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掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs　MSM光电探测器 被引量：5
1
作者 张永刚 单宏坤 +2 位作者 周平 富小妹 潘慧珍 《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第3期223-225,共3页
采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓＭＳＭ光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电流为１７０ｎＡ，对... 采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓＭＳＭ光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电流为１７０ｎＡ，对应的暗电流密度约为３ｍＡ／ｃｍ２；瞬态响应中上升时间ｔｒ为２１ｐｓ，半高宽ＦＷＨＭ为７５ｐｓ。 展开更多
关键词 光电探测器 光电集成 金属有机物 肖特基势垒
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InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成 被引量：1
2
作者 李维旦 富小妹 潘慧珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期173-178,共6页
本文采用计算机辅助分析等方法,讨论了InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)结构参数与其性能的关系.在此基础上,提出了一种准平面、双集电区HBT,及其相应的制作工艺.初步测试了器件的性能,就其与材料质量的关系作了讨论.文章还提出和制作... 本文采用计算机辅助分析等方法,讨论了InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)结构参数与其性能的关系.在此基础上,提出了一种准平面、双集电区HBT,及其相应的制作工艺.初步测试了器件的性能,就其与材料质量的关系作了讨论.文章还提出和制作了一种采用这种HBT为电子器件的光电子集成电路(OEIC). 展开更多
关键词 INGAASP/INP 异质结 晶体管
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单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制
3
作者 张永刚 富小妹 潘慧珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期148-152,共5页
本文报告了一种OEIC器件:单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制结果.为解决光电器件与电子器件在集成上的兼容性,采用了在结构衬底上进行平面化外延的新工艺,达到了器件的准平面结构,并对器件的主要参数进行了计算,选取了较佳... 本文报告了一种OEIC器件:单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制结果.为解决光电器件与电子器件在集成上的兼容性,采用了在结构衬底上进行平面化外延的新工艺,达到了器件的准平面结构,并对器件的主要参数进行了计算,选取了较佳的载流子浓度.制成的单片集成器件中,PIN光探测器的量子效率在1.3μm处为57％,暗电流在-5V下小于100nA,JFET的跨导为34ms/mm,与计算植相符.对器件进行光接收功能测试获得了预期的结果. 展开更多
关键词 OEIC INGAAS JFET 光探测器
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InP中的Be、P共注入及其退火特性研究
4
作者 张永刚 富小妹 潘慧珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第8期641-644,共4页
本文对InP中的Be单注入和Be、p共注入及其退火特性进行了比较.SIMS和电化学C-V测试结果表明:采用Be、P共注入可以抑制退火过程中的Be扩散再分布,提高载流子的激活率,改善Pn结的电特性.与单注入相比,共注入样品Be的激活率提高了近一倍.p... 本文对InP中的Be单注入和Be、p共注入及其退火特性进行了比较.SIMS和电化学C-V测试结果表明:采用Be、P共注入可以抑制退火过程中的Be扩散再分布,提高载流子的激活率,改善Pn结的电特性.与单注入相比,共注入样品Be的激活率提高了近一倍.pn结的击穿电压提高,漏电流明显减小.文中对共注入改善退火特性的机理进行了讨论. 展开更多
关键词 离子注入 热退火 铍 磷 半导体
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InP中的Be,P共注入及其退火特性研究
5
作者 张永刚 富小妹 《科技通讯（上海船厂）》 1989年第2期14-17,共4页
关键词 离子注入 热退火 铍 磷 半导体
全文增补中
2.4μm GaInAsSb红外探测器台面腐蚀研究
6
作者 梁帮立 夏冠群 +1 位作者 富小妹 程宗权 《微电子技术》 2000年第4期24-27,共4页
本文提出了适于２．μｍ　ＧａＩｎｓＳｂ台面结构探测器制备的ＨＦ／Ｈ２Ｏ２／ Ｃ４Ｈ６Ｏ６／Ｈ２Ｏ腐蚀液体系，并确定了合适的成分配比。实验结果表明，该腐蚀液 体系对ＧａＩｎＡｓＳｂ材料腐蚀速度适中、侧向腐蚀小、不破坏光刻... 本文提出了适于２．μｍ　ＧａＩｎｓＳｂ台面结构探测器制备的ＨＦ／Ｈ２Ｏ２／ Ｃ４Ｈ６Ｏ６／Ｈ２Ｏ腐蚀液体系，并确定了合适的成分配比。实验结果表明，该腐蚀液 体系对ＧａＩｎＡｓＳｂ材料腐蚀速度适中、侧向腐蚀小、不破坏光刻胶保护、腐蚀面 平整、腐蚀槽齐整、受外延付表面质量影响较小。 展开更多
关键词 GAINASSB 红外探测器 台面腐蚀
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