a-Si/SiO_2超晶格结构的非线性光学性质 被引量：7

1

作者 刘宁宁 孙甲明 +5 位作者 潘少华 陈正豪 王荣平 师文生 王晓光 陈凡 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第22期2382-2387,共6页

用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格．利用ＴＥＭ和Ｘ射线衍射技术对其结构进行了分析，并采用多种光谱测量手段，如Ｒａｍａｎ光谱、吸收光谱和光致发光谱，对该结构的光学性质进行了研究．结果表明，随纳米Ｓ... 用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格．利用ＴＥＭ和Ｘ射线衍射技术对其结构进行了分析，并采用多种光谱测量手段，如Ｒａｍａｎ光谱、吸收光谱和光致发光谱，对该结构的光学性质进行了研究．结果表明，随纳米Ｓｉ层厚度的减小，Ｒａｍａｎ峰发生展宽，吸收边以及光荧光峰发生蓝移．用单光束Ｚ扫描技术研究了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格结构的非线性光学性质．这一结果较多孔硅的相应值大两个量级．还对影响非线性效应增强的因素进行了讨论． 展开更多

关键词 光谱研究 a-硅/二氧化硅超晶格 非线性光学性质

原文传递

纳米硅微晶对于Er离子掺杂的SiO2薄膜的光致发光和电致发光的不同影响 被引量：4

2

作者 张俊杰 孙甲明 +4 位作者 杨阳 张新霞 刘海旭 W.Skorupa M.Helm 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期135-138,共4页

本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的... 本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的影响。随着纳米硅微晶的增多,Er离子在1.54μm处的红外光致发光显著增强,显示出纳米硅微晶对Er离子光致发光的敏化作用。相反,对于电致发光来说,增加纳米硅微晶数量的同时也增加了SiO2薄膜中的电子俘获陷阱,电子在纳米硅微晶之间的隧穿降低了过热电子的数量和平均能量,因而降低了碰撞激发Er离子产生的电致发光效率。 展开更多

关键词 铒 电致发光 光致发光 二氧化硅 纳米硅

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复合绝缘层交流薄膜电致发光显示屏的综合设计 被引量：5

3

作者 钟国柱 孙甲明 +3 位作者 付国柱 郑陈玮 张曙芝 范希武 《光电子技术》 CAS 1996年第4期293-300,共8页

从交流薄膜电致发光（ACTFEL）显示屏的稳定性与可靠性角度出发，兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的要求，对ACTFEL矩阵显示屏的结构进行了综合优化设计。从理论上分析了复合绝缘层SIOZ／TS。OS击穿方式的转变条件并计算了其合理的厚度... 从交流薄膜电致发光（ACTFEL）显示屏的稳定性与可靠性角度出发，兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的要求，对ACTFEL矩阵显示屏的结构进行了综合优化设计。从理论上分析了复合绝缘层SIOZ／TS。OS击穿方式的转变条件并计算了其合理的厚度比例，ZnS：Mn发光层的厚度和衬底ITO方块电阻的取植范围。我什1通过实验对理论结果进行了检验，并在理论设计指导下研制了640×480（25cm）ZnS：MllACTFEL单色计算机终端显示屏。 展开更多

关键词 薄膜 电致发光 矩阵显示屏

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稀土离子注入的硅材料MOS结构高效率电致发光器件 被引量：5

4

作者 孙甲明 张俊杰 +4 位作者 杨阳 张新霞 刘海旭 W.Skorupa M.Helm 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期121-124,共4页

本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm5、43 nm、44... 本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm5、43 nm、440 nm)至紫外(316 nm)光谱范围的MOS结构电致发光器件,并系统研究了SiO2:Re薄膜中稀土离子的电致发光特性。在SiO2:Re有效发光层的厚度为50 nm,掺杂浓度为1-3%的条件下,稀土Er、Tb和Gd离子注入掺杂的硅材料MOS结构电致发光器件在红外、绿光和紫外的量子效率分别达到14%、16%和5%,接近了商品化III-V族半导体发光二极管的水平。 展开更多

