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一种基于碳纳米管的随机存储器
被引量：
16
1
作者
孙
劲
鹏
王太宏
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期2096-2100,共5页
利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力 ,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器 ,研究了系统的双稳性 ,讨论了存储器的优点和可行性 。
关键词
碳纳米管
范德瓦耳斯力
动态随机存储器
双稳性
原文传递
基于库仑阻塞原理的多值存储器
被引量：
5
2
作者
孙
劲
鹏
王太宏
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期2563-2568,共6页
设计了一种基于库仑阻塞原理的新型单电子多值存储器 .器件包括两个多隧穿结结构和一个单电子晶体管 ,其中单电子晶体管起到一个静电计的作用来实现数据的读取 .两个隧穿结库仑阻塞区域的大小不同使得器件具有三个稳定的存储状态 .利用...
设计了一种基于库仑阻塞原理的新型单电子多值存储器 .器件包括两个多隧穿结结构和一个单电子晶体管 ,其中单电子晶体管起到一个静电计的作用来实现数据的读取 .两个隧穿结库仑阻塞区域的大小不同使得器件具有三个稳定的存储状态 .利用这个原理可以制备出多值的动态随机存储器和非挥发性的随机存储器 .这种低功耗的单电子多值存储器可以实现信息的超高密度存储 .
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关键词
库仑阻塞
单电子晶体管
多值存储器
多隧穿结结构
随机存储器
集成电路
原文传递
单电子存储器
被引量：
6
3
作者
孙
劲
鹏
王太宏
《微纳电子技术》
CAS
2002年第8期7-17,30,共12页
介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。...
介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。采用单电子存储器有望解决这个困难,它们通常具有单个量子点或者是多隧穿结结构,存储一个比特的信息只需要精确控制增加或者减少一定数目的电子就可以实现。单电子器件的工作通常只需要很少的电子甚至一个电子就可以实现,具有高速和低功耗的特点,因此可以实现信息超高密度存储。与单电子逻辑电路相比,单电子存储器更容易解决随机背景电荷涨落的问题,因此从实际应用的角度来看,单电子存储器的应用前景更为光明。
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关键词
单电子存储器
库仑阻塞
单电子晶体管
纳米加工
量子点浮栅
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职称材料
点接触平面栅型硅单电子晶体管
被引量：
1
4
作者
孙
劲
鹏
王太宏
《微纳电子技术》
CAS
2002年第4期8-10,36,共4页
设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加...
设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加很小的正偏压,然后又在其平面栅上施加负偏压耗尽通道,最终的研究结果显示在通道中形成了单个量子点。
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关键词
自对准技术
库仑振荡
点接触
平面栅型
硅单电子晶体管
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职称材料
一种基于碳纳米管的随机存储器
5
作者
孙
劲
鹏
王太宏
《微纳电子技术》
CAS
2002年第10期8-13,26,共7页
随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限。为了解决传统存储器件发展遇到的困难,利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储...
随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限。为了解决传统存储器件发展遇到的困难,利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储器的优点和可行性,并认为系统具有良好存储效应所应满足的条件。
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关键词
碳纳米管
随机存储器
范德瓦耳斯力
动态随机存储器
化学汽相沉积
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职称材料
基于库仑阻塞原理设计的单电子三值存储器
6
作者
孙
劲
鹏
王太宏
《科技开发动态》
2004年第10期42-42,共1页
关键词
库仑阻塞原理
单电子三值存储器
导电材料层
晶体管
原文传递
单电子三值存储器
7
作者
孙
劲
鹏
王太宏
《科技开发动态》
2004年第6期47-47,共1页
关键词
多隧穿结结构
单电子晶体管
三值存储器
绝缘基片
原文传递
题名
一种基于碳纳米管的随机存储器
被引量：
16
1
作者
孙
劲
鹏
王太宏
机构
中国科学院物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期2096-2100,共5页
基金
国家重点基础研究专项经费 (批准号:G2 0 0 1CB3 0 95 )
国家自然科学基金(批准号 :6992 5 410和 1990 40 15 )资助的课题~~
文摘
利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力 ,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器 ,研究了系统的双稳性 ,讨论了存储器的优点和可行性 。
关键词
碳纳米管
范德瓦耳斯力
动态随机存储器
双稳性
Keywords
carbon nanotube(CNT)
van der Waals energy
dynamic random access memory(DRAM)
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
原文传递
题名
基于库仑阻塞原理的多值存储器
被引量：
5
2
作者
孙
劲
鹏
王太宏
机构
中国科学院物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期2563-2568,共6页
基金
国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G2 0 0 1CB30 95)
国家自然科学基金 (批准号 :6 992 54 10和 6 0 2 36 0 10 )资助的课题~~
文摘
设计了一种基于库仑阻塞原理的新型单电子多值存储器 .器件包括两个多隧穿结结构和一个单电子晶体管 ,其中单电子晶体管起到一个静电计的作用来实现数据的读取 .两个隧穿结库仑阻塞区域的大小不同使得器件具有三个稳定的存储状态 .利用这个原理可以制备出多值的动态随机存储器和非挥发性的随机存储器 .这种低功耗的单电子多值存储器可以实现信息的超高密度存储 .
