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锰改性活性焦脱除合成气中单质汞的影响因素 被引量:6
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作者 游淑淋 周劲松 +3 位作者 侯文慧 高翔 骆仲泱 《燃料化学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1324-1331,共8页
采用等体积浸渍法制备了Mn改性活性焦吸附剂(Mn-AC),研究了模拟合成气(0.04%H2S、20%CO、30%H2、N2为平衡气体)下Mn-AC对单质汞的吸附特性,并利用BET、XPS、XRD等手段对吸附剂进行表征,分析了还原性气体对吸附剂脱汞性能的影响。结果表... 采用等体积浸渍法制备了Mn改性活性焦吸附剂(Mn-AC),研究了模拟合成气(0.04%H2S、20%CO、30%H2、N2为平衡气体)下Mn-AC对单质汞的吸附特性,并利用BET、XPS、XRD等手段对吸附剂进行表征,分析了还原性气体对吸附剂脱汞性能的影响。结果表明,在模拟合成气气氛下,Mn-AC具有优异的汞脱除能力,200℃下2 h内平均汞脱除率达到84.3%。合成气中,H2S提供了具有脱汞能力的活性硫吸附位(Sad),显著地提高了Mn-AC的高温脱汞能力;H2消耗了吸附剂表面的活性氧,不利于活性硫的生成,CO消耗了生成的活性硫吸附位,两者对汞脱除均有抑制作用。高温下由于活性硫和汞的反应减弱,同时H2的抑制作用加强,吸附剂对单质汞的脱除能力下降。 展开更多
关键词 锰改性 活性焦 脱汞效率 合成气 Mn-AC
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水泥行业汞减排措施探讨 被引量:4
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作者 周劲松 +3 位作者 王小龙 周启昕 高翔 骆仲泱 《水泥》 CAS 2016年第2期7-10,共4页
0引言联合国环境规划署(UNEP)发布的《2013年全球汞评估报告》[1]指出,2010年全球人为汞排放量约为1 960t,其中水泥行业的汞排放是继手工小规模采金、燃煤以及金属冶炼之后的第四大人为汞排放源,占到人为汞排放的9%。根据中国环科院... 0引言联合国环境规划署(UNEP)发布的《2013年全球汞评估报告》[1]指出,2010年全球人为汞排放量约为1 960t,其中水泥行业的汞排放是继手工小规模采金、燃煤以及金属冶炼之后的第四大人为汞排放源,占到人为汞排放的9%。根据中国环科院研究结果分析,估算我国水泥行业汞年排放量约为89~144t,是继燃煤和有色金属冶炼之后的第三大汞排放源。由于汞污染对人类及环境造成的危害十分严重, 展开更多
关键词 中国环科院 金属冶炼 排放源 水泥磨 减排措施 脱除效率 单质汞 湿法脱硫 选择性催化还原 活性炭吸附
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Hg在Pd掺杂的CeO_2表面吸附和脱除 被引量:3
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作者 周劲松 +2 位作者 王小龙 高翔 骆仲泱 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期960-967,共8页
基于密度泛函理论对Hg在纯CeO_2表面的吸附机理进行了理论计算,采用p(3×3)的二维超晶胞模型计算了CeO_23个不同表面上不同位点对汞的吸附能,计算结果表明,Hg在纯CeO_2表面吸附能力较弱,为物理吸附,Hg原子与CeO_2未形成有效化学键... 基于密度泛函理论对Hg在纯CeO_2表面的吸附机理进行了理论计算,采用p(3×3)的二维超晶胞模型计算了CeO_23个不同表面上不同位点对汞的吸附能,计算结果表明,Hg在纯CeO_2表面吸附能力较弱,为物理吸附,Hg原子与CeO_2未形成有效化学键。为了进一步研究Hg在CeO_2表面的吸附机理,计算了Hg在Pd掺杂的CeO_2(Pd-CeO_2)表面的吸附机理,结果表明,Hg在Pd-CeO_2表面吸附能较强,为化学吸附,Hg原子与Pd-CeO_2之间形成有效的化学键,说明Pd的掺杂有利于提高CeO_2对汞的吸附能力。为了量化纯CeO_2和Pd-CeO_2的汞脱除效率,对Hg在纯CeO_2和Pd-CeO_2表面的脱除进行了实验研究。实验结果表明,纯CeO_2对汞的脱除效率较低,贵金属Pd的掺杂能够有效提高CeO_2的汞脱除效率,与理论计算的结果相符。 展开更多
关键词 密度泛函理论 CEO2 Pd-CeO2 吸附机理
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H_2S对Hg在CeO_2表面吸附的影响机理 被引量:1
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作者 侯文慧 +3 位作者 周启昕 周劲松 高翔 骆仲泱 《能源工程》 2016年第3期30-35,共6页
建立了金属氧化物吸附剂CeO_2(111)表面的结构模型,首先计算了H_2S、HS、S在CeO_2(111)表面吸附的结合能及键长,结果表明H_2S会在CeO_2(111)表面依次分解为HS与单质S;随后计算了Hg在S-CeO_2(111)表面吸附的结合能及键长,结果表明Hg会与C... 建立了金属氧化物吸附剂CeO_2(111)表面的结构模型,首先计算了H_2S、HS、S在CeO_2(111)表面吸附的结合能及键长,结果表明H_2S会在CeO_2(111)表面依次分解为HS与单质S;随后计算了Hg在S-CeO_2(111)表面吸附的结合能及键长,结果表明Hg会与CeO_2(111)表面的单质S结合成键形成稳定的HgS,结合能为-52.829 e V,属于强烈的化学吸附,从微观上发现了H_2S的存在对单质汞在CeO_2表面的吸附有促进作用。 展开更多
关键词 H2S 二氧化铈 密度泛函理论 影响机理
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