关键词 半导体光电子 电致发光 MOS器件 稀土离子 二氧化硅

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以PAA为模板制备SERS基底及对三聚氰胺的检测 被引量：4

5

作者 李俊梅 徐晓轩 +3 位作者 王玉芳 王斌 孙甲明 张存洲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期2663-2666,共4页

采用热蒸镀的方法直接在多孔氧化铝(porous anodic alumina,PAA)模板上蒸镀几微米的银膜,然后在HCl溶液中溶解掉模板,得到表面具有纳米尺度规则结构的银膜作为表面增强拉曼散射(surface-en-hanced Raman spectra,SERS)基底,并在该基底... 采用热蒸镀的方法直接在多孔氧化铝(porous anodic alumina,PAA)模板上蒸镀几微米的银膜,然后在HCl溶液中溶解掉模板,得到表面具有纳米尺度规则结构的银膜作为表面增强拉曼散射(surface-en-hanced Raman spectra,SERS)基底,并在该基底上测量了吡啶溶液(0.01 mol.L-1)的增强拉曼光谱,发现平均增强因子大于105。与直接在载玻片上蒸镀的银膜相比,具有纳米尺度规则结构银膜的增强效果提高了30倍。改变激发光功率测量吡啶的拉曼光谱,和普通拉曼散射一样,增强拉曼光谱的峰值强度随激发光强度线性变化,并在该基底上测量了三聚氰胺的拉曼光谱,发现在1 mW的激发功率下对于三聚氰胺的检出限为2.5 mg.L-1。 展开更多

关键词 表面增强拉曼散射 三聚氰胺 多孔氧化铝模板

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离子注入缺陷局域掺杂的高效率硅pn结发光二极管 被引量：2

6

作者 杨阳 孙甲明 +4 位作者 张俊杰 张新霞 刘海旭 W. Skorupa M. Helm 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期142-145,共4页

本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的... 本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的固溶度时,室温下的电致发光效率达到最大值0.12%,比传统的硅pn结发光二极管增强了2-3个数量级。在低温电致发光光谱中,发现了两个来自局部掺杂缺陷的束缚激子发光峰。随着温度的升高,束缚激子的发光峰出现温度猝灭,束缚激子离化为自由电子和空穴,增加了硅带间自由激子复合的发光效率,从而使电致发光呈现随温度增加而增强的反常温度效应。 展开更多

关键词 束缚激子 离子注入 硼 退火 调制掺杂

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复合绝缘层交流薄膜电致发光显示屏的综合设计 被引量：2

7

作者 孙甲明 钟国柱 +3 位作者 付国柱 郑陈玮 张曙芝 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期191-196,共6页

本文从交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）显示屏的稳定性与可靠性角度出发，兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的ＲＣ响应的要求，对ＡＣＴＦＥＬ矩阵屏的结构进行了综合优化设计．从理论上分析了复合绝缘层ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５击穿方式... 本文从交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）显示屏的稳定性与可靠性角度出发，兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的ＲＣ响应的要求，对ＡＣＴＦＥＬ矩阵屏的结构进行了综合优化设计．从理论上分析了复合绝缘层ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５击穿方式的转变条件并计算了其合理的厚度比例及ＺｎＳ∶Ｍｎ发光层的厚度和衬底ＩＴＯ方块电阻的取值范围．通过实验对理论结果进行了验证，并在理论设计的指导下研制了６４０×４８０（１０英寸）ＺｎＳ∶ＭｎＡＣＴＦＥＬ单色计算机终端显示器． 展开更多

关键词 薄膜 电致发光 矩阵显示

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半绝缘Si/SiO_2超晶格结构在交流电场下的电致发光特性 被引量：2

8

作者 张新霞 孙甲明 +2 位作者 张俊杰 杨阳 刘海旭 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期129-131,152,共4页

