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正电子冲击下氦电离三重微分截面的理论计算
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作者 周雅君 刘芳 +10 位作者 程勇军 王旸 焦利光 马佳 王远程 于荣梅 张永志 姜平辉 柯友启 胡小颖 吴勇 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2020年第6期892-895,共4页
我们发展了一种处理正电子碰撞原子电离的畸变波Born近似方法,在这个方法中,正负电子偶素通道通过一个ab initio的光学势附加到入射粒子和靶的相互作用势上,且该通道对电离的影响被第一次被考虑在正电子碰撞原子电离的过程中.我们运用... 我们发展了一种处理正电子碰撞原子电离的畸变波Born近似方法,在这个方法中,正负电子偶素通道通过一个ab initio的光学势附加到入射粒子和靶的相互作用势上,且该通道对电离的影响被第一次被考虑在正电子碰撞原子电离的过程中.我们运用这个方法计算了在50 eV入射能量范围氦的电离的三重微分截面,计算结果和实验数据很好的符合. 展开更多
关键词 三重微分截面 正电子冲击 氦原子单电子电离 电子偶数形成 畸变波波恩近似
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