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OsSi_2电子结构和光学性质的研究 被引量:12
1
作者 李旭珍 谢泉 +2 位作者 陈茜 赵凤娟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期2016-2021,共6页
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对正交相OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明它是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0·813eV;其价带主要由Os的5d和Si的3p态电子构成;导带主要由Si的3... 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对正交相OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明它是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0·813eV;其价带主要由Os的5d和Si的3p态电子构成;导带主要由Si的3s,3p以及Os的5d态电子构成;静态介电常数ε1(0)=15·43;折射率n=3·93·并利用计算的能带结构和态密度分析了OsSi2的介电函数、吸收系数、折射率、反射率、光电导率和能量损失函数的计算结果,为OsSi2的设计与应用提供了理论依据. 展开更多
关键词 OsSi2 第一性原理 电子结构 光学性质
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Ru_2Si_3电子结构及光学性质的第一性原理计算 被引量:7
2
作者 谢泉 +2 位作者 陈茜 赵凤娟 李旭珍 《中国科学(G辑)》 CSCD 北大核心 2009年第10期1431-1438,共8页
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法系统地计算了正交相Ru2Si3的电子结构、态密度和光学性质,计算结果表明Ru2Si3是一种直接带隙半导体,禁带宽度为0.51eV;其能态密度主要由Ru的4d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;静态... 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法系统地计算了正交相Ru2Si3的电子结构、态密度和光学性质,计算结果表明Ru2Si3是一种直接带隙半导体,禁带宽度为0.51eV;其能态密度主要由Ru的4d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;静态介电函数ε1(0)=16.83;折射率n0=4.1025;吸收系数最大峰值为2.8×105cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Ru2Si3材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质,为Ru2Si3光电材料的设计与应用提供了理论依据. 展开更多
关键词 Ru2Si3 第一性原理 电子结构 光学性质
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Ru_2Si_3在应力作用下的第一性原理研究 被引量:6
3
作者 贾锐 +1 位作者 谢泉 赵珂杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期907-912,共6页
采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负应力的逐渐增... 采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负应力的逐渐增大,带隙缓慢减小并且始终为直接带隙。光学性质曲线随着负应力的不断减小至正应力的不断增大都向高能方向漂移。 展开更多
关键词 Ru2Si3 第一性原理 应力 电子结构
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激光在PERC晶硅电池中背面点接触电极制备中的应用 被引量:4
4
作者 王仕建 贾锐 +6 位作者 张希清 孙昀 孟彦龙 丁武昌 陈晨 任高全 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期634-638,共5页
在经过Al2O3全钝化发射极钝化局部背接触(PERC)结构电池的背面实现良好的接触电极一直是制约着PERC高效电池向产业化推广的重要因素之一。本文采用532 nm激光烧蚀背面钝化介质层方法和传统的光刻工艺来实现背面电极的局部接触,并对两种... 在经过Al2O3全钝化发射极钝化局部背接触(PERC)结构电池的背面实现良好的接触电极一直是制约着PERC高效电池向产业化推广的重要因素之一。本文采用532 nm激光烧蚀背面钝化介质层方法和传统的光刻工艺来实现背面电极的局部接触,并对两种方法进行详细的比较与分析。对激光烧蚀和激光烧结两种不同的局部接触电极制备方式进行了对比,发现激光烧蚀是更为适宜的工艺方式。相较于激光烧结,以激光烧蚀方式制备的电池的串联面接触电阻从10.7Ω.cm2降到1.24Ω.cm2,效率从4.2%提高到10.7%。 展开更多
关键词 晶硅电池 AL2O3 局部接触 激光烧蚀 激光烧结
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光子晶体的研究与应用 被引量:2
5
作者 赵珂杰 《电脑知识与技术》 2009年第9期7260-7262,共3页
光子晶体是一种具有光子能带及能隙的新型材料。其特有的性质,使光子晶体具有广阔的应用前景。本文基于固体物理学的基本原理,对光子晶体的理论基础进行了简单介绍,根据其特有结构,对光子晶体的特性做了一定分析,并结合现实需要,... 光子晶体是一种具有光子能带及能隙的新型材料。其特有的性质,使光子晶体具有广阔的应用前景。本文基于固体物理学的基本原理,对光子晶体的理论基础进行了简单介绍,根据其特有结构,对光子晶体的特性做了一定分析,并结合现实需要,综述了光子晶体在光学等方面的应用。 展开更多
关键词 光子晶体 能带 应用
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梯度掺杂对n型异质结太阳能电池性能的影响 被引量:2
6
作者 贾锐 +3 位作者 丁武昌 张烨 A.W.Weeber 宋世庚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1505-1510,共6页
通过仿真软件AFORS-HET对a-Si∶H(p)/i-a-Si∶H/c-Si(n)异质结太阳能电池的光伏特性进行分析及优化,主要对比了a-Si∶H(p)层的均匀掺杂和表面掺杂浓度D1=1×1020cm-3>界面掺杂浓度D2=4×1019cm-3的梯度掺杂情况时的光伏特性... 通过仿真软件AFORS-HET对a-Si∶H(p)/i-a-Si∶H/c-Si(n)异质结太阳能电池的光伏特性进行分析及优化,主要对比了a-Si∶H(p)层的均匀掺杂和表面掺杂浓度D1=1×1020cm-3>界面掺杂浓度D2=4×1019cm-3的梯度掺杂情况时的光伏特性,实现了在梯度掺杂时22.32%的光电转换效率。与均匀梯度掺杂相比,发射层的梯度掺杂除了引入一个附加电场,还优化了能带结构、光谱响应、表面复合速率。结果表明,梯度掺杂可以有效地改善电池的光电转换性能。 展开更多