本文研究了SiO2和Si层的厚度分别为2-8nm和1.5-3nm的Si/SiO2超晶格在交流电场下的电致发光特性。以超晶格中SiO2层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点,获得了Si/SiO2超晶格蓝绿色交流电致发光。Si/SiO2超晶格的电致发光... 本文研究了SiO2和Si层的厚度分别为2-8nm和1.5-3nm的Si/SiO2超晶格在交流电场下的电致发光特性。以超晶格中SiO2层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点,获得了Si/SiO2超晶格蓝绿色交流电致发光。Si/SiO2超晶格的电致发光亮度随电压升高呈现指数增强,最高发光亮度可达到1.4cd/m2。随着Si层厚度的增加,Si/SiO2超晶格电致发光谱的低能侧发光峰相对增强,可以归结为纳米Si层厚度对其中硅量子点尺寸分布的限制作用。当超晶格中SiO2层厚度小于过热电子的平均自由程时,过热电子的平均能量减小导致短波侧的发光强度迅速下降,电致发光强度随之迅速降低。 展开更多

关键词 超晶格 电致发光 Si量子点 电子平均自由程

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常压MOCVD法生长的p型ZnSe及其光电特性 被引量：1

9

作者 吕有明 杨宝均 +5 位作者 张吉英 关郑平 陈连春 孙甲明 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期179-184,共6页

本文通过常压ＭＯＣＶＤ方法，利用ＮＨ３气作为受主掺杂源，在（１００）方向的ＧａＡｓ衬底上生长了ＺｎＳｅ：Ｎ膜．通过测量７７Ｋ温度下光致发光光谱．观测到了由于掺氮引起的自由到束缚发射（ＦＡ）和深中心复合（ＳＡ）．在低掺... 本文通过常压ＭＯＣＶＤ方法，利用ＮＨ３气作为受主掺杂源，在（１００）方向的ＧａＡｓ衬底上生长了ＺｎＳｅ：Ｎ膜．通过测量７７Ｋ温度下光致发光光谱．观测到了由于掺氮引起的自由到束缚发射（ＦＡ）和深中心复合（ＳＡ）．在低掺杂浓度下ＦＡ起主要作用，随着ＮＨ３气浓度增加，ＦＡ和ＳＡ带的强度随之增强，在重掺杂下ＳＡ带成为主要，同时带的半宽度展宽．室温下霍尔测量的结果表明．低掺杂浓度下ＺｎＳｅ：Ｎ膜呈高阻态，而在高掺杂浓度下外延膜呈现Ｐ型电导，载流子浓度Ｐ～１０１６ｃｍ３．利用ｐ－ＺｎＳｅ／ｎ－ＧａＡｓ构成异质ｐｎ结，观测到了二极管的整流特性，进一步证实ｐ型ＺｎＳｅ的实现． 展开更多

关键词 MOCVD 光致发光 硒化锌

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ZnSe－CdZnse多量子阱光双稳器件的研制 被引量：1

10

作者 孙甲明 申德振 +3 位作者 范希武 张吉英 吕有明 杨宝均 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期172-175,共4页

本文采用电化学选择性腐蚀工艺对ＧａＡｓ衬底蚀孔，在其上获得了大面积具有光滑表面的Ⅱ－Ⅵ族半导体多量子阱外延膜．通过在其表面蒸镀反射膜，制成了高质量的Ｆ－Ｐ腔，制备出ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件．

关键词 硒化锌 多量子阱 光学双稳器件

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多孔硅中的蓝色发光谱带 被引量：1

11

作者 孙甲明 范希武 +3 位作者 韩力 张吉英 费浩生 车颜龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期122-126,共5页

采用ＹＡＧ：Ｎｄ激光器的１．０６μｍ谱线的三倍频３５５ｎｍ激光激发多孔硅样品时，观测到一个峰值位于４６５ｎｍ的发光谱带，通过样品的发光光谱、透射光谱、以及时间分辨光谱的测量，初步探讨了新谱带的起源．

关键词 多孔硅 蓝色 发光特性 光谱

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Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性 被引量：1

12

作者 刘海旭 孙甲明 +1 位作者 孟凡杰 侯琼琼 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期749-754,共6页

