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碳纳米管场发射显示器研究现状
被引量：
4
1
作者
姚
绮
君
李德杰
《真空电子技术》
2002年第6期6-9,18,共5页
碳纳米管被认为是目前最有前途的场发射显示材料之一。本文将概述碳纳米管显示器件常用的制造工艺 。
关键词
碳纳米管
场发射显示器
现状
平板显示
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职称材料
基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管
2
作者
姚
绮
君
李曙新
张群
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期569-571,共3页
在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49∶49∶2。所制备的器件场致迁移率达到9.8cm2/V.s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化...
在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49∶49∶2。所制备的器件场致迁移率达到9.8cm2/V.s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用。
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关键词
薄膜晶体管
氧化锌
氧化铟
氧化钛
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职称材料
题名
碳纳米管场发射显示器研究现状
被引量：
4
1
作者
姚
绮
君
李德杰
机构
清华大学电子工程系
出处
《真空电子技术》
2002年第6期6-9,18,共5页
文摘
碳纳米管被认为是目前最有前途的场发射显示材料之一。本文将概述碳纳米管显示器件常用的制造工艺 。
关键词
碳纳米管
场发射显示器
现状
平板显示
Keywords
Carbon nanotubes
Field emission
Flat panel displays
分类号
TN873 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管
2
作者
姚
绮
君
李曙新
张群
机构
复旦大学材料科学系
天马微电子股份有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期569-571,共3页
文摘
在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49∶49∶2。所制备的器件场致迁移率达到9.8cm2/V.s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用。
关键词
薄膜晶体管
氧化锌
氧化铟
氧化钛
Keywords
thin film transistor
zinc oxide
indium oxide
titanium oxide
分类号
O753.2 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳纳米管场发射显示器研究现状
姚
绮
君
李德杰
《真空电子技术》
2002
4
下载PDF
职称材料
2
基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管
姚
绮
君
李曙新
张群
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
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