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反向刻蚀法制备场发射阴极阵列
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作者 向涛 黄庆安 +1 位作者 奏明 张会珍 《电子器件》 CAS 1994年第3期86-88,共3页
本文报道了硅各向异性腐蚀结合静电键合工艺制备出的大面积场发射阵列。阵列密度为１０￣６个／ｃｍ￣２，且具有良好的均匀性。该工艺简单、易于控制，是一种理想的制备场发射阵列的方法。
关键词 场发射阵列 各向异性腐蚀 静电键合 制备
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