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掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应
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作者 冀子武 三野弘文 +3 位作者 音贤一 室清文 秋本良一 嶽山正二郎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期6609-6613,共5页
报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温(5—10 K)条件下的各种光学性质.磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.对于空间间接光致发光(spaciallyindirect PL)光谱,它的主... 报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温(5—10 K)条件下的各种光学性质.磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.对于空间间接光致发光(spaciallyindirect PL)光谱,它的主发光峰显示了一个反玻尔兹曼分布的非对称性,并且在磁场中(Voigt配置)它的峰值能量随磁场的增加而降低.这些实验结果显示了该掺杂样品的空间间接PL是来自Ⅱ型QW结构所特有的带电激子的跃迁. 展开更多
关键词 光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱
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