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PMMA/棉花纤维素复合薄膜的制备及性能
被引量:
2
1
作者
孙浩炯
尚蒙娅
+3 位作者
贾冬晴
孙铭
安蒙恩
唐哲
《工程塑料应用》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期34-39,共6页
为改善聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的热性能和力学性能,以经过预处理的棉花纤维素为增强体,将PMMA与棉花纤维素溶液按不同比例混合,利用溶液浇铸法制备PMMA/棉花纤维素复合薄膜,并利用热重分析、透光性分析以及拉伸性能测试研究了不同棉花...
为改善聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的热性能和力学性能,以经过预处理的棉花纤维素为增强体,将PMMA与棉花纤维素溶液按不同比例混合,利用溶液浇铸法制备PMMA/棉花纤维素复合薄膜,并利用热重分析、透光性分析以及拉伸性能测试研究了不同棉花纤维素含量的PMMA/棉花纤维素复合薄膜的性能。结果表明,与PMMA薄膜相比,PMMA/纤维素复合薄膜的热稳定性和力学性能均有所提升,PMMA/纤维素复合薄膜的热分解温度提高8.3%;随着棉花纤维素含量从0增加到15%,拉伸强度从10.53 MPa提升到55.95 MPa,最高提升了431%。此外,复合薄膜的光透过率随着棉花纤维素含量的增加而降低。当棉花纤维素含量为7.5%时,复合薄膜不仅具有良好的力学性能,而且具有较高的透光率,综合性能较好。
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关键词
聚甲基丙烯酸甲酯
棉花纤维素
复合薄膜
热性能
力学性能
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职称材料
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
2
作者
安蒙恩
修慧欣
《应用物理》
2023年第6期274-290,共17页
氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMTs)由于具有高截止频率、高工作电压和工作温度范围广泛等特点,越来越多地应用于高频和高功率器件等电力电子领域。然而,在实际应用中,在高温高压等极端情况下,GaN HEMTs会出现退化甚至失效,这使得...
氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMTs)由于具有高截止频率、高工作电压和工作温度范围广泛等特点,越来越多地应用于高频和高功率器件等电力电子领域。然而,在实际应用中,在高温高压等极端情况下,GaN HEMTs会出现退化甚至失效,这使得失效后器件的物理分析对于提高可靠性和进一步的器件优化至关重要。本文介绍了分析器件失效机制的分析方法,对失效后物理表征技术工作原理、表征范围及研究进展方面进行了简要综述,为进一步提高器件可靠性和器件的进一步优化提供了参考。
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关键词
氮化镓(GaN)
高电子迁移率晶体管(HEMT)
物理失效分析技术
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职称材料
题名
PMMA/棉花纤维素复合薄膜的制备及性能
被引量:
2
1
作者
孙浩炯
尚蒙娅
贾冬晴
孙铭
安蒙恩
唐哲
机构
河南工业大学材料科学与工程学院
出处
《工程塑料应用》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期34-39,共6页
基金
河南工业大学高层次人才科研启动基金项目(2019BS010),河南工业大学创新基金支持计划专项项目(2020ZKCJ07)。
文摘
为改善聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的热性能和力学性能,以经过预处理的棉花纤维素为增强体,将PMMA与棉花纤维素溶液按不同比例混合,利用溶液浇铸法制备PMMA/棉花纤维素复合薄膜,并利用热重分析、透光性分析以及拉伸性能测试研究了不同棉花纤维素含量的PMMA/棉花纤维素复合薄膜的性能。结果表明,与PMMA薄膜相比,PMMA/纤维素复合薄膜的热稳定性和力学性能均有所提升,PMMA/纤维素复合薄膜的热分解温度提高8.3%;随着棉花纤维素含量从0增加到15%,拉伸强度从10.53 MPa提升到55.95 MPa,最高提升了431%。此外,复合薄膜的光透过率随着棉花纤维素含量的增加而降低。当棉花纤维素含量为7.5%时,复合薄膜不仅具有良好的力学性能,而且具有较高的透光率,综合性能较好。
关键词
聚甲基丙烯酸甲酯
棉花纤维素
复合薄膜
热性能
力学性能
Keywords
polymethyl methacrylate
cotton cellulose
composite film
thermal property
mechanical property
分类号
TQ327.9 [化学工程—合成树脂塑料工业]
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职称材料
题名
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
2
作者
安蒙恩
修慧欣
机构
上海理工大学材料与化学学院
出处
《应用物理》
2023年第6期274-290,共17页
文摘
氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMTs)由于具有高截止频率、高工作电压和工作温度范围广泛等特点,越来越多地应用于高频和高功率器件等电力电子领域。然而,在实际应用中,在高温高压等极端情况下,GaN HEMTs会出现退化甚至失效,这使得失效后器件的物理分析对于提高可靠性和进一步的器件优化至关重要。本文介绍了分析器件失效机制的分析方法,对失效后物理表征技术工作原理、表征范围及研究进展方面进行了简要综述,为进一步提高器件可靠性和器件的进一步优化提供了参考。
关键词
氮化镓(GaN)
高电子迁移率晶体管(HEMT)
物理失效分析技术
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PMMA/棉花纤维素复合薄膜的制备及性能
孙浩炯
尚蒙娅
贾冬晴
孙铭
安蒙恩
唐哲
《工程塑料应用》
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
下载PDF
职称材料
2
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
安蒙恩
修慧欣
《应用物理》
2023
0
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职称材料
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