期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到245篇文章
< 1 2 … 13 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
大功率半导体激光器研究进展 被引量：126
1
作者 王立军 宁永强 +2 位作者 秦莉 佟存柱 陈泳屹 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期1-19,共19页
对半导体激光器的发展历史和发展现状进行了综述,并具体介绍了长春光学精密机械与物理研究所近年来在大功率半导体激光器方面所取得的主要进展,特别是在大功率半导体激光器的激光光源、垂直腔面发射激光器和新型激光器芯片等方面。
关键词 大功率 半导体激光器 边发射激光器 垂直腔面发射激光器 芯片
下载PDF
大功率半导体激光器发展及相关技术概述 被引量：48
2
作者 宁永强 陈泳屹 +7 位作者 张俊 宋悦 雷宇鑫 邱橙 梁磊 贾鹏 秦莉 王立军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期184-193,共10页
激光被称为"最快的刀"、"最准的尺"、"最亮的光",与原子能、计算机、半导体并称为20世纪新四大发明。大功率半导体激光器在工业加工、医疗美容、光纤通信、无人驾驶、智能机器人等方面有着广泛的应用。... 激光被称为"最快的刀"、"最准的尺"、"最亮的光",与原子能、计算机、半导体并称为20世纪新四大发明。大功率半导体激光器在工业加工、医疗美容、光纤通信、无人驾驶、智能机器人等方面有着广泛的应用。如何实现大功率半导体激光光源,一直以来都是国际的研究前沿和学科热点。为此,简述了大功率半导体激光器的发展历史,综述了大功率半导体激光器的共用技术,包括大功率芯片技术和大功率合束技术,并对大功率半导体激光的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 大功率 芯片技术 合束技术
原文传递
大功率半导体激光光源光束整形技术研究 被引量：29
3
作者 彭航宇 顾媛媛 +8 位作者 单肖楠 刘云 郝明明 朱洪波 尹红贺 田振华 秦莉 宁永强 王立军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期60-65,共6页
光束质量是半导体激光器应用的最大瓶颈,但是可以利用光束整形技术加以改善。随着半导体激光合束技术的发展,半导体激光光束质量的提高,由于其在效率方面的优势,大功率半导体激光技术得到迅速发展。采用连续输出60 W,转换效率达到57%的8... 光束质量是半导体激光器应用的最大瓶颈,但是可以利用光束整形技术加以改善。随着半导体激光合束技术的发展,半导体激光光束质量的提高,由于其在效率方面的优势,大功率半导体激光技术得到迅速发展。采用连续输出60 W,转换效率达到57%的880 nm大功率半导体激光bar条,组成20层的半导体激光叠阵,输出功率达到1183 W,通过快慢轴准直及光束整形提高激光器的光束质量,最终实现1 kW功率输出,电-光转换效率超过45.8%,光束质量达到79.3 mm.mrad×81.2 mm.mrad。从而使半导体激光器可直接应用于熔覆、表面硬化等领域。 展开更多
关键词 激光器 激光二极管 光束整形 高功率
原文传递
980nm高功率垂直腔面发射激光器 被引量：21
4
作者 赵路民 王青 +4 位作者 晏长岭 秦莉 刘云 宁永强 王立军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期142-144,共3页
研究了 980nm垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的结构设计和器件制作 ,实现了室温下的脉冲激射。在脉宽为 5 0 μs,占空比为 5∶10 0 0的脉冲电流下 ,直径 4 0 0 μm的器件输出光功率最高可达 380mW ,发散角小于 10° ,光谱的半高全宽为 ... 研究了 980nm垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的结构设计和器件制作 ,实现了室温下的脉冲激射。在脉宽为 5 0 μs,占空比为 5∶10 0 0的脉冲电流下 ,直径 4 0 0 μm的器件输出光功率最高可达 380mW ,发散角小于 10° ,光谱的半高全宽为 0 8nm。 展开更多
关键词 激光技术 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 分子束外延 量子阱结构 氧化工艺