关键词
库仑阻塞
单电子晶体管
多值存储器
多隧穿结结构
随机存储器
集成电路
Keywords
Coulomb blockade
single-electron transistors
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN4 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
原文传递
题名
单电子存储器
被引量：
6
3
作者
孙
劲
鹏
王太宏
机构
中国科学院物理研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第8期7-17,30,共12页
基金
国家重点基础研究专项经费资助项目(No.G2001CB3095)
国家自然科学基金资助课题项目(批准号:69925410和19904015)
文摘
介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。采用单电子存储器有望解决这个困难,它们通常具有单个量子点或者是多隧穿结结构,存储一个比特的信息只需要精确控制增加或者减少一定数目的电子就可以实现。单电子器件的工作通常只需要很少的电子甚至一个电子就可以实现,具有高速和低功耗的特点,因此可以实现信息超高密度存储。与单电子逻辑电路相比,单电子存储器更容易解决随机背景电荷涨落的问题,因此从实际应用的角度来看,单电子存储器的应用前景更为光明。
关键词
单电子存储器
库仑阻塞
单电子晶体管
纳米加工
量子点浮栅
Keywords
Coulomb blockade
single-electron transistor
nanofabrication
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
点接触平面栅型硅单电子晶体管
被引量：
1
4
作者
孙
劲
鹏
王太宏
机构
中国科学院物理研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第4期8-10,36,共4页
基金
国家重点基础研究专项经费
国家自然科学基金资助课题
文摘
设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加很小的正偏压,然后又在其平面栅上施加负偏压耗尽通道,最终的研究结果显示在通道中形成了单个量子点。
关键词
自对准技术
库仑振荡
点接触
平面栅型
硅单电子晶体管
Keywords
single-electron transistor
self-aligned process
Coulomb blockade oscillation
分类号
TN325.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种基于碳纳米管的随机存储器
5
作者
孙
劲
鹏
王太宏
机构
中国科学院物理研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第10期8-13,26,共7页
基金
国家重点基础研究专项经费(69925410)
国家自然科学基金资助的课题(19904015)
文摘
随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限。为了解决传统存储器件发展遇到的困难,利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储器的优点和可行性,并认为系统具有良好存储效应所应满足的条件。
关键词
碳纳米管
随机存储器
范德瓦耳斯力
动态随机存储器
化学汽相沉积
Keywords
carbon nanotube
van der Waals energy
dynamic random access memory
chemi-cal-vapor deposition
分类号
TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
基于库仑阻塞原理设计的单电子三值存储器
6
作者
孙
劲
鹏
王太宏
机构
中国科学院物理研究所
出处
《科技开发动态》
2004年第10期42-42,共1页
关键词
库仑阻塞原理
单电子三值存储器
导电材料层
晶体管
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
原文传递
题名
单电子三值存储器
7
作者
孙
劲
鹏
王太宏
机构
中国科学院物理研究所
出处
《科技开发动态》
2004年第6期47-47,共1页
关键词
多隧穿结结构
单电子晶体管
三值存储器
绝缘基片
分类号
TN322.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种基于碳纳米管的随机存储器
孙
劲
鹏
王太宏
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
16
原文传递
2
基于库仑阻塞原理的多值存储器
孙
劲
鹏
王太宏
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
5
原文传递
3
单电子存储器
孙
劲
鹏
王太宏
《微纳电子技术》
CAS
2002
6
下载PDF
职称材料
4
点接触平面栅型硅单电子晶体管
孙
劲
鹏
王太宏
《微纳电子技术》
CAS
2002
1
下载PDF
职称材料
5
一种基于碳纳米管的随机存储器
孙
劲
鹏
王太宏
《微纳电子技术》
CAS
2002
0
下载PDF
职称材料
6
基于库仑阻塞原理设计的单电子三值存储器
孙
劲
鹏
王太宏
《科技开发动态》
2004
0
原文传递
7
单电子三值存储器
孙
劲
鹏
王太宏
《科技开发动态》
2004
0
原文传递
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