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CdTe／CdS量子点的Ⅰ-Ⅱ型结构转变与荧光性质 被引量：7
1
作者 安利民 曾庆辉 +2 位作者 赵家龙 宋维斯 苏文辉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1789-1792,共4页
制备了壳层厚度可以精确控制的CdTe/CdS核壳量子点,利用紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱、透射电镜和时间分辨光谱等技术,分析了CdS壳层厚度对CdTe量子点的荧光量子产率和光谱结构的影响规律.发现了不同于CdSe/CdS,CdSe/ZnS,CdTe/ZnS... 制备了壳层厚度可以精确控制的CdTe/CdS核壳量子点,利用紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱、透射电镜和时间分辨光谱等技术,分析了CdS壳层厚度对CdTe量子点的荧光量子产率和光谱结构的影响规律.发现了不同于CdSe/CdS,CdSe/ZnS,CdTe/ZnS等核壳量子点的荧光峰展宽、大幅度红移以及荧光寿命大幅度增加现象.根据能带的位置关系,随着CdS厚度的增加,CdTe从Ⅰ型结构逐渐过渡到Ⅱ型核壳结构.对于Ⅱ型CdTe/CdS核壳量子点,不仅存在CdTe核区导带电子与价带空穴间的直接复合,还存在CdS壳层导带电子与CdTe核价带空穴界面处的间接复合,发光机制的变化导致荧光峰的展宽、明显红移和荧光寿命的增加.当壳层过厚时,壳层表面新引入的缺陷会阻碍荧光寿命和量子产率的进一步提高. 展开更多
关键词 碲化镉 碲化镉/硫化镉 量子点 荧光寿命
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低强度飞秒激光激发下CdTe和CdTe/CdS核壳量子点的荧光上转换研究 被引量：1
2
作者 安利民 杨延强 +4 位作者 宋维斯 苏文辉 曾庆辉 朝克夫 孔祥贵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期7914-7920,共7页
利用400nm和800nm不同波长的低强度飞秒激光,对CdTe和CdTe/CdS核壳量子点溶胶进行激发,研究其稳态和时间分辨荧光性质.800nm飞秒激光激发下,CdTe和CdTe/CdS核壳量子点产生上转换发光现象,上转换荧光峰与400nm激发下的荧光峰相比蓝移最多... 利用400nm和800nm不同波长的低强度飞秒激光,对CdTe和CdTe/CdS核壳量子点溶胶进行激发,研究其稳态和时间分辨荧光性质.800nm飞秒激光激发下,CdTe和CdTe/CdS核壳量子点产生上转换发光现象,上转换荧光峰与400nm激发下的荧光峰相比蓝移最多达15nm,而且蓝移值与荧光量子产率有关.变功率激发确认激发光功率与上转换荧光强度间满足二次方关系,时间分辨荧光的研究表明荧光动力学曲线服从双e指数衰减.提出表面态辅助的双光子吸收模型是低激发强度上转换发光的主要机理.CdTe和CdTe/CdS核壳量子点荧光由带边激子态和诱捕态两种成分组成,两种成分峰位不同,带边激子态波长较短,诱捕态波长较长.800nm激发与400nm激发时相比,激子态相对比重增加,这导致荧光峰的蓝移. 展开更多
关键词 CDTE量子点 CdTe/CdS核壳量子点 时间分辨荧光 上转换荧光
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