原文传递
垂直腔面发射激光器研究进展 被引量：21
5
作者 张继业 李雪 +2 位作者 张建伟 宁永强 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期1443-1459,共17页
垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity surface-emitting laser,VCSEL)是40多年前被发明的,具有很多独特的优势,例如尺寸小、功耗低、效率高、寿命长、圆形光束以及二维面阵集成等。近年来,VCSEL市场发展迅速,在5G通信、光信息存储、3D... 垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity surface-emitting laser,VCSEL)是40多年前被发明的,具有很多独特的优势,例如尺寸小、功耗低、效率高、寿命长、圆形光束以及二维面阵集成等。近年来,VCSEL市场发展迅速,在5G通信、光信息存储、3D传感、激光雷达、材料加工以及激光显示等领域被广泛应用。针对不同的应用需求,VCSEL的功率、速率、能效、高温性能以及波长的多样性等性能都有了长足的进步。本文首先介绍了VCSEL的研究历程和优点特性;综述了VCSEL在高功率、高速、高温下工作等方面的研究进展和应用现状;最后对VCSEL的最新应用做了介绍,展望了VCSEL的市场。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 高功率 高速 高温
下载PDF
980nm高功率VCSEL的光束质量 被引量：19
6
作者 李特 宁永强 +8 位作者 孙艳芳 崔锦江 郝二娟 秦莉 套格套 刘云 王立军 崔大复 许祖彦 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期641-645,共5页
利用CCD成像技术,设计出一种简单的测量垂直腔面发射激光器(VCSEL)的光束质量因子M2的方法。在注入电流分别为900mA,1500mA,3000mA和6000mA时,对出光孔径300μm,激射波长为980nm的垂直腔底面发射激光器的束腰等光束参数进行了测量,并应... 利用CCD成像技术,设计出一种简单的测量垂直腔面发射激光器(VCSEL)的光束质量因子M2的方法。在注入电流分别为900mA,1500mA,3000mA和6000mA时,对出光孔径300μm,激射波长为980nm的垂直腔底面发射激光器的束腰等光束参数进行了测量,并应用激光光束传播的高斯方程拟合求得了M2因子的值分别为66,58,44和53。另外,当注入电流为900mA和3000mA时,对器件的远场分布进行了分析并测得了器件的远场发散角,测量值与理论计算值吻合较好。 展开更多
关键词 激光器 垂直腔面发射激光器 光束质量因子 远场发散角 注入电流 高功率
原文传递
10kW连续输出半导体激光熔覆光源 被引量：19
7
作者 朱洪波 张金胜 +3 位作者 马军 秦莉 宁永强 王立军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期829-834,共6页
针对于目前国内半导体激光加工熔覆光源主要依赖于国外进口的局面,研制了连续输出功率达10kW的半导体激光熔覆光源。利用ZEMAX光学设计软件模拟半导体激光光路,包括光束整形、准直及聚焦透镜的设计等。实验中采用2只波长为915nm和2只波... 针对于目前国内半导体激光加工熔覆光源主要依赖于国外进口的局面,研制了连续输出功率达10kW的半导体激光熔覆光源。利用ZEMAX光学设计软件模拟半导体激光光路,包括光束整形、准直及聚焦透镜的设计等。实验中采用2只波长为915nm和2只波长为976nm的半导体激光叠阵,通过偏振合束和波长合束技术实现它的合束。由自行设计的聚焦系统进行了聚焦实验,结果显示,当模块工作电流为122A时,光源最大输出功率为10 120 W,电-光转换效率为46%,在工作面的聚焦光斑为2.5mm×18mm,可满足工业中大面积高速激光熔覆和表面热处理的要求。 展开更多
关键词 半导体激光器 激光熔覆 激光合束
下载PDF
百瓦级高亮度光纤耦合半导体激光模块的研制 被引量：18
8
作者 郝明明 朱洪波 +4 位作者 秦莉 宁永强 刘云 张志军 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期651-659,共9页
