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SILAR法制备化学计量CuInS_2薄膜 被引量：8
1
作者 石勇 靳正国 +2 位作者 李春艳 安贺松 邱继军 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1286-1290,共5页
在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2+/cIn3+在1￣1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SE... 在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2+/cIn3+在1￣1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SEM观察到随cCu2+/cIn3+的升高,薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集。通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当cCu2+/cIn3+=1.25时,CuInS2薄膜接近其标准的化学计量组成。此时薄膜的吸收系数大于>104cm-1,禁带宽度Eg为1.45eV。 展开更多
关键词 铜铟硫薄膜 连续离子层吸附反应法 化学计量
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热处理对SILAR法制备CuInSe_2薄膜性能的影响 被引量：1
2
作者 杨建立 靳正国 +2 位作者 石勇 李春艳 安贺松 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1701-1704,共4页
铜铟硒（CIS）具有合适的带隙、高光吸收系数、适当的电荷密度和迁移率。是一种用于薄膜太阳能电池的备受关注的吸收材料。目前CuInSe2薄膜已采用多种方法进行制备，如金属前驱体硒化法、共沉积法、溅射法、电沉积法和化学气相沉积法等... 铜铟硒（CIS）具有合适的带隙、高光吸收系数、适当的电荷密度和迁移率。是一种用于薄膜太阳能电池的备受关注的吸收材料。目前CuInSe2薄膜已采用多种方法进行制备，如金属前驱体硒化法、共沉积法、溅射法、电沉积法和化学气相沉积法等。这些方法都有各自的不足之处。例如，对于气相硒化技术必须要用到硒化氢。而硒化氢对人体和环境都有很大的危害。如何精确控制薄膜组分和微结构并改善其电学和光学性能仍是当前研究的重点。 展开更多
关键词 CuInSe2薄膜 SILAR法 煅烧温度 化学性能
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