期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Li、Ce掺杂对NBTa-CBN高温压电陶瓷性质的影响研究
1
作者
徐鸿飞
史伟
+2 位作者
官
尚义
吴禹桐
陈强
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第2期184-190,共7页
采用传统固相反应法制备了Ca_(0.5)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.5-3 x)(Li_(0.5)Ce_(0.5))_(3x) Bi_(2)TaNb_(0.99)Mn_(0.01)O_(9)(CNBTNM-LC100_(x))高居里温度(T_(C))压电陶瓷。研究了Li、Ce复合离子掺杂对陶瓷结构和电学性质的影响。结果...
采用传统固相反应法制备了Ca_(0.5)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.5-3 x)(Li_(0.5)Ce_(0.5))_(3x) Bi_(2)TaNb_(0.99)Mn_(0.01)O_(9)(CNBTNM-LC100_(x))高居里温度(T_(C))压电陶瓷。研究了Li、Ce复合离子掺杂对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,随着Li、Ce掺杂量的增加,CNBTNM-LC100_(x)陶瓷的晶体结构趋于由正交相向四方相转变,压电常数d 33逐渐增大,当x>0.04(x为摩尔分数)时,d 33趋于降低。x=0.04时,具有最优的综合电学性能,d 33约为15.9 pC/N,600℃下直流电阻率ρ约为5.9×10^(5)Ω·cm,介电损耗tanδ(1 MHz)约为7%,T_(C)约为887℃。
展开更多
关键词
压电陶瓷
铋层状铁电体
高居里温度
Na_(0.5)Bi_(2.5)Ta_(2)O_(9)
CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)
下载PDF
职称材料
CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)基压电陶瓷改性研究
2
作者
王啸宇
黄晨婷
+2 位作者
官
尚义
史伟
陈强
《压电与声光》
CAS
北大核心
2021年第6期775-780,共6页
该文采用传统固态反应法制备了Ca_(1-x)(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))_(x)Bi_(2)Ta_(2)O_(9)(x为摩尔分数)陶瓷,研究了(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))^(2+)复合离子不同掺杂浓度对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,在选定浓度范围内,(Li_(...
该文采用传统固态反应法制备了Ca_(1-x)(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))_(x)Bi_(2)Ta_(2)O_(9)(x为摩尔分数)陶瓷,研究了(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))^(2+)复合离子不同掺杂浓度对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,在选定浓度范围内,(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))^(2+)复合离子改善了CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)基陶瓷的压电活性与高温下的直流电阻等特性。当x=0.08时,陶瓷具有最佳综合性能,即压电常数d_(33)=10.3 pC/N,居里温度T_(C)=928℃,直流电阻率ρ=1.12×10^(6)Ω·cm(650℃),介电损耗tanδ=0.026(1 MHz,650℃)。
展开更多
关键词
压电陶瓷
CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)(CBT)
电阻率
铋层状铁电体
高居里温度
下载PDF
职称材料
题名
Li、Ce掺杂对NBTa-CBN高温压电陶瓷性质的影响研究
1
作者
徐鸿飞
史伟
官
尚义
吴禹桐
陈强
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第2期184-190,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(51932010)。
文摘
采用传统固相反应法制备了Ca_(0.5)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.5-3 x)(Li_(0.5)Ce_(0.5))_(3x) Bi_(2)TaNb_(0.99)Mn_(0.01)O_(9)(CNBTNM-LC100_(x))高居里温度(T_(C))压电陶瓷。研究了Li、Ce复合离子掺杂对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,随着Li、Ce掺杂量的增加,CNBTNM-LC100_(x)陶瓷的晶体结构趋于由正交相向四方相转变,压电常数d 33逐渐增大,当x>0.04(x为摩尔分数)时,d 33趋于降低。x=0.04时,具有最优的综合电学性能,d 33约为15.9 pC/N,600℃下直流电阻率ρ约为5.9×10^(5)Ω·cm,介电损耗tanδ(1 MHz)约为7%,T_(C)约为887℃。
关键词
压电陶瓷
铋层状铁电体
高居里温度
Na_(0.5)Bi_(2.5)Ta_(2)O_(9)
CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)
Keywords
piezoelectric ceramics
bismuth layer-structured ferroelectrics
high Curie temperature
Na_(0.5)Bi_(2.5)-Ta_(2)O_(9)
CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)基压电陶瓷改性研究
2
作者
王啸宇
黄晨婷
官
尚义
史伟
陈强
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2021年第6期775-780,共6页
基金
广东省重点领域研发计划基金资助项目(2020B0109380001)
四川省科技计划基金资助项目(2020YJ0317)。
文摘
该文采用传统固态反应法制备了Ca_(1-x)(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))_(x)Bi_(2)Ta_(2)O_(9)(x为摩尔分数)陶瓷,研究了(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))^(2+)复合离子不同掺杂浓度对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,在选定浓度范围内,(Li_(0.5)Ce_(0.4)Pr_(0.1))^(2+)复合离子改善了CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)基陶瓷的压电活性与高温下的直流电阻等特性。当x=0.08时,陶瓷具有最佳综合性能,即压电常数d_(33)=10.3 pC/N,居里温度T_(C)=928℃,直流电阻率ρ=1.12×10^(6)Ω·cm(650℃),介电损耗tanδ=0.026(1 MHz,650℃)。
关键词
压电陶瓷
CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)(CBT)
电阻率
铋层状铁电体
高居里温度
Keywords
piezoelectric ceramic
CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)(CBT)
electrical resistivity
bismuth layered ferroelectric
high Curie temperature
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Li、Ce掺杂对NBTa-CBN高温压电陶瓷性质的影响研究
徐鸿飞
史伟
官
尚义
吴禹桐
陈强
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
CaBi_(2)Ta_(2)O_(9)基压电陶瓷改性研究
王啸宇
黄晨婷
官
尚义
史伟
陈强
《压电与声光》
CAS
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部