用3只976 nm半导体激光短列阵作为子模块,研制出连续工作的百瓦级高亮度光纤耦合模块。首先,利用光束转换器将每个半导体激光短列阵进行光束整形;然后采用空间复用技术将3个半导体激光短列阵在光参数积小的方向上叠加,并利用倒置伽利略... 用3只976 nm半导体激光短列阵作为子模块,研制出连续工作的百瓦级高亮度光纤耦合模块。首先,利用光束转换器将每个半导体激光短列阵进行光束整形;然后采用空间复用技术将3个半导体激光短列阵在光参数积小的方向上叠加,并利用倒置伽利略望远镜作为扩束器进一步压缩发散角;最后利用优化结构的透镜组将激光聚焦到芯径200μm,数值孔径为0.22的光纤中。测量结果显示:聚焦后激光的发散角为24.8°,焦平面的光斑尺寸为175.2μm;耦合后测量光纤出光功率可达107 W,对应亮度为2.23 MW/(cm2.sr),达到了国内利用列阵进行光纤耦合的领先水平;在工作电流为52.5 A时,电光转换效率为43.1%,远高于全固态等激光器;最后测量本模块在不同驱动电流时的光谱,并以此计算出模块的热阻为1.29 K/W,说明它的散热性能良好。结果表明,本光纤耦合模块适合应用于泵浦光纤激光器、医疗和激光加工等领域。 展开更多
关键词 半导体激光短列阵 光纤耦合 高亮度 光线追迹
下载PDF
高功率垂直外腔面发射半导体激光器增益设计及制备 被引量：18
9
作者 张继业 张建伟 +6 位作者 曾玉刚 张俊 宁永强 张星 秦莉 刘云 王立军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期85-93,共9页
垂直外腔面发射半导体激光器(vertical external cavity surface emitting laser, VECSEL)兼具高功率与良好的光束质量,是半导体激光器领域的持续研究热点之一.本文开展了光抽运VECSEL最核心的多量子阱增益区设计,对量子阱增益光谱及其... 垂直外腔面发射半导体激光器(vertical external cavity surface emitting laser, VECSEL)兼具高功率与良好的光束质量,是半导体激光器领域的持续研究热点之一.本文开展了光抽运VECSEL最核心的多量子阱增益区设计,对量子阱增益光谱及其峰值增益与载流子浓度及温度等关系进行系统的理论优化,并对5种不同势垒构型的量子阱增益特性进行对比,证实采用双侧GaAsP应变补偿的发光区具有更理想的增益特性.对MOCVD生长的VECSEL进行器件制备,实现了VECSEL在抽运功率为35 W时输出功率达到9.82 W,并且功率曲线仍然没有饱和;通过变化外腔镜的反射率, VECSEL的激光波长随抽运功率的漂移系数由0.216 nm/W降低至0.16 nm/W,证实外腔镜反射率会影响VECSEL增益芯片内部热效应,从而影响VECSEL激光输出功率.所制备VECSEL在两正交方向上的发散角分别为9.2°和9.0°,激光光斑呈现良好的圆形对称性. 展开更多
关键词 光抽运垂直外腔面发射半导体激光器 量子阱 增益芯片 高功率
下载PDF
852nm半导体激光器量子阱设计与外延生长 被引量：17
10
作者 徐华伟 宁永强 +2 位作者 曾玉刚 张星 秦莉 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期590-597,共8页
设计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,用于解决852nm半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题。基于理论模型,计算并模拟对比了InAlGaAs,InGaAsP,InGaAs和GaAs量子阱的增益及其增益峰值波长随温... 设计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,用于解决852nm半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题。基于理论模型,计算并模拟对比了InAlGaAs,InGaAsP,InGaAs和GaAs量子阱的增益及其增益峰值波长随温度的漂移,结果显示,采用In0.15Al0.11Ga0.74As作为852nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的波长温漂稳定性。使用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)外延生长了In0.15Al0.11Ga0.74As/Al0.3Ga0.7As有源区,通过反射各向异性谱(RAS)在线监测和PL谱研究了InAlGaAs/AlGaAs界面的外延质量,实验证明了通过降低生长温度和在InAlGaAs/AlGaAs界面处使用中断时间,可以有效抑制In析出,从而获得InAlGaAs/AlGaAs陡峭界面。最后,采用优化后的外延生长条件,研制出了InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。实验测试结果显示,其光谱半高宽为1.1nm,斜率效率为0.64W/A,激射波长随温度漂移为0.256nm/K。理论计算结果与实验测试结果相吻合,证明器件性能满足在高温环境下工作的要求。 展开更多
