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二维半导体异质结MoS_(2)/MoSe_(2)中一维量子阱形成机制的电子显微学研究
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作者 庞靖博 时金安 +3 位作者 李昂 李林璇 朱俊桐 周武 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期29-37,共9页
本文使用两步化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)成功合成了单层二维半导体MoS_(2)/MoSe_(2)面内异质结,通过扫描透射电子显微学(scanning transmission electron microscopy,STEM)对异质结中不同类型的量子阱进行了原子尺... 本文使用两步化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)成功合成了单层二维半导体MoS_(2)/MoSe_(2)面内异质结,通过扫描透射电子显微学(scanning transmission electron microscopy,STEM)对异质结中不同类型的量子阱进行了原子尺度结构和局域应力分析,探索了二维半导体材料中,不同结构特征处诱导形成一维量子阱结构的机理。主要包括:(1)晶格失配的二维半导体异质结界面处周期性位错阵列诱导形成的量子阱超晶格;(2)二维半导体晶格内非60°晶界所包含的周期性位错诱导形成周期可控的量子阱超晶格;(3)由连续4|8元环结构组成的60°晶界诱导形成的超长单一量子阱结构。 展开更多
关键词 MoS_(2)/MoSe_(2)异质结 位错 应力 量子阱 低电压STEM
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