关键词 梯度掺杂 光伏特性 能带结构 AFORS-HET
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Rh掺杂的Ru_2Si_3的电子结构及光学性质 被引量:2
7
作者 贾锐 +1 位作者 谢泉 赵珂杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期960-965,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类... 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为n型,静态介电函数值为ε1(0)=25.201 4,折射率n0的值有所增大为5.02。 展开更多
关键词 掺杂Ru2Si3 电子结构 光学性质 第一性原理
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Si基外延Ru_2Si_3电子结构及光学性质研究 被引量:1
8
作者 谢泉 +2 位作者 陈茜 赵凤娟 李旭珍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期2027-2032,共6页
采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3(100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3[010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下的能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算.计算结果表明:当晶格常数a取值为1·093nm时,... 采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3(100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3[010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下的能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算.计算结果表明:当晶格常数a取值为1·093nm时,正交相Ru2Si3处于稳定状态并且是具有带隙值为0·773eV的直接带隙半导体;其价带主要是由Ru的4d态电子构成;导带主要是由Ru的4d态电子及Si的3p态电子构成;静态介电常数ε10为18·91;折射率n0为4·349· 展开更多
关键词 外延 第一性原理 电子结构 光学性质
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环境友好半导体Ca_2Si晶体生长及其性能研究 被引量:1
9
作者 任雪勇 +2 位作者 谢泉 付姗姗 周文娟 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2008年第5期459-464,共6页
环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1.9 eV,且在4.5 eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2,因此,有望使用Ca2Si开发发光二极管、高效率太阳能电池等。综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性... 环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1.9 eV,且在4.5 eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2,因此,有望使用Ca2Si开发发光二极管、高效率太阳能电池等。综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,由于现有的制备方法不适合大面积的制备Ca2Si材料,因此,提出了利用磁控溅射技术制备Ca2Si材料的设想。展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。 展开更多
关键词 Ca2Si晶体 直接带隙材料 太阳能电池
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文选登 多晶硅电池叠层抗反射层的设计研究
10
作者 丁武昌 贾锐 +5 位作者 陈晨 孟彦龙 乔秀梅 金智 刘新宇 《太阳能》 2013年第1期35-37,共3页
根据多晶硅电池对表面抗反射薄膜设计的需要,基于薄膜反射特征导纳矩阵理论结合电池的背底反射,建立了完善的表面反射和电池吸收计算模型,在已知薄膜复折射率的前提下可给出反射率的精确计算结果。利用该计算模型,设计了多种表面反射结... 根据多晶硅电池对表面抗反射薄膜设计的需要,基于薄膜反射特征导纳矩阵理论结合电池的背底反射,建立了完善的表面反射和电池吸收计算模型,在已知薄膜复折射率的前提下可给出反射率的精确计算结果。利用该计算模型,设计了多种表面反射结构,其中硅量子点镶嵌氮化硅与二氧化硅组成的双层抗反射薄膜,在AM1.5光谱下其积分反射率最低可达到4.38%;分析了不同硅量子点体积比对于该双层抗反射膜的影响,系统给出了实际生长该双层抗反射层的具体参数,即富硅氮化硅中的Si∶N=1∶1时即可达到较好的表面抗反射效果。 展开更多
关键词 抗反射 特征导纳 硅量子点 太阳电池
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Ru_(0.9375)Mn_(0.0625)Si_3的电子结构及光学性质研究
11
作者 贾锐 +1 位作者 谢泉 赵珂杰 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1775-1779,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺入Mn的电子结构和光学性质进行了研究。计算结果表明:掺入这种杂质使得Ru2Si3的晶胞体积均有所增大。Ru2Si3中掺入Mn时,Mn原子替换RuI位的Ru原子... 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺入Mn的电子结构和光学性质进行了研究。计算结果表明:掺入这种杂质使得Ru2Si3的晶胞体积均有所增大。Ru2Si3中掺入Mn时,Mn原子替换RuI位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为p型,静态介电函数1(0)非常大,同时折射率n0的值变化较大,达到了17.722。 展开更多
关键词 掺杂Ru2Si3 电子结构 光学性质 第一性原理
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基于OFDM系统的STBC的仿真与性能研究
12
作者 付姗姗 谭菊华 +1 位作者 周文娟 《电脑知识与技术》 2009年第8期6285-6286,6313,共3页