关键词 半导体激光器 应变量子阱 外延生长 波长漂移 反射各向异性谱
下载PDF
高功率底发射VCSELs的制作与特性研究 被引量：15
11
作者 孙艳芳 金珍花 +9 位作者 宁永强 秦莉 晏长岭 路国光 套格套 刘云 王立军 崔大复 李惠青 许祖彦 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第5期449-453,共5页
研究制作了大面积底发射氧化限制面发射激光器,并分析了器件特性。通过增加有源区面积,改进制作工艺,采用Al2O3作钝化膜和多层复合HfO2作增透膜等方法,提高了激光器输出功率。分析了最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系... 研究制作了大面积底发射氧化限制面发射激光器,并分析了器件特性。通过增加有源区面积,改进制作工艺,采用Al2O3作钝化膜和多层复合HfO2作增透膜等方法,提高了激光器输出功率。分析了最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系。结果表明:有源区直径分别为500μm和600μm的单管,室温下均达到连续输出功率1.95W,这也是目前国际上所实现的单管室温连续输出最高功率;实验所得最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系与理论计算所得结果一致。并特别讨论了直径200μm的器件的近场和远场光强分布,获得单横模工作。 展开更多
关键词 VCSELs底发射 980nm 输出功率 近场 远场
下载PDF
蓝绿光激光器现状 被引量：4
12
作者 宁永强 元光 +1 位作者 李树玮 金亿鑫 《物理》 CAS 北大核心 1995年第4期200-207,共8页
结合最近几年国际上研制蓝绿光激光器的主要进展，介绍了实现蓝绿色激光输出的几个途径，即：（１）用非线性光学晶体倍频方法；（２）研制宽带隙半导体材料激光器；（３）掺入稀土离子，利用上转换效应发射蓝绿激光。
关键词 蓝绿激光器 倍频 硒化锌 上转换
原文传递
基于808nm半导体激光器单管合束技术的光纤耦合模块 被引量：15
13
作者 朱洪波 郝明明 +5 位作者 彭航宇 张志军 刘云 秦莉 宁永强 王立军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1-5,共5页
由于单管半导体激光器比半导体激光线阵、叠阵具有更好的光束质量及散热特性,因此更适用于光电干扰光源。针对于电荷耦合器件(CCD)光谱响应曲线特征,采用808nm单管半导体激光器为光源,将24只单管半导体激光器分组集成,通过空间合束和偏... 由于单管半导体激光器比半导体激光线阵、叠阵具有更好的光束质量及散热特性,因此更适用于光电干扰光源。针对于电荷耦合器件(CCD)光谱响应曲线特征,采用808nm单管半导体激光器为光源,将24只单管半导体激光器分组集成,通过空间合束和偏振合束以提高其输出功率密度,采用自行设计的光学系统对光束进行扩束聚焦,耦合进芯径为300μm,数值孔径0.22的光纤中,所有激光器都采用串联方式,在8.5A电流下通过光纤输出功率为162W,耦合效率达到84%。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 光纤耦合 光束质量 偏振合束
原文传递
基于偏振复用技术的半导体激光加工光纤耦合模块 被引量：14
14
作者 朱洪波 李艳华 +4 位作者 郝明明 刘云 秦莉 宁永强 王立军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1137-1143,共7页
