使用p-Al Ga N/p-Ga N SPSLs作为LED的p型层,在蓝宝石衬底上生长出发光波长为350 nm的Al Ga N基紫外LED。由于Al Ga N/Ga N超晶格的极化效应,使得Mg受主的电离能降低,大幅提高了器件的光学和电学性能。在工作电流为350 m A下发光亮度达...使用p-Al Ga N/p-Ga N SPSLs作为LED的p型层,在蓝宝石衬底上生长出发光波长为350 nm的Al Ga N基紫外LED。由于Al Ga N/Ga N超晶格的极化效应,使得Mg受主的电离能降低,大幅提高了器件的光学和电学性能。在工作电流为350 m A下发光亮度达到了22.66 m W,相应的工作电压为3.75 V,LEDs的光功率满足了实际应用需求。展开更多
文摘使用p-Al Ga N/p-Ga N SPSLs作为LED的p型层,在蓝宝石衬底上生长出发光波长为350 nm的Al Ga N基紫外LED。由于Al Ga N/Ga N超晶格的极化效应,使得Mg受主的电离能降低,大幅提高了器件的光学和电学性能。在工作电流为350 m A下发光亮度达到了22.66 m W,相应的工作电压为3.75 V,LEDs的光功率满足了实际应用需求。
