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应变对二维WSe_(2)材料磁性影响的计算研究
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作者 韩医临 宁福林 +2 位作者 杨梦雪 任杰 王敏 《当代化工研究》 CAS 2023年第24期177-179,共3页
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究,通过构建完美体系的WSe_(2)模型以及分别在体系中引入本征缺陷如W原子空位、Se原子空位等,并对这三种模型施加0%到10%的拉伸应变,计算研究WSe_(2)的磁电子性质变化情况。计算研究发现,完... 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究,通过构建完美体系的WSe_(2)模型以及分别在体系中引入本征缺陷如W原子空位、Se原子空位等,并对这三种模型施加0%到10%的拉伸应变,计算研究WSe_(2)的磁电子性质变化情况。计算研究发现,完美WSe_(2)单层材料是一个没有磁性的半导体,其禁带宽度为2.1eV左右;缺失一个Se原子的WSe_(2)在应变较小时没有磁矩,而当应变达到一定值时磁矩会突增至2.0μ_(B)。当WSe_(2)引入一个W空位后,其电子结构性质会发生显著改变,比如将会产生4.0μ_(B)左右的磁矩、禁带宽度变为0等。 展开更多
关键词 WSe_(2) 单层材料 第一性原理 电子结构 自旋电子学
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