺
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典型碳化硅光学材料的超光滑抛光试验研究 被引量：4
3
作者 康念辉 李圣怡 +1 位作者 郑子文 戴一帆 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第21期2528-2531,2535,共5页
研究了三种典型的碳化硅光学材料CVDSiC、HPSiC以及RBSiC的材料去除机理与可抛光性,并对其进行了超光滑抛光试验。在分析各种材料制备方法与材料特性的基础上,通过选择合理的抛光工艺参数,均获得了表面粗糙度优于Rq=2nm(采样面积为0.71m... 研究了三种典型的碳化硅光学材料CVDSiC、HPSiC以及RBSiC的材料去除机理与可抛光性,并对其进行了超光滑抛光试验。在分析各种材料制备方法与材料特性的基础上,通过选择合理的抛光工艺参数,均获得了表面粗糙度优于Rq=2nm(采样面积为0.71mm×0.53mm)的超光滑表面。试验结果表明:研磨过程中,三种碳化硅光学材料均以脆性断裂的方式去除材料,加工表面存在着裂纹以及材料脱落留下的缺陷;抛光过程中,CVDSiC主要以塑性划痕的方式去除材料,决定表面粗糙度的主要因素为表面微观划痕的深度;HPSiC同时以塑性划痕与晶粒脱落的形式去除材料,决定表面粗糙度的主要因素为碳化硅颗粒大小以及颗粒之间微孔的尺寸;RBSiC为多组分材料,决定其表面粗糙度的主要因素为RBSiC三种组分之间的去除率差异导致的高差。 展开更多
关键词 碳化硅 抛光 去除机理 表面粗糙度
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基于ADAMS的四连杆机构驱动电机参数确定方法 被引量：5
4
作者 康念辉 刘红良 +1 位作者 周亚曙 陆林 《机械传动》 CSCD 北大核心 2014年第7期87-89,共3页
四连杆机构的驱动力矩和等效转动惯量是确定驱动电机参数的重要依据。采用SolidWorks软件建立了四连杆机构及所带负载的实物模型,并将其导入ADAMS软件进行运动学和动力学仿真,分析了驱动力矩和等效转动惯量在运动周期内的变化规律,为确... 四连杆机构的驱动力矩和等效转动惯量是确定驱动电机参数的重要依据。采用SolidWorks软件建立了四连杆机构及所带负载的实物模型,并将其导入ADAMS软件进行运动学和动力学仿真,分析了驱动力矩和等效转动惯量在运动周期内的变化规律,为确定驱动电机参数提供了依据。实践表明,采用该方法确定驱动电机参数比采用传统的解析方法更具优势,可极大地减少工作量。 展开更多
关键词 ADAMS 四连杆机构 驱动电机 参数确定
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化学气相沉积碳化硅平面反射镜的高精度超光滑加工 被引量：2
5
作者 康念辉 李圣怡 +1 位作者 郑子文 戴一帆 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期69-73,共5页
针对化学气相沉积碳化硅平面反射镜的材料特性与技术要求,制定了"传统研抛+离子束抛光"的工艺方法,并在一块口径为100mm的试件上进行了验证。首先基于加工效率和亚表面损伤选择合理的工艺参数,并采用磁流变抛光斑点法测量各... 针对化学气相沉积碳化硅平面反射镜的材料特性与技术要求,制定了"传统研抛+离子束抛光"的工艺方法,并在一块口径为100mm的试件上进行了验证。首先基于加工效率和亚表面损伤选择合理的工艺参数,并采用磁流变抛光斑点法测量各道工序的亚表面损伤,并以此为依据规划下一道工序的材料去除量;然后分析抛光表面粗糙度的影响因素,在此基础上对抛光工艺参数进行优化,获得表面粗糙度均方根方差值为0.584nm的超光滑表面,并控制工件的面形误差;最后采用离子束抛光进行精度提升,使工件的低频和中频误差均大幅下降,最终工件的面形精度均方根方差值达到0.007λ(λ=632.8nm),表面粗糙度均方根方差值为0.659nm。 展开更多
关键词 化学气相沉积碳化硅 超光滑 亚表面损伤 离子束抛光
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碳化硅反射镜坯体光学加工的残余应力测量与分析 被引量：1
6
作者 康念辉 李圣怡 +1 位作者 戴一帆 吴宇列 《光学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期924-928,932,共6页
测量并分析了碳化硅反射镜坯体光学加工的残余应力。采用X射线衍射法测定了磨削成形、研磨以及抛光过程引入的表面残余应力的性质和大小;采用逐层抛光法测定了在用120#粒度金刚石砂轮磨削时引入的残余应力层厚度。研究结果表明:在用120... 测量并分析了碳化硅反射镜坯体光学加工的残余应力。采用X射线衍射法测定了磨削成形、研磨以及抛光过程引入的表面残余应力的性质和大小;采用逐层抛光法测定了在用120#粒度金刚石砂轮磨削时引入的残余应力层厚度。研究结果表明:在用120#金刚石砂轮磨削加工时沿磨削方向和垂直于磨削方向分别引入了残余拉应力和残余压应力,其大小分别为40MPa和70MPa,应力层深度约为60μm,大于裂纹层深度;在用W7金刚石微粉研磨时引入了残余压应力,在其作用范围内残余应力平均值为60～80MPa;在抛光时理论上会引入残余压应力。在此基础上提出了在碳化硅反射镜坯体的光学加工过程中,可以通过研磨消除磨削引入的裂纹层和残余应力层。 展开更多
关键词 光学加工 碳化硅反射镜 残余应力 X射线衍射法 测量误差
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杯形砂轮铣磨二次曲面的数学模型与误差分析
7
作者 康念辉 李圣怡 +1 位作者 郑子文 周旭升 《航空精密制造技术》 2005年第2期13-16,共4页
运用几何方法,推导了杯形砂轮铣磨二次曲面的数学模型和砂轮轨迹的计算公式。分析了加工残留误差,砂轮磨损以及砂轮倾角误差对面形精度的影响。
关键词 杯形砂轮 二次曲面 数学模型 误差分析
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化学气相沉积碳化硅超光滑抛光机理与表面粗糙度影响因素
8
作者 康念辉 李圣怡 郑子文 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期89-94,共6页
为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行了... 为实现化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)的超光滑抛光,采用纳米划痕试验研究了化学气相沉积碳化硅脆塑转变的临界载荷,根据单颗磨粒受力对其抛光机理进行了分析,并从材料特性、工艺参数以及抛光液pH值三个方面对其表面粗糙度影响因素进行了系统的试验研究。研究结果表明:化学气相沉积碳化硅的稳定抛光过程是磨粒对碳化硅表面的塑性域划痕过程;CVD SiC的晶粒不均匀与表面高点会降低最终所能达到的表面质量;表面粗糙度在一定范围内随磨粒粒度增加呈近似线性增长,随抛光模硬度的增加而增长;抛光压强对表面粗糙度的影响规律与抛光模的变形行为相关,当抛光模处于弹性或弹塑性变形阶段时,表面粗糙度随抛光压强的增加呈小幅增长,而当抛光模包含塑性变形之后,表面粗糙度基本与抛光压强无关;此外,抛光速度和抛光液pH值对表面粗糙度的影响不大。研究结论为CVD SiC超光滑抛光的工艺参数优化选择提供了定量的试验依据。 展开更多
关键词 化学气相沉积碳化硅 纳米划痕试验 抛光机理 表面粗糙度
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