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液态聚硅氧烷交联-成型-热解制备复杂形状硅氧碳陶瓷 被引量：2
1
作者 苏冬 安海娇 +2 位作者 刘湘 梁田 李亚利 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期974-978,共5页
采用液相法,以含氢聚硅氧烷和乙烯基环四硅氧烷为前驱体,经注模、交联和热解制备出净成型的硅氧碳陶瓷体,研究了该体系的成型、交联和热解行为,以及高温热解过程中陶瓷结构和组成的转变。研究表明:该体系有很好的成型能力,以不同材质和... 采用液相法,以含氢聚硅氧烷和乙烯基环四硅氧烷为前驱体,经注模、交联和热解制备出净成型的硅氧碳陶瓷体,研究了该体系的成型、交联和热解行为,以及高温热解过程中陶瓷结构和组成的转变。研究表明:该体系有很好的成型能力,以不同材质和形状的模具均可成型,经热解可制备出各种形状和尺寸的硅氧碳陶瓷材料;交联体在整个热解过程中均保持完整,可获得不同温度(400～1 000℃)的无开裂的热解体;硅氧碳陶瓷在高温热解过程中通过Si—O和Si—C键重排由无定形的Si—O—C网络转化为含SiC和SiO2纳米晶的陶瓷结构。 展开更多
关键词 硅氧碳陶瓷 陶瓷成型体 热解行为
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无氧溶胶-凝胶反应合成SiCN干凝胶及陶瓷研究
2
作者 谢皎 李亚利 +1 位作者 候峰 安海娇 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期228-231,共4页
采用含高化学活性基团的乙烯基三氯硅烷(CH2=CHSiCl3)和双(三甲基硅基)碳化二亚胺[Me3Si-N=C=N-SiMe3(BTSC)]作前驱体,在室温的氩气氛下于甲苯中进行缩合化学反应,形成稳定透明SiCN溶胶体系,溶胶经过陈化,形成三维空间结构的SiCN凝胶,... 采用含高化学活性基团的乙烯基三氯硅烷(CH2=CHSiCl3)和双(三甲基硅基)碳化二亚胺[Me3Si-N=C=N-SiMe3(BTSC)]作前驱体,在室温的氩气氛下于甲苯中进行缩合化学反应,形成稳定透明SiCN溶胶体系,溶胶经过陈化,形成三维空间结构的SiCN凝胶,最后在高温条件下裂解形成SiCN陶瓷。结果表明干凝胶在800℃时裂解为致密的无定型SiCN陶瓷,并在1400℃析晶出棒状α-Si3N4,陶瓷产率为68%(质量分数,下同)。 展开更多
关键词 无氧溶胶-凝胶 SiCN陶瓷 棒状α-Si3N4 陶瓷产率 致密体
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浅结密栅线硅太阳电池工艺研究
3
作者 马继奎 陈明敬 +3 位作者 闫英丽 崔景光 张东升 安海娇 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期241-243,246,共4页
通过提高发射区方块电阻,配合密栅线丝网印刷工艺,制备了性能优良的多晶硅太阳电池。对比两种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度,分析发射区方块电阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明:方阻为80Ω/□的发射区比70Ω/□的发射区的太... 通过提高发射区方块电阻,配合密栅线丝网印刷工艺,制备了性能优良的多晶硅太阳电池。对比两种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度,分析发射区方块电阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明:方阻为80Ω/□的发射区比70Ω/□的发射区的太阳电池串联电阻增加了0.03mΩ,导致填充因子下降0.05%,但是开路电压和短路电流密度分别提高了0.9mV和0.13mA/cm2,最终转换效率仍然提高了0.08%。 展开更多
关键词 多晶硅电池 方块电阻 丝网印刷 电性能
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外延BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3薄膜的结构和性能研究
4
作者 马继奎 陈明敬 +3 位作者 范志东 张东升 安海娇 史金超 《真空》 CAS 2014年第1期33-36,共4页
采用磁控溅射的方法在SrRuO3(SRO)/SrTiO3(001)衬底上外延生长BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,研究沉积温度对BiFe0.95Mn0.05O3薄膜结构、铁电性能、漏电流及疲劳保持特性的影响。X射线衍射图谱显示在780℃生长的BiFe0.95Mn0.05O3薄膜结构... 采用磁控溅射的方法在SrRuO3(SRO)/SrTiO3(001)衬底上外延生长BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,研究沉积温度对BiFe0.95Mn0.05O3薄膜结构、铁电性能、漏电流及疲劳保持特性的影响。X射线衍射图谱显示在780℃生长的BiFe0.95Mn0.05O3薄膜结构良好、无杂相峰。在此温度下,SRO/BFMO/SRO异质结电容器剩余极化强度P r最高,为115μC/cm2,矫顽场Ec约为128 kV/cm,电容器漏电流密度随着生长温度的升高而增大。BiFe0.95Mn0.05O3薄膜电容器在经过1010次极化反转和104s的保持时间后表现出良好的抗疲劳特性和保持特性。 展开更多
关键词 BiFe0 95Mn0 05O3 磁控溅射 铁电性 外延生长
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腐蚀温度对多晶硅太阳能电池性能的影响
5
作者 马继奎 陈明敬 +3 位作者 王涛 王鹏杰 张东升 安海娇 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI CAS 2013年第2期128-130,共3页
用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜(SEM)分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各... 用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜(SEM)分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系。结果表明:随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度。 展开更多
关键词 多晶硅 酸溶液腐蚀 表面织构化 腐蚀温度 电性能参数
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