本文用SCF ab initio方法对插入反应SiH_2(~1A_1)+H_2→SiH_4的反应物、产物及过渡态,在3-21G基组下优化出了它们的几何构型,并计算了该构型下的频率,进而计算了该反应的热焓△H。自由能AG和平衡常数K_D,计算结果指出在1500K以下该反应...本文用SCF ab initio方法对插入反应SiH_2(~1A_1)+H_2→SiH_4的反应物、产物及过渡态,在3-21G基组下优化出了它们的几何构型,并计算了该构型下的频率,进而计算了该反应的热焓△H。自由能AG和平衡常数K_D,计算结果指出在1500K以下该反应是放热的,能自发进行,然后,用Eyring过渡态理论计算了该反应的速度常数k(T),其值与Inoue的实验结果符合得很好。展开更多
在6-311+G~*基组水平上用CISD(configuration interaction with singly and doubly excited configurations)方法研究HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系电子对内、对间的相关能.计算结果表明不同元素形成的HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系,其价层电子...在6-311+G~*基组水平上用CISD(configuration interaction with singly and doubly excited configurations)方法研究HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系电子对内、对间的相关能.计算结果表明不同元素形成的HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系,其价层电子对内、对间相关能的变化较大,它们之间存在着轨道差别,不宜将其相关贡献归为简单的常数.在使用相同理论方法和相同质量基组的前提下,电子数将直接影响到电子对间相关能的大小.对于多电子体系,电子对间相关在总相关中占有优势,若将其忽略会引起较大误差.展开更多
文摘本文用SCF ab initio方法对插入反应SiH_2(~1A_1)+H_2→SiH_4的反应物、产物及过渡态,在3-21G基组下优化出了它们的几何构型,并计算了该构型下的频率,进而计算了该反应的热焓△H。自由能AG和平衡常数K_D,计算结果指出在1500K以下该反应是放热的,能自发进行,然后,用Eyring过渡态理论计算了该反应的速度常数k(T),其值与Inoue的实验结果符合得很好。
文摘在6-311+G~*基组水平上用CISD(configuration interaction with singly and doubly excited configurations)方法研究HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系电子对内、对间的相关能.计算结果表明不同元素形成的HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系,其价层电子对内、对间相关能的变化较大,它们之间存在着轨道差别,不宜将其相关贡献归为简单的常数.在使用相同理论方法和相同质量基组的前提下,电子数将直接影响到电子对间相关能的大小.对于多电子体系,电子对间相关在总相关中占有优势,若将其忽略会引起较大误差.
