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低损伤选择性发射极太阳电池激光工艺 被引量:4
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作者 赵广全 +2 位作者 杨冬琴 张竹青 王强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第11期893-898,共6页
钝化发射极及背面接触(PERC)太阳电池技术叠加激光选择性发射极(SE)制备工艺是近年发展起来的提升PERC太阳电池效率的有效方法之一,但是在SE的制备过程中易发生磷硅玻璃(PSG)层被激光烧蚀的现象,导致电池性能下降。通过研究激光波长、... 钝化发射极及背面接触(PERC)太阳电池技术叠加激光选择性发射极(SE)制备工艺是近年发展起来的提升PERC太阳电池效率的有效方法之一,但是在SE的制备过程中易发生磷硅玻璃(PSG)层被激光烧蚀的现象,导致电池性能下降。通过研究激光波长、脉冲频率、激光功率和扫描速度对硅片表面形貌、表面方块电阻、电池性能的影响,探索高效率、低损伤SE太阳电池的制备方法。实验结果表明,在激光波长为1 064 nm、激光功率为2 W、脉冲频率为30 Hz条件下可获得最佳电池性能,SE太阳电池光电转换效率最高达到22.01%,与传统工艺制备的太阳电池相比提升约0.51%。 展开更多
关键词 选择性发射极(SE)太阳电池 激光 选择性掺杂 钝化发射极及背面接触(PERC) 磷硅玻璃(PSG)
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触发器的VHDL语言设计
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作者 《数字技术与应用》 2024年第6期63-65,共3页
利用硬件描述语言完成电路的设计,已经成为数字系统设计的重要方法。本文利用VHDL语言,实现具有同步置位、复位的D触发器设计,并利用MAX plusII对其进行仿真。根据软件的输出波形,分别完成了D触发器不同功能的验证。
关键词 硬件描述语言 D触发器 数字系统设计 VHDL语言 复位 输出波形
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局部高台阶对注入层全局关键尺寸均匀性的影响
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作者 王强 吴庭溪 《南通大学学报(自然科学版)》 CAS 2020年第4期36-41,共6页
在集成电路制造过程中,注入层高台阶分布状态是注入层光刻胶关键尺寸(critical dimension,CD)均匀性质量优劣的重要影响因素之一。通过对高台阶在晶圆上的分布、疏密程度、台阶宽度及与曝光图形距离的研究,探索了影响高台阶注入层光刻工... 在集成电路制造过程中,注入层高台阶分布状态是注入层光刻胶关键尺寸(critical dimension,CD)均匀性质量优劣的重要影响因素之一。通过对高台阶在晶圆上的分布、疏密程度、台阶宽度及与曝光图形距离的研究,探索了影响高台阶注入层光刻工艺CD均匀性的关键参数,提出了一种优化的版图设计方法。实验结果表明:高台阶的均匀分布有利于提高CD的均匀性;台阶疏密程度对CD均匀性的影响较小;台阶宽度越大,CD的平均值越小,但对3σ值没有明显影响;高台阶距离曝光图形越远,CD的均匀性越好。应用优化的版图设计方法后,改善了器件的CD均匀性和生产的稳定性,光刻CD均匀性提高了约49.4%。 展开更多
关键词 关键尺寸均匀性 高台阶 注入层 曝光图形 光刻良率
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