正交频分复用(OFDM)技术具有良好的抗选择性衰落特性,在无线通信领域受到越来越多的关注.为了提高系统容量和性能,本文将空时分组码(STBC)引入OFDM系统,首先介绍STBC编码的原理及特点,然后结合OFDM的优势.从而构建一个STBC—O... 正交频分复用(OFDM)技术具有良好的抗选择性衰落特性,在无线通信领域受到越来越多的关注.为了提高系统容量和性能,本文将空时分组码(STBC)引入OFDM系统,首先介绍STBC编码的原理及特点,然后结合OFDM的优势.从而构建一个STBC—OFDM系统。并进一步分析了STBC—OFDM系统的性能。 展开更多
关键词 空时分组码 正交频分复用 译码
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基于μC/OS的嵌入式系统中的触摸屏驱动及其应用
13
作者 周文娟 付姗姗 《电脑知识与技术》 2008年第12期1779-1781,共3页
μC/OS是源码公开的实时嵌入式操作系统,可移植,可固化,可裁减,该文重点介绍了在该系统下,触摸屏的工作原理及触摸屏的驱动及应用,并同时给出了设计方法。
关键词 触摸屏 嵌入式 接口
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开设物理及材料科学类课程情况调查
14
作者 谢泉 陈茜 +4 位作者 肖清泉 高冉 张晋敏 李旭珍 《电气电子教学学报》 2009年第S1期24-26,共3页
本文对目前国内高校电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程的情况进行了调查,结果表明:96%的高校开设了物理及材料科学类的课程,作为必修课的高校有64%,使用通用教材的高校有78%,认为开设此类课程有必要性的高校有95%,认为对学生... 本文对目前国内高校电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程的情况进行了调查,结果表明:96%的高校开设了物理及材料科学类的课程,作为必修课的高校有64%,使用通用教材的高校有78%,认为开设此类课程有必要性的高校有95%,认为对学生就业和继续深造有作用的高校为100%,从而为电子科学与技术专业教学指导分委员会制定专业规范和发展战略提供了数据依据。 展开更多
关键词 电子科学与技术专业 物理及材料科学类课程 百分比
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应力下OsSi_2电子结构和光学特性研究
15
作者 李旭珍 谢泉 +2 位作者 陈茜 赵凤娟 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期746-751,共6页
采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density Functional Theory)赝势法,对各向同性形变下OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算.计算结果表明,当晶格常数从96%,100%,104%依次进行各向同性形变时,OsSi2的带隙逐渐减小.当晶... 采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density Functional Theory)赝势法,对各向同性形变下OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算.计算结果表明,当晶格常数从96%,100%,104%依次进行各向同性形变时,OsSi2的带隙逐渐减小.当晶格参数被压缩到原来的96%时,OsSi2的间接带隙值Eg=0.928eV,当晶格参数被拉伸到原来的104%时,OsSi2的间接带隙值Eg=0.068eV.其光学特性曲线向低能方向漂移,晶格拉伸使得OsSi2的静态介电函数增大而压缩使其减小;晶格压缩可以使其吸收响应增强,进而提高光电转换效率. 展开更多
关键词 OsSi2 第一性原理 应力 电子结构 光学特性
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Si(001)面上外延生长的Ru_2Si_3电子结构及光学性质研究 被引量:4
16
作者 谢泉 +2 位作者 陈茜 赵凤娟 李旭珍 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期3152-3156,共5页
基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3(100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3[010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算。计算结果表明:当1.087 nm≤a≤1.099 nm时,正交相Ru2Si... 基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3(100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3[010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算。计算结果表明:当1.087 nm≤a≤1.099 nm时,正交相Ru2Si3的带隙值随着晶格常数a取值的增大而增大。当a取值为1.093 nm时,体系处于稳定状态,此时Ru2Si3是具有带隙值为0.773 eV的直接带隙半导体。Ru2Si3价带主要是由Si的3p,3s态电子及Ru 4d态电子构成;导带主要由Ru的4d及Si的3p态电子构成。外延稳定态及其附近各点处Ru2Si3介电函数的实部和虚部变化趋势基本一致,但外延稳定态Ru2Si3介电函数的曲线相对往低能区漂移,出现的介电峰减少且峰的强度明显增强。 展开更多
关键词 光学材料 Ru2Si3 第一性原理 外延 电子结构 光学性质
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电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程调查 被引量:1
17
作者 谢泉 陈茜 +4 位作者 肖清泉 高冉 张晋敏 李旭珍 《教育文化论坛》 2009年第2期70-74,共5页
本文对目前国内高校电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程的情况进行了调查,结果表明:96%的高校开设了物理及材料科学类的课程,作为必修课的高校占64%,使用通用教材的高校占78%,认为开设此类课程有必要性的高校占95%,认为对学生... 本文对目前国内高校电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程的情况进行了调查,结果表明:96%的高校开设了物理及材料科学类的课程,作为必修课的高校占64%,使用通用教材的高校占78%,认为开设此类课程有必要性的高校占95%,认为对学生就业和继续深造有作用的高校为100%。调查结果为电子科学与技术专业教学指导分委员会制定专业规范和发展战略提供了数据依据。 展开更多
关键词 电子科学与技术专业 物理及材料科学类课程 百分比
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