与半导体激光Bar条相比,单管半导体激光器具有光束质量好,寿命长等优点,但由于其输出功率小,故在激光加工等领域的应用受到限制。为提高单管半导体激光器的输出功率,提出了基于偏振复用技术对多个单管半导体激光器进行光纤耦合的方法。... 与半导体激光Bar条相比,单管半导体激光器具有光束质量好,寿命长等优点,但由于其输出功率小,故在激光加工等领域的应用受到限制。为提高单管半导体激光器的输出功率,提出了基于偏振复用技术对多个单管半导体激光器进行光纤耦合的方法。首先,将16只808nm单管半导体激光器分成两个单元,通过空间合束将每个单元上的激光器发出的光合成一路;然后,利用偏振复用技术将两个单元发出的光束再次合束,通过自行设计的聚焦系统将合束后的光束耦合进光纤实现光纤输出,从而提高了半导体激光器光纤耦合模块的功率水平。实验显示,当工作电流为5.8A时,通过芯径为200μm、数值孔径(NA)为0.2的光纤的输出功率为67 W,耦合效率达到84%。此模块在功率和光束质量方面满足激光塑料焊接等应用的要求。 展开更多
关键词 单管半导体激光器 偏振合束 光纤耦合 激光加工
下载PDF
高功率垂直腔面发射半导体激光器优化设计研究 被引量：11
15
作者 李惠青 张杰 +7 位作者 崔大复 许祖彦 宁永强 晏长岭 秦莉 刘云 王立军 曹健林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期2986-2990,共5页
与传统的端发射半导体激光器相比 ,垂直腔面发射半导体激光器 (VCSEL)具有可单模输出 ,光束对称性好 ,可被高度聚焦 ,进入光纤的耦合效率极高和有利于大规模二维列阵等优点 .为了得到高功率的激光输出 ,除了要增大VCSEL的发射面积之外 ... 与传统的端发射半导体激光器相比 ,垂直腔面发射半导体激光器 (VCSEL)具有可单模输出 ,光束对称性好 ,可被高度聚焦 ,进入光纤的耦合效率极高和有利于大规模二维列阵等优点 .为了得到高功率的激光输出 ,除了要增大VCSEL的发射面积之外 ,关键的是要选择适当的量子阱层数、有源区电流密度的均匀分布和良好的热管理等 .本文详细研究和分析了高功率VCSEL有源区量子阱层数 ,有源区直径 ,材料的热导和电阻 ,电极间距等对VCSEL器件性能的影响 .通过优化参数 ,进行最佳设计 ,研制出了 980nmIn0 .2 Ga0 .8As GaAsVCSEL器件 ,单管室温连续波输出功率已达 1 .95W 。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 量子阱 高功率 优化设计 参数设计
原文传递
准连续输出大功率半导体激光器的结温测试 被引量：13
16
作者 田振华 孙成林 +3 位作者 曹军胜 郜峰利 宁永强 王立军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1244-1249,共6页
基于大功率半导体激光器的热传导模型提出了一种测量准连续输出大功率半导体激光器结温的方法。实验通过测量980nm大功率半导体激光器在不同电脉冲宽度(5～200μs)下的时域光谱和输出特性dλ/dT=0.3nm/℃来确定它的结温;同时,根据热传... 基于大功率半导体激光器的热传导模型提出了一种测量准连续输出大功率半导体激光器结温的方法。实验通过测量980nm大功率半导体激光器在不同电脉冲宽度(5～200μs)下的时域光谱和输出特性dλ/dT=0.3nm/℃来确定它的结温;同时,根据热传导模型推导出准连续工作条件下结温的近似解析表达式来验证测量得到激光器的结温。结果表明,实验测量结果和通过解析表达式理论计算结果之间符合得很好。所提出的解析表达式可准确预测大功率半导体激光器在准连续工作条件下的结温而无需测量时域光谱,是一种简便快速的预测方法。 展开更多
关键词 半导体激光器 结温测试
下载PDF
面向激光显示的红光半导体激光器的研究进展 被引量：13
17
作者 孟雪 宁永强 +4 位作者 张建伟 张星 彭航宇 秦莉 王立军 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2019年第18期1-12,共12页
激光显示具有色域大、寿命长、节能、环保等优势,是新一代重要的显示技术,红光半导体激光器则是其中的核心光源。随着激光显示产业的快速发展,人们对大功率红光半导体激光器的需求也不断增加。增大器件的输出功率、提高器件的光束质量... 激光显示具有色域大、寿命长、节能、环保等优势,是新一代重要的显示技术,红光半导体激光器则是其中的核心光源。随着激光显示产业的快速发展,人们对大功率红光半导体激光器的需求也不断增加。增大器件的输出功率、提高器件的光束质量已成为行业内的研究热点。主要介绍大功率红光半导体激光器的基本原理与技术难点,总结了目前国内外用于激光显示的红光半导体激光器的研究现状与进展,并对其未来的发展方向及前景进行分析。 展开更多