通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不... 通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不同能级的电致发光会产生不同作用。在富Si量小于5%的条件下,主要由Si离子注入产生氧空位缺陷发光中心(Si-ODC),它们和Er3+离子的高能级之间存在着共振能量传递,增强了Er3+离子的522 nm绿色发光峰强度。在富Si含量大于5%时,过量的Si在退火时形成了纳米硅微晶,电子在纳米硅微晶之间的隧穿改变了载流子输运机制,降低了过热电子的平均能量,导致Er3+离子的所有发光峰的猝灭。 展开更多

关键词 掺铒纳米硅 电致发光 离子注入 MOS-LED

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ZnSe-ZnS超晶格的通光蚀孔及列阵研究

13

作者 张吉英 孙甲明 +2 位作者 范希武 姜锦秀 陈连春 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期315-319,共5页

用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格.用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗口上仅剩有1～1.8μm厚的生长层.室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ZnSe-ZnS超晶格的吸收光谱.研究了带有生长过渡层和... 用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格.用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗口上仅剩有1～1.8μm厚的生长层.室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ZnSe-ZnS超晶格的吸收光谱.研究了带有生长过渡层和无过渡层的超晶格质量对其吸收光谱性能的影响.发现过渡层的存在保护了超晶格激子吸收性能.在此基础上首次采用新工艺在3×3mm^2面积上把GaAs衬底金部腐蚀掉,剩下均匀、光滑的ZnSe-ZnS超晶格层,在其上做出了300×300μm^2的列阵,为在ZnSe-ZnS超晶格上实现光学双稳的集成化提供了必要条件. 展开更多

关键词 超晶格 光窗口 腐蚀 吸收谱

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InP同质外延的不稳定生长:小丘的形成(英文)

14

作者 皮彪 孙甲明 +8 位作者 林耀望 姚江宏 邢晓东 蔡莹 舒强 贾国治 刘如彬 李丹 王占国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期263-266,259,共5页

用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌。在样品的表面观察到不稳定三维岛状生长。其主要原因有两种,第一种是生长温度较低时,由于吸附原子受到附加的ES台阶边垒的阻碍作用,使... 用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌。在样品的表面观察到不稳定三维岛状生长。其主要原因有两种,第一种是生长温度较低时,由于吸附原子受到附加的ES台阶边垒的阻碍作用,使扩散运动不能向台阶下面运动,而在台阶上面形成小丘,第二种是生长温度较高或V/III较低时,因生长中缺磷造成In的堆积而产生。在合适的生长条件下,可获得了光滑的2D层状生长。 展开更多

关键词 固态源分子束外延 原子力显微镜 INP 表面形貌

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多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减

15

作者 孙甲明 张吉英 +1 位作者 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期206-208,共3页

自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象。在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨。认为在Nd:YA... 自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象。在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨。认为在Nd:YAG激光器的1. 展开更多

关键词 多孔硅 电荷储存 光电压 衰减

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多孔硅的光电压滞后衰减现象

16

作者 孙甲明 张吉英 《发光快报》 CSCD 1993年第1期11-12,共2页

关键词 多孔硅 发光特性 光电压衰减 硅

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ACTFEL高清晰度平板电视的发展

17

作者 钟国柱 孙甲明 《发光快报》 CSCD 1995年第3期3-8,共6页

本文介绍了交流薄膜电致发光高清晰度平板电视和显示器的发展历史，根据ＡＣＴＦＥＬ器件的特殊性能，分析了其应用于高清晰度平板电视的优势，综述了ＡＣＴＦＥＬ平板电视的彩色化进展和主要方案。

关键词 薄膜 电致发光 高清晰度 电视机 平板电视

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非晶Si/SiO_2超晶格的制备及其光谱研究 被引量：7

18

作者 刘宁宁 孙甲明 +4 位作者 潘少华 陈正豪 王荣平 师文生 王晓光 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期1019-1022,共4页

