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题名一种微弱电荷信号的调理电路设计
被引量：9
- 1
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作者
任勇峰
尉易庆
贾兴中
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机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术重点实验室
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出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2019年第3期86-90,共5页
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文摘
在现代工业、军事等领域,动态测试中冲击的精确测量起到重要的作用。在研究压电加速度传感器的基础上,设计了针对微弱冲击电荷信号的放大及调理电路,并对前级电荷放大电路、后级高通滤波、低通滤波以及放大调理电路进行了逐级分析计算,对压电冲击传感器及电荷放大调理电路进行了整体扫频等测试。经过试验测试,电路在通频带内具有良好的平坦度,在截止频率外,信号急剧衰减,在2倍通频带处衰减可达-60 dB。在高温60℃、低温-40℃环境下,输出振幅偏差小于3%,已成功应用于工程实践中。
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关键词
压电效应
巴特沃斯
Sallen-Key结构
抗混叠
多路反馈
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Keywords
piezoelectric effect
Butterworth
Sallen-Key structure
anti-aliasing
multiple feedback
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分类号
TN713
[电子电信—电路与系统]
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题名基于电磁超材料的射频能量收集器设计及性能验证
被引量：1
- 2
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作者
尉易庆
杨慧敏
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机构
忻州师范学院电子系
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第1期91-94,98,共5页
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基金
山西省高等学校科技创新计划资助项目(2023L293)。
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文摘
设计了一种用于2.45GHz射频(RF)能量收集的超材料能量收集器,为典型的三明治结构,超材料谐振结构为互补开口谐振环(CSRR),介质层选用具有低损耗角正切特性的F4B材质。通过在CSRR的开口处打孔并加载负载电阻,实现了WiFi频段电磁(EM)能量的完美吸收。通过对收集器输入阻抗及多物理场分布的仿真,从不同方面分析了超材料能量收集器的吸波机理。样品的测试结果表明:所设计的超材料能量收集器能够在2.5 GHz达到89.3%的能量收集效率。验证了所设计的超材料谐振结构用于WiFi能量收集的可行性,可用于低功耗消费电子、医疗植入设备、物联网传感器节点等的主要或供电辅助来源。
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关键词
超材料
能量收集
欧姆损耗
电磁谐振
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Keywords
metamaterial
energy harvesting
Ohmic loss
electromagnetic(EM)resonance
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TB34
[自动化与计算机技术—控制科学与工程]
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题名一种用于电磁能量收集的可扩展宽频超表面能量收集器
被引量：2
- 3
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作者
尉易庆
张斌珍
段俊萍
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机构
中北大学微米纳米技术研究中心省部共建动态测试技术国家重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第4期558-565,共8页
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基金
国家自然科学基金(5217555)
山西省重点研发项目(国际合作)(201803D421043)
+1 种基金
山西省基础研究计划资助项目(20210302123074)
山西省高等学校中青年拔尖创新人才。
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文摘
设计了一种用于X波段和Ku波段电磁能量收集的可扩展宽频超表面能量收集器,其由周期性结构单元、整流器和负载组成。通过结构单元相互连接构建能量传输通道,实现入射能量的传输和聚集,进而增强了超表面能量收集器捕获能量的能力。通过超表面阵列和整流器的共面集成设计,减少了能量传输中的功率损耗,并简化了结构。仿真结果表明,该超表面能量收集器在6.5~19 GHz频带下具有良好的吸收,在12.75 GHz谐振频率下具有98%的半功率带宽。对制备的10×9的超表面有限阵列进行测试,结果表明,在可用输入功率为16 dBm时,超表面能量收集器的射频-直流转换效率最高可达56.2%。设计的超表面能量收集器具有宽带吸收、阵列数量可扩展的特点,能够在不同环境下高效地收集电磁能量。
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关键词
超表面能量收集器
环境能量收集(AEH)
整流器
宽频
倍压整流器
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Keywords
metasurface energy harvester
ambient energy harvesting(AEH)
rectifier
wideband
voltage doubler rectifier
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分类号
TB34
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名一种高速数据存储系统的优化设计
被引量：4
- 4
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作者
尉易庆
吴利兵
任勇峰
贾兴中
刘兴俊
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机构
中北大学电子测试技术国家重点实验室
晋中职业技术学院
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
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出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2016年第4期816-819,共4页
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文摘
针对记录器高速存储的需要,对基于FPGA和NANDFLASH的高速数据存储系统进行了优化设计。该设计通过采用交替双平面的编程方式,对存储器的存储速率进行了优化,使存储速率达到单片Flash最高存储速率的两倍,即60 Mbit/s;采用双绞线和电缆延展芯片组,对传输质量进行优化;采用边擦除边写入的方式对存储逻辑进行了优化。在器件选择方面,采用LVDS构成接口电路,FPGA控制逻辑电路。该优化设计的可行性和可靠性已通过工程实践验证。
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关键词
FPGA
高速存储
LVDS
逻辑设计
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Keywords
FPGA
high-speed storage
LVDS
logic design
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分类号
TP301.6
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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