关键词 激光器 红光半导体激光器 大功率 高光束质量
原文传递
增益-腔模失配型高温工作垂直腔面发射半导体激光器 被引量：12
18
作者 张建伟 宁永强 +5 位作者 张星 曾玉刚 张建 刘云 秦莉 王立军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1-8,共8页
理论分析了温度对垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)工作性能的影响,利用VCSEL的增益-腔模失配理论设计了适用于高温环境下工作的VCSEL外延结构并对该结构进行了外延生长及工艺制备。理论分析表明,采用势垒高度大于0.25eV的量子阱有源区... 理论分析了温度对垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)工作性能的影响,利用VCSEL的增益-腔模失配理论设计了适用于高温环境下工作的VCSEL外延结构并对该结构进行了外延生长及工艺制备。理论分析表明,采用势垒高度大于0.25eV的量子阱有源区结构可以缓解高温工作时器件的载流子泄漏问题。设计了室温下增益-腔模偏离为11nm的器件结构。理论分析表明,在320K时与器件腔模对应的增益谱波长具有最大的光增益,此时器件具有最小的阈值电流。对分布式布拉格反射镜(DBR)的反射率进行了优化以进一步减小器件阈值电流。采用了一种自平坦化的台面工艺结构制作了7、9、13μm三种不同氧化口径的器件,器件在室温下的阈值电流分别为1.95、2.53、2.9mA,最大出光功率分别为0.31、1.11、1.04mW,并且输出功率的高温稳定性较好。随工作温度的升高,器件阈值电流先减小后变大,在320～330K时器件阈值达到最小值,与理论分析一致。 展开更多
关键词 激光器 垂直腔面发射半导体激光器 高温工作 增益-谐振腔腔模失配 自平坦化台面
原文传递
窄线宽半导体激光器研究进展 被引量：12
19
作者 郎兴凯 贾鹏 +7 位作者 陈泳屹 秦莉 梁磊 陈超 王玉冰 单肖楠 宁永强 王立军 《中国科学：信息科学》 CSCD 北大核心 2019年第6期649-662,共14页
人类社会正迎来智能出行时代,智能汽车的发展对高精度雷达探测技术的要求越来越高,而新型全固态激光雷达,具有分辨率高、抗有源干扰能力强、体积小、重量轻、成本低等优势,可满足未来智能汽车的需求.窄线宽半导体激光器作为全固态激光... 人类社会正迎来智能出行时代,智能汽车的发展对高精度雷达探测技术的要求越来越高,而新型全固态激光雷达,具有分辨率高、抗有源干扰能力强、体积小、重量轻、成本低等优势,可满足未来智能汽车的需求.窄线宽半导体激光器作为全固态激光雷达的理想光源,其技术的进步与发展能大幅提升全固态激光雷达的实用化进程.本文详细介绍了当前国际上窄线宽半导体激光技术及发展现状,并分析讨论了各种窄线宽激光器的设计思路、关键技术及光学特性,最后展望了窄线宽半导体激光器的发展前景. 展开更多
关键词 半导体激光器 窄线宽 内腔光反馈技术 外腔光反馈技术 全固态激光雷达
原文传递
具有表面二阶金属光栅的927nm分布反馈半导体激光器的研制 被引量：12
20
作者 仕均秀 秦莉 +6 位作者 叶淑娟 张楠 刘云 宁永强 佟存柱 曾玉刚 王立军 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1488-1491,共4页
采用全息光刻和湿法腐蚀光栅技术,成功制备了表面二阶金属光栅宽条型分布反馈(DFB)半导体激光器,无需二次外延生长过程,实现了宽接触室温直流下大范围稳定单纵模工作。腔面未镀膜器件,在脉冲工作条件下,注入电流为2.28A时,单面输出功率... 采用全息光刻和湿法腐蚀光栅技术,成功制备了表面二阶金属光栅宽条型分布反馈(DFB)半导体激光器,无需二次外延生长过程,实现了宽接触室温直流下大范围稳定单纵模工作。腔面未镀膜器件,在脉冲工作条件下,注入电流为2.28A时,单面输出功率大于600mW,斜率效率达0.37mW/mA,功率效率大于11%。在连续电流注入下,当注入电流为1.6A时,单面输出功率大于200mW,光谱线宽小于0.8nm,波长随电流的调谐系数最小为0.43nm/A;注入电流为1.0A时,水平远场发散角为2.1°。 展开更多
关键词 宽条型分布反馈(DFB)激光器 表面二阶金属光栅 全息光刻
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 13 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部