用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2 超晶格 .利用透射电子显微镜 (TEM)和X射线衍射技术对其结构进行了分析 ,结果表明 ,超晶格中Si层大部分区域为非晶相 ,局域微区呈现有序结构 ,其厚度由 1.8— 3.2nm变化 ,SiO2 层厚度为 4.... 用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2 超晶格 .利用透射电子显微镜 (TEM)和X射线衍射技术对其结构进行了分析 ,结果表明 ,超晶格中Si层大部分区域为非晶相 ,局域微区呈现有序结构 ,其厚度由 1.8— 3.2nm变化 ,SiO2 层厚度为 4.0nm .并采用多种光谱测量技术 ,如吸收光谱、光致发光光谱和Raman光谱技术 ,对该结构的光学性质进行了系统研究 .结果表明 ,随纳米Si层厚度的减小 ,光学吸收边以及光致荧光峰发生明显蓝移 ,Ra man峰发生展宽 。 展开更多

关键词 非晶硅/二氧化硅 超晶格 光谱

原文传递

CaS:TmF_3粉末蓝色发光材料的制备 被引量：4

19

作者 孙甲明 钟国柱 +3 位作者 范希武 郑陈玮 Gerd.O.Mueller ReginaMuller-Mach 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期350-356,共7页

本文研究了S＋H2，S；H2S＋H2；H2S，S＋H2S和S＋H2S十H2等不同气氛下用CaCO3硫化法制备的CaS粉末中的CaSO4和CaO杂质相的含量与反应气氛和反应方法的关系．X射线衍射分析表明，CaSO4和CaO杂质相的含量与反应气氛有密切的联系．CaS粉末... 本文研究了S＋H2，S；H2S＋H2；H2S，S＋H2S和S＋H2S十H2等不同气氛下用CaCO3硫化法制备的CaS粉末中的CaSO4和CaO杂质相的含量与反应气氛和反应方法的关系．X射线衍射分析表明，CaSO4和CaO杂质相的含量与反应气氛有密切的联系．CaS粉末中F＋中心（带两个正电荷的S空位俘获一个电子）的数量与反应原材料和CaSO4和CaO杂质相的含量有关．光致发光的激发光谱表明，在CaS：TmF3发光粉末中存在由Tm3＋离子发光中心向F＋中心的能量传递，CaS粉末大量的F＋中心的存在不利于CaS：TmF3蓝色发光效率的提高．通过对不同气氛下制备的CaS粉末F＋中心、CaSO4和CaO杂质相的含量进行分析和比较，找到了制备适用于CaS：TmF3发光材料的CaS粉末的最佳方法． 展开更多

关键词 X射线衍射 光致发光 砷化镓 粉末制造

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非晶Si/SiO_2超晶格结构的交流电致发光 被引量：3

20

作者 孙甲明 钟国柱 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期24-28,共5页

设计并用磁控溅射方法制备了非晶 Si/Si O2 超晶格结构 ,以高纯多晶 Si为靶材 ,当以 Ar+O2 为溅射气氛时 ,得到 Si O2 膜 ,仅以 Ar为气氛时 ,得到 Si膜。重复地开和关 O2 气 ,便交替地得到 Si O2 和 Si膜。衬底在靶前往返平移 ,改变平... 设计并用磁控溅射方法制备了非晶 Si/Si O2 超晶格结构 ,以高纯多晶 Si为靶材 ,当以 Ar+O2 为溅射气氛时 ,得到 Si O2 膜 ,仅以 Ar为气氛时 ,得到 Si膜。重复地开和关 O2 气 ,便交替地得到 Si O2 和 Si膜。衬底在靶前往返平移 ,改变平移的速度或者改变溅射的功率 ,可以控制膜的厚度。通过透射电镜的照片可以看出 Si O2 和 Si膜具有均匀的周期结构 ,用低角 X-射线反射谱表征了超晶格的周期结构和各层的厚度。透射光谱表明 ,光学吸收边随 Si层厚度的减小向短波方向移动 ;从退火前和退火后样品的喇曼光谱的变化可判断硅量子点的存在及其尺寸。利用双绝缘层的交流电致发光器件结构 ,首次获得非晶 Si/Si O2 超晶格的蓝绿色电致发光 ,在发射光谱中存在几个分立的发光谱带 ,随 Si层厚度的减小 ,短波发光谱带的相对强度增加。 展开更多

关键词 超晶格 电致发光 硅量子点

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