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离子注入Al_xGa_（1－x）As／GaAs和GaAs中的晶格损伤与相对化学
1
作者
官
宝安
李代青
+2 位作者
任廷琦
万亚
刘明
《Chinese Journal of Chemical Physics》
CSCD
1995年第1期28-34,共7页
用卢瑟福背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋注入超晶格Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ和晶体ＧａＡｓ中引起的晶格损伤．结果表明，在５×１０１４－５×１０１６离子／ｃｍ２注入剂量范围内，Ａｌ０．...
用卢瑟福背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋注入超晶格Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ和晶体ＧａＡｓ中引起的晶格损伤．结果表明，在５×１０１４－５×１０１６离子／ｃｍ２注入剂量范围内，Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ中的损伤程度总小于ＧａＡｓ中对应条件下的结果，但这种差异随注入剂量和衬底温度的提高而减小．室温注入造成的晶格损伤程度均较衬底加温３５０℃注入造成的结果更为严重．基于对模拟ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ和ＧａＡｓ的一组原子簇的分子轨道计算，用相对化学键强度为ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ和ＧａＡｓ中这种辐照损伤的程度和空间分布，提供了一种新的理解．
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关键词
晶格损伤
砷
镓
原子簇
分子轨道
离子注入
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职称材料
Ne^+、Ar^+注入铜靶所产生的溅射原子角分布与离子入射角的关系
2
作者
李岱青
官
宝安
+2 位作者
万亚
刘家瑞
徐天冰
《烟台师范学院学报（自然科学版）》
1992年第4期36-39,共4页
在100keV入射能量下.分别测量了Ne^-、Ar^+在铜靶上所产生的溅射原子角分布与离子入射角度的关系 实验结果表明在40°和70°斜入射条件下,Ar^+所产生的溅射原子角分布的溅射优先方向分别位于表面法线的两侧,溅射原子角分布关于...
在100keV入射能量下.分别测量了Ne^-、Ar^+在铜靶上所产生的溅射原子角分布与离子入射角度的关系 实验结果表明在40°和70°斜入射条件下,Ar^+所产生的溅射原子角分布的溅射优先方向分别位于表面法线的两侧,溅射原子角分布关于表面法线明显不对称;而Ne^+所对应的溅射优先方向都位于表面法线方向,且溅射原子角分布关于表面法线是对称的、用TRIM程序计算了Ne^+和Ar^+在铜靶中的能损和投影射程,并依据所计算的结果用级联碰撞理论分析了实验结果,比较了Ne^+和Ar^+各自溅射机制上的不同.
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关键词
溅射
离子入射角
级联碰撞
铜
靶
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职称材料
题名
离子注入Al_xGa_（1－x）As／GaAs和GaAs中的晶格损伤与相对化学
1
作者
官
宝安
李代青
任廷琦
万亚
刘明
机构
烟台大学应用化学系
出处
《Chinese Journal of Chemical Physics》
CSCD
1995年第1期28-34,共7页
文摘
用卢瑟福背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋注入超晶格Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ和晶体ＧａＡｓ中引起的晶格损伤．结果表明，在５×１０１４－５×１０１６离子／ｃｍ２注入剂量范围内，Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ中的损伤程度总小于ＧａＡｓ中对应条件下的结果，但这种差异随注入剂量和衬底温度的提高而减小．室温注入造成的晶格损伤程度均较衬底加温３５０℃注入造成的结果更为严重．基于对模拟ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ和ＧａＡｓ的一组原子簇的分子轨道计算，用相对化学键强度为ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ和ＧａＡｓ中这种辐照损伤的程度和空间分布，提供了一种新的理解．
关键词
晶格损伤
砷
镓
原子簇
分子轨道
离子注入
分类号
O641.121 [理学—物理化学]
TL305.3 [理学—化学]
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职称材料
题名
Ne^+、Ar^+注入铜靶所产生的溅射原子角分布与离子入射角的关系
2
作者
李岱青
官
宝安
万亚
刘家瑞
徐天冰
机构
烟台师范学院物理系
烟台师范学院化学系
中科院物理所
出处
《烟台师范学院学报（自然科学版）》
1992年第4期36-39,共4页
文摘
在100keV入射能量下.分别测量了Ne^-、Ar^+在铜靶上所产生的溅射原子角分布与离子入射角度的关系 实验结果表明在40°和70°斜入射条件下,Ar^+所产生的溅射原子角分布的溅射优先方向分别位于表面法线的两侧,溅射原子角分布关于表面法线明显不对称;而Ne^+所对应的溅射优先方向都位于表面法线方向,且溅射原子角分布关于表面法线是对称的、用TRIM程序计算了Ne^+和Ar^+在铜靶中的能损和投影射程,并依据所计算的结果用级联碰撞理论分析了实验结果,比较了Ne^+和Ar^+各自溅射机制上的不同.
关键词
溅射
离子入射角
级联碰撞
铜
靶
Keywords
sputtering,the angular distributions of sputtened atoms,ionic incident angles ,cascade collision
分类号
O571 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子注入Al_xGa_（1－x）As／GaAs和GaAs中的晶格损伤与相对化学
官
宝安
李代青
任廷琦
万亚
刘明
《Chinese Journal of Chemical Physics》
CSCD
1995
0
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职称材料
2
Ne^+、Ar^+注入铜靶所产生的溅射原子角分布与离子入射角的关系
李岱青
官
宝安
万亚
刘家瑞
徐天冰
《烟台师范学院学报（自然科学版）》
1992
0
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职称材料
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